Вклады поверхностных и объёмных состояний в фотоэмиссии электронов из p+-GaAs(Cs,O) и p-GaN(Cs,O)
- Автор:
Пахневич, Андрей Александрович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2008
- Место защиты:
Новосибирск
- Количество страниц:
127 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Оптические свойства наноструктур полупроводник-диэлектрик | Черноуцан, Кирилл Алексеевич | 2000 |
| Оптическая и магнитооптическая спектроскопия квантоворазмерных (In, Ga)As/GaAs гетероструктур | Муманис Халид | 1999 |
| Фазовые превращения и дефектообразование в кремнии при локальном поверхностном нагреве | Корячко Марина Валерьевна | 2017 |