Физико-технологические основы управления процессами дефектообразования в кремниевых полупроводниковых структурах
- Автор:
Енишерлова-Вельяшева, Кира Львовна
- Шифр специальности:
05.27.06
- Научная степень:
Докторская
- Год защиты:
1998
- Место защиты:
Москва
- Количество страниц:
407 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Разработка и исследование процесса и оборудования низкотемпературного испарения влагосодержащих веществ в вакууме | Ковалева, Наталья Львовна | 2004 |
| Магнитные композиты на основе наноразмерных частиц MeOn-Fe2O3, интегрированных в диэлектрическую матрицу диоксида кремния | Гареев, Камиль Газинурович | 2014 |
| Исследование влияния примесей Bi, In и Ti на свойства материалов фазовой памяти на основе системы Ge-Sb-Te | Бабич, Алексей Вальтерович | 2017 |