Электронные свойства квантовых ям AlxGa1-xAs/InyGa1-yAs/AlxGa1-xAs с комбинированным и дельта-легированием
- Автор:
Хабибуллин, Рустам Анварович
- Шифр специальности:
05.27.01
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2012
- Место защиты:
Москва
- Количество страниц:
195 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Электронные свойства квантовых ям AlxGa1-xAs/InyGa1-yAs/AlxGa1-xAs с комбинированным и дельта-легированием», автор — Хабибуллин, Рустам Анварович, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 05.27.01. Работа подготовлена в городе Москва в 2012 году. Объем работы: 195 с. : ил.. Внутренний код товара: 01005525218. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Разработка отдельных базовых процессов формирования активных областей силовых кремниевых транзисторов | Шангереева, Бийке Алиевна | 2006 |
| Разработка и исследование технологических основ формирования оксидных наноразмерных структур титана методом локального анодного окисления для создания мемристоров | Авилов, Вадим Игоревич | 2016 |
| Алгоритмы помехоустойчивой связи и элементная база для их реализации | Бирюков, Петр Геннадьевич | 2004 |