Влияние разогрева электронно-дырочной плазмы на электрические свойства германия

• Автор: Гварджаладзе, Лили Константиновна
• Шифр специальности: 01.04.10
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 1985
• Место защиты: Баку
• Количество страниц: 109 c. : ил

Глава I. Основные свойства электронно-дырочной плазмы
в полупроводнике
§ 1.1. Электронно-дырочная плазма (ЭДП), инжектированная в полупроводник
§ 1.2. Влияние разогрева электронно-дырочной
плазмы на двойную инжекцию
§ 1.3. Нарушение однородности распределения
носителей в сильных электрических ПОЛЯХ
§ 1.4. Контактные свойства полупроводников в
сильных электрических ПОЛЯХ
Глава II. Методика эксперимента
§ 2.1. СВЧ методика разогрева носителей заряда
§ 2.2. Разогрев носителей заряда импульсным
униполярным полем
§ 2.3. Изготовление контактов
Глава III. Влияние горячих неосновных носителей заряда на
свойства полупроводниковых контактов
§ 3.1. Термоэдс на антизапорном контакте полупроводника с биполярной проводимостью.. 42 § 3.2. Экспериментальное изучение влияния неосновных носителей на свойства антизапорного контакта
§ 3.3. Термоэдс горячих носителей заряда на
п-р переходе в присутствии неосновных
носителей
§ 3.4. 0 механизме инжекции неосновных носителей заряда через антизапорный контакт
§ 3.5. Краткие выводы
Глава IV. Свойства горячей электронно-дырочной плазмы,

инжектированной в полупроводник
§ 4.1. Особенности инжекции через п-р переход в
сильных электрических полях
§ 4.2. ВАХ при разогреве носителей заряда, инжектированных через п-р переход
§ 4.3. Распределение электрических полей при
двойной инжекции
§ 4.4. Распределение горячих неосновных носителей заряда в полупроводнике р-типа
§ 4.5. Распределение инжектированных носителей заряда в п-германии при высоком приложенном напряжении
§ 4.6. Краткие выводы
Заключение
Литература

Актуальность темы. Свойства горячих носителей заряда в полупроводниках изучаются уже более тридцати лет. Однако, основное внимание при этом уделяется исследованию полупроводников с монополярной проводимостью. Именно такие исследования привели к появлению и внедрению в технику ряда принципиальных новых полупроводниковых приборов (диод Ганна [I] , лавинно-пролетный диод [2] , принципиально новые детекторы [3] высокочастотного излучения и т.д.). К настоящему времени свойства горячих носителей заряда обобщены в ряде обзоров [4] и монографий [5-10]
Гораздо меньше внимания исследователи уделяют изучению горячих носителей в полупроводниках с биполярной проводимостью. Это, по-видимому, объясняется тем, что свойства таких полупроводников гораздо сложнее, так как в этом случае возникают две системы носителей, имеющие разную температуру, и связанные между собой электрическими силами. Наличие двух типов носителей заряда снижает устойчивость системы относительно проходящего по ней тока или приложенного напряжения, поскольку теперь неустойчивость системы в целом определяется не только неустойчивостью состояния каждой из подсистем носителей, но и неустойчивостью взаимодействия между ними [П-12]. Кроме того становится возможным возникновение пространственных неоднородностей, не связанных с образованием объемного заряда [13]. Таким образом исследование горячей электронно-дырочной плазмы должно привести к более глубокому пониманию процессов взаимодействия носителей заряда между собой и с решеткой, а также к обнаружению новых эффектов, способных най-

ит, икв
! I т<71% I I
I I I I 11.» >Х1 1.1.1 1
140 280 570 ХЮО» 2250
' к9
Рис. 8. Зависимость термоэдс от величины СВЧ-поля при различном освещении (сила света увеличивается от 6 к I)