Электронные свойства квантовых ям AlxGa1-xAs/InyGa1-yAs/AlxGa1-xAs с комбинированным и дельта-легированием

• Автор: Хабибуллин, Рустам Анварович
• Шифр специальности: 05.27.01
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2012
• Место защиты: Москва
• Количество страниц: 195 с. : ил.

ОГЛАВЛЕНИЕ

Список используемых сокращений

Введение

1. Актуальность темы

2. Цель и задачи работы.

3. Научная новизна работы.

4. Научная и практическая значимость работы.

5. Основные положения, выносимые на защиту.

6. Достоверность научных положений, результатов и выводов

7. Личный вклад соискателя.

8. Объем и структура работы

9. Апробация работы
. Публикации по теме диссертации.
Глава 1. Обзор научнотехнической литературы.
Глава 2. Методы изготовления образцов и исследования их свойств
2.1 Молекулярнолучевая эпитаксия
2.2 Дифракция отраженных быстрых электронов
2.3 Установка для измерения эффекта Холла
2.4 Установка измерения спектров фотолюминесценции.
2.5 Установка измерения спектров фотоотражения.
2.6 Измерение низкотемпературного мгнетогранспорта.
Глава 3. Расчетное моделирование зонной структуры образцов.
3.1 Параметры материалов.
3.2 Разрыв дна зоны проводимости на гетеропереходе.
3.3 Гетеропереход .vi.x
3.4 Численный расчет зонной диаграммы гетероструктур
3.5 Примеры расчета зонной диаграммы гетероструктур.
Глава 4. Электронные и оптические свойства дельталегированных II
гетероструктур с КЯ вблизи поверхности.
4.1 Физические принципы создания РНЕМГгетсроструктуры.
4.2 Взаимосвязь параметров гетероструктуры с характеристиками транзистора, созданного на базе гетсроструктуры.
4.3 Встроенное электрическое поле гетсроструктуры
4.4 Расчет зонной структуры РНЕМГ образцов с КЯ вблизи поверхности.
4.5 Расчет компенсированного легирования.
4.6 Образцы и методики измерений.
4.7 Результаты измерений и их обсуждение.
Глава 5. Рассеяние и подвижность электронов в КЯ
IivI,,i..vv с комбинированным легированием.
5.1 Создание высокой электронной плотности.
5.2 Увеличение пробивного напряжения.
5.3 Рассеяние электронов в КЯ в случае многоподзонной проводимости.
5.4 Расчет зонной структуры исследуемых образцов.
5.5 Расчет подвижности электронов
5.6 Приготовление образцов и методики измерений
5.7 Результаты измерений и их обсуждение.
6. Выводы.
7. Заключение.
8. Список литературы
Список используемых сокращений
МЛЭ молекулярнолучевая эпитаксия СВЧ сверхвысокая частота
ИЕМТ i ii i транзисторная гетероструктура с высокой
подвижностью электронов
ДЭГдвумерный электронный газ
КЯ квантовая яма
ШдГ эффект Шубниковаде Гааза
ФЛ фотолюминесценция
ФО фотоотражение
ВФ волновые функции электронов в квантовой яме
Введение
Актуальность


