Физико-химические аспекты формирования квантовых точек в системе InGaAs/GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии
- Автор:
Вагапова, Наргиза Тухтамышевна
- Шифр специальности:
05.27.06
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2012
- Место защиты:
Москва
- Количество страниц:
115 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Физико-химические аспекты формирования квантовых точек в системе InGaAs/GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии», автор — Вагапова, Наргиза Тухтамышевна, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 05.27.06. Работа подготовлена в городе Москва в 2012 году. Объем работы: 115 с. : ил.. Внутренний код товара: 01005478314. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Кристаллы, стекла и расплавы галогенидных систем для активных сред лазеров среднего ИК диапазона | Моисеева, Людмила Викторовна | 2019 |
| Выращивание и исследование легированных монокристаллов ниобата бария-стронция | Лыков, Павел Андреевич | 2008 |
| Разработка и исследование технологических процессов анодного сращивания полупроводниковых структур | Дьячков, Сергей Александрович | 2000 |