Электронные свойства квантовых ям AlxGa1-xAs/InyGa1-yAs/AlxGa1-xAs с комбинированным и дельта-легированием
- Автор:
Хабибуллин, Рустам Анварович
- Шифр специальности:
05.27.01
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2012
- Место защиты:
Москва
- Количество страниц:
195 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Исследование закономерностей формирования волнообразных микро- и наноструктур ионными пучками на поверхности кремния | Лепшин, Павел Анатольевич | 1999 |
| Наноструктурированные пленки на основе аморфного гидрогенизированного кремния для оптоэлектроники | Селюженок, Надежда Андреевна | 2007 |
| Разработка основ технологии электронно-лучевой обработки боролантановых стекол для изготовления компонентов оптико-электронных приборов искусственных спутников Земли | Петров, Сергей Николаевич | 2011 |