Физико-технологические основы управления процессами дефектообразования в кремниевых полупроводниковых структурах
- Автор:
Енишерлова-Вельяшева, Кира Львовна
- Шифр специальности:
05.27.06
- Научная степень:
Докторская
- Год защиты:
1998
- Место защиты:
Москва
- Количество страниц:
407 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Физико-технологические основы управления процессами дефектообразования в кремниевых полупроводниковых структурах», автор — Енишерлова-Вельяшева, Кира Львовна, относится к типу: докторская диссертация по специальности 05.27.06. Работа подготовлена в городе Москва в 1998 году. Объем работы: 407 с. : ил.. Внутренний код товара: 01000211692. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Разработка технологии массового производства радиационно стойких монокристаллических сцинтилляторов вольфрамата свинца | Анненков, Александр Николаевич | 2005 |
| Механизмы переноса носителей заряда в солнечных батареях на основе a-Si:H и его сплавов И c-Si | Сизов, Алексей Владимирович | 2004 |
| Разработка и исследование нанохарвестера пьезоэлектрической энергии на основе нанокристаллов оксида цинка | Козьмин, Александр Михайлович | 2013 |