Когерентные эффекты типа Б при образовании свободных и связанных e +e- пар фотонами и ядрами высоких энергий в кристаллах

• Автор: Кунашенко, Юрий Петрович
• Шифр специальности: 01.04.16
• Научная степень: Докторская
• Год защиты: 2000
• Место защиты: Томск
• Количество страниц: 212 с. : ил.

Содержание
Введение
1 Влияние корреляции импульсов е+е~ пар в конечном состоянии на форму когерентного пика при фоторождении типа Б е+е~ пар в кристалле
1.1 Полное сечение когерентного типа Б рождения симметричной е+е~ пары фотоном в кристалле
1.2 Дифференциальное сечение когерентного типа Б образования е+е~ пары фотоном в кристалле
1.3 Увеличение яркости когерентного ника в условиях жесткой коллимации образованных электрона и позитрона
1.4 ЗБ - модель когерентного типа Б образования е+е~ пары фотоном в кристалле в условиях жесткой коллимации образованных электрона и позитрона
1.5 Влияние температуры кристалла на когерентный эффект типа Б при фоторождении е+е~ пар в кристалле
1.6 Сравнение теории с экспериментом
2 Когерентное фоторождение типа Б релятивистского атома позитрония в кристалле
2.1 Эффект Сахарова для когерентного фоторождения типа Б е+е~ пар в кристалле
2.2 Когерентное фоторождение типа Б релятивистских атомов позитрония в кристалле
2.3 Влияние температуры кристалла на когерентный эффект при фоторождении атомов позитрония

3 Взаимодействие релятивистских атомов позитрония с ориентированными кристаллами
3.1 Ориентационные эффекты при взаимодействии релятивистских атомов позитрония с кристаллами
3.1.1 Рассеяние релятивистских атомов позитрония на отдельной оси кристалла
3.1.2 Многократное рассеяние релятивистских атомов позитрония в кристалле
3.2 Компьютерное моделирование прохождения релятивистского атома позитрония через кристаллы
3.3 Деформация релятивистского атома позитрония в кристалле
4 Когерентное образование е+е- пар релятивистскими ядрами с захватом электрона на К - оболочку
ядра в ориентированных кристаллах
4.1 Образование е+е~ пары фотоном в кулоновском поле ядра с захватом электрона на К - оболочку ядра
4.2 Когерентное рождение е+е~ пары релятивистским ядром в кристалле с захватом электрона на К - оболочку ядра
4.3 Полное сечение образования е+е~ пары релятивистским ядром в кристалле с захватом электрона
на К - оболочку ядра
4.4 Когерентное образование атомов антиводорода при прохождении релятивистских антипротонов через ориентированные кристаллы
4.5 Моделирование когерентного образования е+е~ пары релятивистским ядром в кристалле с захватом электрона на К - оболочку ядра
5 Дираковские волновые функции электронов при
осевом каналировании в кристалле
5.1 Уравнение Дирака в цилиндрических координатах
5.2 Цилиндрическая потенциальная яма
5.3 Приближенное решение уравнения Дирака для осевого каналирования электронов

5.4 Решение уравнения Дирака для потенциала типа
1/р
5.4.1 Надбарьерное движение
5.4.2 Связанные состояния
5.5 Двумерные волновые функции типа Зоммерфелъда

5.5.1 Надбарьерное движение
5.5.2 Связанные состояния
5.6 Учет периодичности кристаллической оси
6 Комбинационный эффект в когерентном типа Б фоторождение е+е~ пар
6.1 Сечение образования е+е~~ пары фотоном в поле оси кристалла
6.2 Сечение образования е+е_ пары фотоном в непрерывном потенциале оси
6.3 Асимметрия сечения относительно электрона и позитрона
6.4 Комбинационный эффект в когерентном типа Б фоторождение е+е~ пар
6.5 Модифицированная теория когерентного типа Б фоторождения е+е— пар кристалле
Заключение
Приложения
Приложение
Приложение 2
Приложение
Приложение
Библиография

- 1.23) для йсг/(Ю_сЮ+<й+ в кристалле и формула (1.27) для N(1а-1 /сЮ _(Ю+с1г+ в аморфной мишени. Кривые нормированы на максимум сечения для кристаллической мишени.
1.3 Увеличение яркости когерентного пика в условиях жесткой коллимации образованных электрона и позитрона
В реальном эксперименте можно лишь более или менее приблизиться к выполнению условия (1.14) в силу ограниченного углового и энергетического разрешения экспериментальной установки, которые ’’замывают” резкие когерентные максимумы. Одним из простейших способов приближения к ситуации, представленной на рис. 1.5 может быть регистрация пар с заданными значениями ж = е+Дд , вылетевшими под углами, меньшими некоторого фиксированного угла ©,„ (коллимация или корреляция импульсов е+е_ в конечном состоянии).
Для достаточно ” толстого” кристалла, когда число атомов оси N >> 1, интерференционный множитель /(дц), определяемый формулой (1.12) может быть представлен в виде суммы 6 -функций [1]:
5т2(1У дгцс?)
(")-
Выход е+е~ пар с энергией электрона и позитрона е+ с углами вылета 0± < 0га и углом А между осью кристалла и осью конуса детектирования образованных еГг~ пар находится интегрированием (1.11) по всем углам 0± < 0т.
Учитывая соотношение (1.13) и приближенное равенство
р{±) = (4 - т2)1/2 ~ е± (1 - 1/2у|) ; перепишем <5(дц — дп) в виде