Исследование влияния некоторых факторов роста на реальную структуру кристаллов KDP

• Автор: Руднева, Елена Борисовна
• Шифр специальности: 01.04.18
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 1999
• Место защиты: Москва
• Количество страниц: 103 с. : ил.

ОГЛАВЛЕНИЕ
Введение
1. Литературные данные и постановка задачи
1.1. Кристал л КОР
1.1.1. Структура кристалла КЕ)Р
1.1.2. Растворимость и рост кристалла КОР
1.2. Рост кристаллов группы КОР из раствора; послойный
рост, вициналыше холмики, образование макроступеней. Кристаллы, выращенные в традиционных режимах и с высокими скоростями
1.3. Постановка задачи
2. Методика эксперимента
2.1. Выращивание кристаллов
2.1.1. Метод изотермического испарения растворителя
2.1.2. Метод изменения температуры: традиционные
и быстровыращенные кристаллы
2.2. Метод проекционной рентгеновской топографии
по Лангу
2.3. Приготовление образцов
3. Ориентация ростовых дислокаций в кристалле ЮР и ее
связь с морфологией растущей поверхности
3.1. Влияние ориентации растущей поверхности на ориентацию дислокаций

3.2. Изменение картины распределения дислокаций
при изменении температуры роста кристаллов
3.2.1. Ориентация дислокаций в кристаллах, выращенных при температурах до 35 °С. Резкие изломы.
Изменение ориентации дислокаций внутри одного
и того же сектора роста
3.2.2. Дислокации в кристаллах КОР, выращенных при температурах около 45 °С. Дислокации с изломами и дислокации, плавно изменяющие ориентацию
в пределах одного сектора роста
3.2.3. Дислокации в кристаллах, выращенных при температурах 55-60°С. Прямолинейные дислокации
3.3. Обсуждение результатов
3.3.1. Образование изломов
3.3.2. Механизм плавного изменения ориентации дислокаций
3.3.3. Прямолинейные дислокации
3.3.4. Кристаллы КОР, выращенные скоростным методом при снижении температуры: иллюстрация предложенного механизма изменения ориентации дислокаций
4. Ориентированные цепочки включений в кристаллах КОР
4.1. Различные виды включений, наблюдавшиеся в крис-
таллах и механизмы их образования
4.2. Ориентированные цепочки включений в скоростных
кристаллах КОР - "волосы"

4.2.1. Расположение "волос" в кристалле: их форма и ориентация
4.2.2. Дефектная структура кристаллов в областях расположения цепочек включений
4.3. Обсуждение результатов
4.3.1. Захват растущим кристаллом включений вдоль определенных направлений
4.3.2. Образование цепочек включений в кристалле в направлении непараллельном растущей грани
4.3.3. Захват включений изломами макроступеней
5. Формирование полос зонарной неоднородности в кристаллах
при послойном росте из раствора
5.1. Образование полос зонарной неоднородности при рос-
те кристаллов из раствора
5.1.1. Влияние скачкообразного изменения пересыщения во время роста кристалла на образование неоднородностей
5.2. Зонарные неоднородности при послойном росте
кристалла
5.2.1. Появление полос при изменении структуры растущей поверхности вследствие смены источников ростовых ступеней
5.2.2. Образование полос роста в результате формирования макроступеней
5.2.3. Возникновение полос роста вследствие изменения морфологии вицинальных холмиков

Рис. 2.1. Схема кристаллизационной установки для выращивания кристаллов из раствора. 1 - водяная баня; 2 - кристаллизационный сосуд; 3 -контрольный термометр; 4 - контактный термометр или термопара, соединенная с устройством для автоматического поддержания заданной температуры; 5 -магнитная мешалка; 6 - растущий кристалл; 7 - вращающаяся платформа; 8 -нагреватель.