Физико-технологические основы управления процессами дефектообразования в кремниевых полупроводниковых структурах
- Автор:
Енишерлова-Вельяшева, Кира Львовна
- Шифр специальности:
05.27.06
- Научная степень:
Докторская
- Год защиты:
1998
- Место защиты:
Москва
- Количество страниц:
407 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Эпитаксия твердых растворов AIIIBV с микро- и наноструктурой в поле температурного градиента | Сысоев, Игорь Александрович | 2010 |
| Неодимовые и иттербиевые термопрочные и химически стойкие стекла на фосфатной основе для диодно-накачиваемых лазеров | Глущенко, Илья Николаевич | 2013 |
| Исследование и разработка процессов термообработки полупроводниковых материалов для специального применения | Шагаров, Борис Анатольевич | 2000 |