Высокоскоростная калориметрия реакций в гетерогенных конденсированных средах

• Автор: Попов, Константин Викторович
• Шифр специальности: 01.04.17
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2000
• Место защиты: Черноголовка
• Количество страниц: 112 с. : ил.

Список основных обозначений
£ - безразмерная координата
в - безразмерная температура
г - безразмерное время
? - время
?/ - глубина реакции
(р(г/) - закон превращения
к - константа растворения
£> - коэффициент диффузии
а - коэффициент теплоотдачи
Бе - критерий Семёнова
5 - критерий Франк-Каменецкого
д - мощность тепловыделения
V - объём
р - плотность
5 - площадь
к0 - предэкспоненциальный множитель
и - скорость горения
Т - температура
а=А/ср - температуропроводность
<2 - тепловой эффект реакции
с - теплоёмкость
Я - теплопроводность
К - универсальная газовая постоянная
Е - энергия активации

Содержание
ВВЕДЕНИЕ
Глава. 1. Тепловой взрыв и методика ЭТВ.
1.1. Явление теплового взрыва (ТВ)
1.2. ТВ с дополнительным (нехимическим) источником тепла
1.3. Основные положения электротеплового взрыва (ЭТВ)
1.4. Адиабатический период индукции ЭТВ
1.5. Методы расчёта макрокинетических параметров по экспериментальным данным ЭТВ
Глава 2. Установка для исследования методом ЭТВ кинетики быстропротекающих высокотемпературных процессов в электропроводных конденсированных системах, исследуемые образцы и программное обеспечение
2.1. Порошковые образцы
2.2. Слоевые (модельные) образцы
2.3. Экспериментальная установка
2.3.1.Фотодиодная сборка
2.3.2. Схема регистрации температурного поля
2.4.Программное обеспечение
2.4.1. Программы проведения, просмотра и обсчёта ЭТВ эксперимента
2.4.2. Семейство программ ЭТВ для ІВМ
Выводы к главе
Глава 3. Исследование высокотемпературного взаимодействия титана с бором.
3.1. Экспериментальное исследование взаимодействия титана с бором

3.2. Макрокинетика взаимодействия титана с бором
3.3. Рентгенофазовый анализ продуктов взрыва
Выводы к главе
Глава 4. Высокотемпературное взаимодействие интерметаллидов (ТИ-ТЛ)
Введение
4.1 .Экспериментальная процедура
4.2. Результаты и обсуждение
4.3. Металлография образцов
Выводы к главе
Глава 5. Исследование высокотемпературного взаимодействия в модельных слоевых образцах методом ЭТВ.
Введение
5.1. Модель реакционного растворения
5.2. Результаты и обсуждение
5.3. Металлография слоевых образцов
Выводы к главе
Глава 6. ЭТВ в термитных смесях на примере системы Т1+Ге20з.
Введение
6.1. Метод разбавления
6.2. Высокотемпературное взаимодействие в системе ТИТеоОз методом электротеплового взрыва
Выводы к главе
ОБЩИЕ ВЫВОДЫ
ЛИТЕРАТУРА
ПРИЛОЖЕНИЕ

регистрирующей аппаратуры (в данном случае он определялся 10-разрядным аналого-цифровым преобразователем, на который подавались сигналы) вынудила нас прибегнуть к двухканальной регистрации сигнала каждого германиевого фотодиода. Более чувствительные каналы позволяют измерять температуру в относительно низкотемпературной области 1000-1700К. Грубые каналы работают в области высоких температур 1700-3500К. Кремниевые фотодиоды, как играющие вспомогательную роль, работают только в высокотемпературной области.
2.3.2. Схема регистрации температурного поля
Температура регистрируется в ходе эксперимента с помощью крестообразной фотодиодной сборки по интенсивности теплового излучения образца (рис.6). Оптическая система, увеличивающая изображение образца, позволяет добиться пространственного разрешения 0.7 мм, что позволяет получить осевое распределение температуры, обусловленное теплоотводом в электроды через торцы образца. Оптическая система юстируется с помощью лазера ОКГ-13. Градуировка системы измерения температуры в интервале 1000 - 2900К проводилась при помощи светоизмерительной широкодиапазонной лампы накаливания СИРТ 116-100 и пирометра ЭОП-66.
В состав установки (рис.7) входит компьютер ДВК-3 и КАМАК. Управление нагревом образца и регистрация экспериментальных данных осуществлялась посредством быстродействующих модулей, расположенных в крейте КАМАК. Модуль цифро-аналогового преобразователя 2ЦАП-10 по сигналу ЭВМ устанавливал ток в пределах от 0 до 5мА во входной цепи тиристорного регулятора и тем самым позволял задавать мощность нагрева образца. Сигналы с фотодиодной сборки после усиления подавались на вход полупроводникового коммутатора 752. По команде ЭВМ на выходе коммутатора формировался сигнал, совпадающий по величине с сигналом на