Электронные свойства квантовых ям AlxGa1-xAs/InyGa1-yAs/AlxGa1-xAs с комбинированным и дельта-легированием
- Автор:
Хабибуллин, Рустам Анварович
- Шифр специальности:
05.27.01
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2012
- Место защиты:
Москва
- Количество страниц:
195 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Формирование электронных нанообъектов на основе модифицированных углеродных структур | Кузькин, Владимир Иванович | 2005 |
| Электронный транспорт, детектирование и эмиссия терагерцового излучения в полупроводниковых гетероструктурах | Орлов, Михаил Львович | 2010 |
| Неравновесная населенность мелких примесных состояний в полупроводниках и усиление излучения длинноволнового инфракрасного диапазона | Орлова, Екатерина Евгеньевна | 2002 |