Физико-технологические основы управления процессами дефектообразования в кремниевых полупроводниковых структурах

• Автор: Енишерлова-Вельяшева, Кира Львовна
• Шифр специальности: 05.27.06
• Научная степень: Докторская
• Год защиты: 1998
• Место защиты: Москва
• Количество страниц: 407 с. : ил.

ОГЛАВЛЕНИЕ

Введение
Глава 1. Влияние структурных нарушений в активных областях кремния на основные параметры кремниевых полупроводниковых приборов
1.1. Анализ эффективности использования ратистического подхода к оценке влияния структурных дефектов на выход годных кристаллов на пластине
1.2. Оценка допустимых плотностей структурных дефектов разного вида в объеме активных областей приборов типа ФСЗС
1.3. Трансформация дефектов эпитаксиальных пленок в процессе изготовления мощных биполярных транзисторов и быстродействующих ИС на основе комплементарных биполярных транзисторов
1.4. Влияние структурных дефектов на параметры мощных высоковольтных МДП-транзисторов
Выводы
Глава 2. Особенности дефектообразования в монокристаллическом кремнии при термообработках и анализ возможности использования процессов преципитации кислорода для создания внутреннего геттера в пластинах кремния
2.1. Анализ уровней загрязнений в приповерхностных слоях кремниевых пластин и приборных структур
2.2. Модели процессов геттерирования. Определение понятия эффективности процесса геттерирования
2.3. Научно-технологические аспекты процессов внутреннего геттерирования

2.4. Технологические циклы формирования внутреннего геттера в пластинах кремния с разным содержанием кислорода в материале
2.5. Экспериментальная проверка эффективности предлагаемых моделей и технологических циклов формирования внутреннего геттера
Выводы
Глава 3. Исследование особенностей диффузии углерода в имплантированных слоях кремния. Анализ возможности и создание эффективного геттера для эпитаксиальных структур на основе использования слоев кремния, имплантированных легкими элементами
3.1. Анализ особеннностей деформации решетки приповерхностных слоев кремния, имплантированных кислородом и углеродом
3.2. Анализ особенностей перераспределения углерода в имплан-итрованных слоях при отжигах
3.3. Анализ процессов дефектообразования в имплантированных углеродом и кислородом слоях кремния при отжигах
3.4. Восходящая диффузии углерода в слоях кремния, имплантированных углеродом и кислородом, при постимплантационном отжиге
3.5. Экспериментальная оценка геттерирующих свойств дефектных слоев, формирующихся в имплантированных кислородом и углеродом областях кремния
Выводы

Глава 4. Научно-технологические проблемы нового решения процессов получения двухслойных структур для высоковольтных МДП-транзисгоров. Экспериментально-конструкторская разработка нового процесса и исследование структур, получаемых по новой технологии

4.1. Физико-химические основы процессов прямого соединения пластин кремния
4.2. Технологические особенности процессов термокомпрессионного соединения пластин кремния
4.3. Исследование свойств границы раздела, а также особенностей многослойных кремниевых структур, формируемых прямым соединением пластин
4.4. Анализ параметров мощных МДП-транзисторов, сформированных на двухслойных структурах, изготовленных по разработанной технологии, и оценка эффективности процесса термокомпрессионного соединения пластин
Вывода
Заключение по работе
Литература
Приложение
Основная причина
появления экранных Дефекты экрана
дефектов
Другие возможные причины появления экранных дефектов
СТРУКТУРНОЕ
НЕСОВЕРШЕНСТВО
АКТИВНЫХ
ОБЛАСТЕЙ
ПРИБОРОВ
1.ЧЕРНЫЕ И БЕЛЫЕ СТОЛБЫ <-
2.ЛОКАЛЬНЫЕ КОНТРАСТНЫЕ БЕЛЫЕ ПЯТНА <-
3.ПРОТЯЖЕННЫЕ БЕЛЫЕ ПЯТНА
/в виде рисок
Брак фотолитографии, наличие грубых рисок, загрязняющие частицы
Проколы в окисле,центры генерации на границе -ЗФ02, БЮо
4.МАЛО КОНТРАСТНЫЕ БЕЛЫЕ ОБЛАСТИ
5.КОРОТКИЕ ГОРИЗОНТАЛЬНЫЕ И ВЕРТИКАЛЬНЫЕ ЛИНИИ
6. ТЕМНЫЕ ЛОКАЛЬНЫЕ ПЯТНА <—
7.КОЛЬЦЕВАЯ ПОЛОСЧАТОСТЬ <-
8. ФОНОВАЯ МОДУЛЯЦИЯ
Брак фотолитографии, ловушки на границах 81-&10г 8102 -51 вокальные загрязнения
Брак фотолитографии
Неравномерность вноси мых при приборных обработках центров рекомбинации
9.ПЛОХАЯ РАЗРЕШАЮЩАЯ СПОСОБНОСТЬ <-
Загрязнения быстродиф фундирующими примесями, брак фотолитографии
Рис.1.1. Возможные причины появления экранных дефектов.