+
Действующая цена700 499 руб.
Товаров:
На сумму:

Электронная библиотека диссертаций

Доставка любой диссертации в формате PDF и WORD за 499 руб. на e-mail - 20 мин. 800 000 наименований диссертаций и авторефератов. Все авторефераты диссертаций - БЕСПЛАТНО

Расширенный поиск

Нелинейная динамика распределения концентрации носителей заряда, напряженности электрического поля и образования доменов в диодах Ганна

  • Автор:

    Кваско, Владимир Юрьевич

  • Шифр специальности:

    05.27.01, 01.04.03

  • Научная степень:

    Кандидатская

  • Год защиты:

    2013

  • Место защиты:

    Саратов

  • Количество страниц:

    112 с. : ил.

  • Стоимость:

    700 р.

    499 руб.

до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы

Содержание
Введение
Глава 1. Анализ современного состояния исследований физики работы
диодов Ганна
Глава 2. Высокоселективные резонаторы на основе систем “штырь с
зазором - короткозамыкатель”
Глава 3. Ближнеполевой сверхвысокочастотный микроскоп на основе низкоразмерного резонатора
3.1. Ближнеполевой сверхвысокочастотный микроскоп на основе низкоразмерного резонатора типа «короткозамыкатель с выемкой -металлический штырь»
3.2. Ближнеполевой СВЧ-микроскоп с низкоразмерным резонатором типа «индуктивная диафрагма - емкостная диафрагма»
3.3. Зонд для ближнеполевого СВЧ микроскопа и способ его
изготовления
Глава 4. Измерение локальной напряженности электрического поля и концентрации носителей заряда в арсенид-галлиевом диоде Ганна с
помощью ближнеполевого СВЧ микроскопа
Глава 5. Численное и экспериментальное исследование распределения концентрации носителей заряда и электрического поля в арсенид-галлиевом
диоде Ганна
Заключение
Список литературы
Приложение 1. Программа численного решения стационарного уравнения полного тока, предназначенная для программного пакета МаЙаЬ
Я2009Ь
Приложение 2. Паспортные данные диода АА735А-
Введение
Актуальность
Представление о физических процессах в полупроводниковых приборах, в том числе широко применяющихся в современной твердотельной СВЧ электронике и использующихся в сложных радиофизических системах, в значительной степени сформировались в первые десятилетия после открытия эффектов, лежащих в основе их работы. Эти представления сохраняются до настоящего времени, несмотря на то, что произошли революционные изменения в уровне измерительной аппаратуры, современные образцы которой позволяют гораздо более детально исследовать изменение характеристик приборов при изменении режима питания, температуры, уровня воздействующего сигнала и других факторов. К такой аппаратуре, в частности, относится сканирующий ближнеполевой СВЧ микроскоп, открывающий возможность проводить измерение физических характеристик объектов с локальностью, соизмеримой с аналогичными параметрами у атомно-силовых и туннельных микроскопов, но выгодно отличающийся от них возможностью измерять характеристики материала «под поверхностью». Эффекты, связанные с явлением "ближнего поля", обусловлены возникновением квазистационарных (часто называемых эванесцентными) полей, которые локализуются в малой (в сравнении с длиной волны основного типа, распространяющейся в электродинамической системе) окрестности излучающей антенны. Если исследуемый объект находится в области существования этого, быстро затухающего с увеличением расстояния, квазистационарного поля, то существует возможность исследовать распределение его электрофизических свойств с разрешением, намного меньшим, чем длина волны используемого излучения. В этом смысле микроскопия ближнего поля позволяет «перешагнуть» через дифракционный предел. Этот вид микроскопии имеет ряд преимуществ, среди которых - отсутствие квантовых эффектов поглощения излучения веществом исследуемого объекта, прозрачность в СВЧ-диапазоне многих
оптически непрозрачных веществ. Данный вид микроскопии особенно предпочтителен при отладке технологии производства микроэлектронных устройств, предназначенных для использования именно в СВЧ-диапазоне, так как параметры материалов и структур измеряются на тех же частотах, на которых они будут работать в конечном устройстве. Таким образом, если даже СВЧ-ближнеполевая микроскопия и не заменяет других видов контроля и исследования, то, как минимум, гармонично их дополняет.
В настоящее время известен широкий спектр конструкций ближнеполевых СВЧ микроскопов, отличающихся различной чувствительностью, локальностью и назначением. В зависимости от области применения можно использовать микроскоп, у которого тот или иной параметр или совокупность параметров имеют наиболее приемлемое для решаемой задачи значение. Таким образом, при выборе типа микроскопа необходимо ориентироваться на исследуемый объект или группу объектов. Отметим, что элементами ближнеполевого сканирующего СВЧ микроскопа, наиболее существенным образом влияющими на его основные характеристики, является СВЧ резонатор и зондирующая часть. Именно эти элементы должны быть выполнены с учетом специфики исследуемого объекта, поставленных задач исследований. Одним из типов применяемых в ближнеполевой сканирующей СВЧ микроскопии резонаторов являются низкоразмерные резонаторы «штырь с зазором - короткозамыкающий поршень» и «индуктивная диафрагма близко расположенная емкостная диафрагма». Свойства систем близкорасположенный штырь с зазором -короткозамыкающий поршень исследовались в работах [1], при этом было обнаружено, что параметрами резонансов в таких системах можно эффективно управлять [2]. Резонансы в таких системах связаны с возбуждением “ближнего поля” в окрестности штыря с зазором и взаимодействием этого поля с корэткозамыкателем. Математически это поле можно описать системой высших типов колебаний [3,4], включающей в себя, в том числе и £-типы волн. То есть, фронт Е’-компоненты поля,
Следует отметить, что для двух рассмотренных выше работ характерным является использование коаксиальной линии передачи в качестве резонатора, центральный проводник которого выведен за пределы линии и выполняет функцию зонда. Даная схема отличается высокой степенью локальности и чувствительности и, как следствие, высокой разрешающей способностью, но применение коаксиальной линии ограничивает применение данного микроскопа при использовании источников СВЧ излучения с частотой выше 12ГГц вследствие наличия больших потерь СВЧ мощности в коаксиале. Наличие длинной коаксиальной линии передачи в качестве резонатора в зондовой части также не способствует технологичности конструкции данного микроскопа. Авторы ничего не говорят о решении проблемы одновременного определения расстояния зонд-образец, диэлектрической проницаемости и проводимости исследуемого образца.
В работе [28] показана возможность применения ближнеполевого СВЧ микроскопа для локального измерения физических параметров ферромагнитных материалов. В качестве зонда использовалась коаксиальная линия, конец которой представлял из себя петлю, соединяющую внутренний проводник с внешним проводником диаметром 25 мкм. В качестве элемента возбуждения магнитного поля Н использовали катушку из медного провода, намотанную на внешний проводник коаксиала. В качестве петли связи использовалась тонкая медная фольга шириной 0.5 мкм. По СВЧ коэффициенту отражения, который измерялся с помощью векторного анализатора, определялся общий импенданс. Недостатки такой схемы аналогичны предыдущим двум рассмотренным схемам. Следует также отметить, что петля связи представляет из себя достаточно эффективный излучатель электромагнитных волн СВЧ диапазона, что в данном случае является недостатком, так как приводит к снижению локальности зондирования и, как следстаие, снижению разрешающей способности ближнеполевого микроскопа, построенного по данной схеме.

Рекомендуемые диссертации данного раздела

Время генерации: 0.130, запросов: 967