Физико-химические аспекты формирования квантовых точек в системе InGaAs/GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии
- Автор:
Вагапова, Наргиза Тухтамышевна
- Шифр специальности:
05.27.06
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2012
- Место защиты:
Москва
- Количество страниц:
115 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Моделирование и получение твердых растворов InAlGaPAs на подложках GaAs и InP | Столярова, Валентина Вячеславовна | 2002 |
| Электронная структура и технологии оксидно-никелевых катодных материалов | Леденцова, Наталья Евгеньевна | 2019 |
| Исследование нарушений структуры кремния, возникающих при химико-механическом полировании | Макаров, Антон Сергеевич | 2000 |