Спектроскопия адмиттанса полупроводниковых гетероструктур с множественными квантовыми ямами InGaN/GaN
- Автор:
Кучерова, Ольга Владимировна
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2011
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
170 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Моделирование переходных процессов в силовых полупроводниковых приборах | Рабкин, Петр Беньяминович | 1983 |
| Исследование неизотермической электрической релаксации заряда в кристаллах природного алмаза | Питиримов, Алексей Николаевич | 1998 |
| Электрооптические свойства спиральной смектической С-фазы жидкого кристалла | Асланов, Меджид Ахад оглы | 1984 |