Электронные свойства квантовых ям AlxGa1-xAs/InyGa1-yAs/AlxGa1-xAs с комбинированным и дельта-легированием
- Автор:
Хабибуллин, Рустам Анварович
- Шифр специальности:
05.27.01
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2012
- Место защиты:
Москва
- Количество страниц:
195 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Мощные лазеры на свободных электронах : Вопросы теории и применений | Барышников, Федор Федорович | 2001 |
| Влияние конструктивно-технологических факторов на электрические параметры мощных СВЧ LDMOS транзисторов | Ткачев, Александр Юрьевич | 2011 |
| Влияние стехиометрии оптически прозрачных проводящих пленок оксидов индия и олова на их электрофизические и оптические свойства | Гончар, Лариса Исхаковна | 1998 |