Экситонные поляритоны в широких квантовых ямах GaAs/AlGaAs и CdTe/CdZnTe

• Автор: Логинов, Дмитрий Константинович
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2008
• Место защиты: Санкт-Петербург
• Количество страниц: 105 с. : ил.

Оглавление

Введение
Глава 1. Экситонные поляритоны в квантовых ямах
1.1 Теоретические модели
а) Дисперсия экситонного поляритона в модели, рассматривающей
вклад как лёгких, так и тяжёлых дырок
б) Граничные условия для случая зоны, состоящей подзон экситонов тяжёлой и лёгкой дырки
в) Гамильтониан экситона в магнитном поле без учёта движения центра масс
1.2 Экспериментальные результаты и их теоретический анализ
а) Спектры отражения света от гетеростуктур с КЯ
б) Наблюдение спектров отражения света от структур с широкой
квантовой ямой во внешнем магнитном поле
Краткие выводы
Глава 2. Краткое описание образцов и расчётных методик, использованных в исследованиях
а) Структура исследуемых образцов
б) Метод матриц переноса
Глава 3. Расчёт спектров отражения многослойных гетроструктур, содержащих широкую квантовую яму СаАв/АЮаАя
Результаты расчёта спектров отражения в рамках поляритонной
модели
Краткие выводы

Глава 4 Экситонный поляритон, связанный с оптически активными и оптически неактивными 18-состояниями, в широкой квантовой яме СйТе/СйгпТе в магнитном поле
4.1 Учёт взаимодействия оптически активных и оптически неактивных -состояний в поперченном магнитном поле (геометрия Фохта)
4.2 Результаты расчёта спектров отражения в модели поляригонов в магнитном поле
а) Моделирование экспериментальных спектров отражения в структуры СсГГе/СсМпТе в относительно небольших магнитных полях
б) Увеличение эффективной трансляционной массы экситона во внешнем магнитном поле в геометрии Фохта. Определение величины электронного g -фактора
Краткие выводы
Глава 5 Экситонный поляритон в широкой квантовой яме СйТе/СйгпТе в магнитном поле, с учётом взаимодействия основного состояния с возбуждённым состоянием 2р
5.1 'Гамильтониан Латтинжера с учётом магнитоиндуцированного смешивания основного и возбуждённого экситонных состояний за счёт возмущения зависящего от К. Общий вид волновых функций смешанных состояний в поляритонной модели
5.2 Дисперсионная зависимость поляритонных мод, вывод выражений для диэлектрической функции среды с учётом возмущения зависящего от К. Моделирование спектров отражения в относительно больших полях в рамках подхода, учитывающего возмущение за счёт членов зависящих от К. Определение величины эффективной массы экситона по эффекту магнитоиндуцированного увеличения М/г

Краткие выводы
Основные результаты
Список литературы

Рис.2.1 Упрощённая схема исследованных гетерострутур. На рисунке сверху введены обозначения СЬ - покрывающий слой СаАв, ВЬ - барьерный слой АЮаАв, tQW -технологическая тонкая КЯ, VQV - широкая исследуемая КЯ, ТБ! - слой сверхрешётки, БЬЬ - ОаАз подложка, на которой выращена структура. В нижней части рисунка изображена ось координат, направленная вдоль оси г, на которой значками 2 и 2г обозначены координаты границ широкой КЯ. Стрелками обозначены направления волн, распространяющихся в каждом слое гетроструктуры. Символами Е„ Еп Е, обозначены амплитуды электрического поля падающей, отражённой от гетероструктуры и прошедшей в полубесконечный слой подложки световых волн. Символами Е/ Е/ 0=1.2.3) обозначены амплитуды
электрического поля трёх поляритонных волн, распространяющихся в положительном и отрицательном направлении оси ъ.
Рис.2.2 Схема исследованных гетерострутуры Сс1Те/Сс1М§Те
рисунке сверху введены обозначения, ВЬ — барьерный слой СсГГе
широкая исследуемая КЯ, БЬЬ - СсГГе подложка, на которой выращена
структура. В нижней части рисунка изображена ось координат,
направленная вдоль оси г, на которой значками Z/ и 22 обозначены координаты границ широкой КЯ. Стрелками обозначены направления волн, распространяющихся в каждом слое гетроструктуры. Символами Е„ Ег, Е, обозначены амплитуды
электрического поля падающей, отражённой от гетероструктуры и прошедшей в полубесконечный слой подложки световых волн. Символами Е/ Е/ 0=1.2.3) обозначены амплитуды электрического поля трёх
поляритонных мод,
распространяющихся в положительном и отрицательном направлении оси г