Физико-технологические основы управления процессами дефектообразования в кремниевых полупроводниковых структурах
- Автор:
Енишерлова-Вельяшева, Кира Львовна
- Шифр специальности:
05.27.06
- Научная степень:
Докторская
- Год защиты:
1998
- Место защиты:
Москва
- Количество страниц:
407 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Технологии получения функциональных материалов с участием сегнетоэлектриков, релаксоров и мультиферроиков, электрофизические свойства и механоактивационные явления в них | Миллер, Александр Иванович | 2015 |
| Моделирование и оптимизация параметров технологических процессов химического осаждения тонких пленок из газовой фазы в производстве приборов электронной техники | Каратунов, Юрий Владимирович | 2003 |
| Исследование процессов роста и свойств многокомпонентных полупроводников с заданной субструктурой в системах Ga-Sb-Bi, In-Sb-Bi и Ga-In-As-Sb-Bi | Подщипков, Дмитрий Геннадиевич | 2009 |