Физико-химические аспекты формирования квантовых точек в системе InGaAs/GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии
- Автор:
Вагапова, Наргиза Тухтамышевна
- Шифр специальности:
05.27.06
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2012
- Место защиты:
Москва
- Количество страниц:
115 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Структура и свойства низкотемпературных термоэлектрических материалов, полученных интенсивной пластической деформацией | Богомолов, Денис Игоревич | 2013 |
| Технология оксидных сегнетоэлектрических пленок для сверхвысокочастотных применений | Тумаркин, Андрей Вилевич | 2016 |
| Технология пленок Ленгмюра-Блоджетт жесткоцепных полиимидов для устройств микросистемной техники | Пасюта, Вячеслав Михайлович | 2005 |