Спектроскопия адмиттанса полупроводниковых гетероструктур с множественными квантовыми ямами InGaN/GaN
- Автор:
Кучерова, Ольга Владимировна
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2011
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
170 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Люминесценция арсенида и фосфида галлия, содержащих ионно-имплантированные примеси переходных элементов | Ушаков, Виктор Валентинович | 1985 |
| Электронная структура, геометрия и спиновые свойства монофталоцианинов переходных металлов и элементов III и IV группы | Тихонов, Евгений Васильевич | 2012 |
| Исследование зарядопереноса в структурах металл-анодный окисел металла-полупроводник | Лалэко, Владислав Анатольевич | 1982 |