Электронные свойства квантовых ям AlxGa1-xAs/InyGa1-yAs/AlxGa1-xAs с комбинированным и дельта-легированием
- Автор:
Хабибуллин, Рустам Анварович
- Шифр специальности:
05.27.01
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2012
- Место защиты:
Москва
- Количество страниц:
195 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Методы построения источников опорного напряжения в составе интегральных микросхем | Гулевич, Павел Владимирович | 2000 |
| Получение и исследование свойств наноразмерных пленочных структур на основе аморфного кремния и его соединений | Нефедов, Денис Владимирович | 2008 |
| Мультиферроидные материалы в СВЧ электронике и наноэнергетике | Семенов, Александр Анатольевич | 2017 |