Гетероструктуры с комбинированно-легированным каналом и высокой концентрацией электронов в квантовой яме AlGaAs/lnGaAs/AlGaAs: моделирование и эксперимент -Научно-практическая конференция по физике и технологии наногстсроструктурной СВЧ-электроники «Моксровскис чтения», Материалы докладов, , с. P.A. Хабибуллин, И. С. Васильевский, Г. Б. Галиев, Е. А. Климов. Подвижность электронов в ступенчатой квантовой яме AIGaAs/GaAs/InGaAs/GaAs/AIGaAs в случае много подзон ной проводимости: моделирование и эксперимент - 2-ая Международная научная конференция «Технологии микро- и наноэлектроники в микро- и наносистемной технике», Материалы докладов, . И.С. Васильевский, Г. Б. Галиев, Е. А. Климов, В. А. Кульбачинский, P. A. Хабибуллин. Встроенное электрическое поле в приповерхностных квантовых ямах AlGaAs/lnGaAs/GaAs - IX Курчатовская Молодежная Научная Школа . РНЦ «Курчатовский институт», Материалы докладов, 1 I, с. P.A. Хабибуллин, И. С. Васильевский, Г. Б. Галиев, В. П. Гладков, Е. А. Климов, В. А. Кульбачинский. Спектроскопия фотолюминесценции в наногетероструктурах AIGaAs/InGaAs/GaAs с различной глубиной залегания квантовой ямы - 1-я Всероссийская школа-семинар студентов, аспирантов и молодых ученых по тематическому направлению деятельности национальной нанотехнологической сети «Функциональные наноматериалы для энергетики», Материалы докладов, , с. P.A. Хабибуллин. Электронный транспорт и оптические свойства РИЕМТ гетероструктур с различной глубиной залегания квантовой ямы А KG а | ТА s/l n^Ga i ,УА s/G а А s - -я Международная телекоммуникационная конференция молодых ученых и студентов «Молодежь и наука», wwvv. P.A. Хабибуллин. ЯГТ: Г-структур а с комбинированно-легированной квантовой ямой Alo. Cjao. As/GaAs/lno. Gao. As/GaAs/Alo. Gao. As. Молодежь и наука», www. P.A. Хабибуллин, И. С. Васильевский, Г. В. Галиев, Е. А. Климов, В. А. Кульбачинский. Электрофизические свойства гетероструктур с композитным спейсерным слоем, содержащим вставки AlAs - Науч. МИФИ-: www. P.A. Хабибуллин, И. О. Васильевский, Г. В. Галиев, Е. А. Климов, В. А. Кульбачинский. Исследование электронного транспорта в ЯГГТ-структурах AlGaAs/InGaAs/AIGaAs с комбинированным легированием - Науч. МИФИ-: wvw. P.A. Хабибуллин, И. С. Васильевский, Г. Б. Галиев, Е. А. Климов, В. А. Кульбачинский. Особенности электронного транспорта в комбинированно-легированных HFET-структурах Al. Gai. As/lnvGai. As/AI. YGaivAs с высокой концентрацией электронов - XIV Национальная конференция по росту кристаллов IV Международная конференций “Кристаллофизика XXI века”, посвященная памяти М. П. Шаскольской, Материалы докладов, , т. P.A. Хабибуллин, И. С. Васильевский, Г. Б. Галиев. Е.А. Климов, В. П. Гладков, В. А. Кульбачинский. Влияние встроенного электрического поля на спектры фотолюминесценции в наногетероструктурах AlGaAs/InGaAs/GaAs - Науч. МИФИ-: Материалы докладов. P.A. Хабибуллин, И. С. Васильевский, Г. Б. Галиев, Е. А. Климов, В. П. Гладков, В. А. Кульбачинский. Влияние встроенного электрического поля на спектры фотолюминесценции в наногетероструктурах AlGaAs/InGaAs/GaAs - Труды конференции НИЯУ МИФИ, , т. P.A. Хабибуллин, M. H. Стриханов, И. C.Васильевский, Г. Б.Галиев, Е. А.Климов, Д. С.Пономарев, Ю. А. Матвеев, В. А.Кульбачинский, В. П. Гладков. Квантовые наногетероструктуры с раздельным квантованием электронов и фононов - Науч. МИФИ-: Материалы докладов, www. Q.mephi. P.A. Хабибуллин, И. С. Васильевский, Г. Б. Галиев, Е. А. Климов. AIGaAs/InGaAs/AIGaAs/GaAs с высокой плотностью электронов - Науч. МИФИ-: Материалы докладов, , т. P.A. Хабибуллин, И. С. Васильевский, В. П. Гладков, Г. Б. Галиев, Е. А. Климов. Исследование электронного транспорта в квантовых наногетероструктурах AIGaAs/InGaAs/AIGaAs/GaAs с высокой электронной плотностью - Труды конференции НИЯУ МИФИ, , т. P.A. Хабибуллин, И. С. Васильевский, Г. Б. Галиев, Е. А. Климов. Влияние поверхностного потенциала на фотолюминесценцию квантовых ям AlGaAs/InGaAs/GaAs - VII Курчатовская Молодежная Научная Школа . РНЦ «Курчатовский институт», Материалы докладов, , с. P.A. Хабибуллин, И. С. Васильевский, Г. Б. Галиев, Е. А. Климов. AlGaAs/lnGaAs/AIGaAs: моделирование и экспериментальное исследование. Науч. МИФИ-: Труды конференции, , т. P.A. Хабибуллин, И. С. Васильевский, Г. Б. Галиев, Е. А. Климов.