Исследование вихревого состояния оксидных сверхпроводников методами микроволнового поглощения

• Автор: Таланов, Юрий Иванович
• Шифр специальности: 01.04.11
• Научная степень: Докторская
• Год защиты: 2000
• Место защиты: Казань
• Количество страниц: 222 с. : ил.

Содержание
Введение
1 Исследование распределения магнитного поля в плоском сверхпроводнике в критическом состоянии
1.1 Введение к Главе I
1.1.1 Вихревое состояние сверхпроводника II рода
1.1.2 Критическое состояние сверхпроводника
1.1.3 Плоский сверхпроводник в перпендикулярном магнитном поле
1.2 Расчет распределения поля в сверхпроводящей полосе конечной толщины
1.3 Метод подвижного спинового зонда
1.3.1 Способы исследования распределения поля
1.3.2 Идея метода подвижного спинового зонда
1.3.3 Конструкция устройства для перемещения спинового зонда
1.3.4 Особенности получения распределения локальных магнитных полей с помощью подвижного спинового зонда
1.4 Детали экспериментов
1.4.1 Геометрия эксперимента
1.4.2 Экспериментальная процедура
1.4.3 Образцы
1.5 Профиль магнитного потока в критическом состоянии. Экспериментальные результаты и обсуждение
1.6 Эффекты магнитной истории
1.7 Влияние транспортного тока на профиль магнитного поля
1.8 Основные результаты главы
2 Профиль магнитного потока при ослаблении объемного пиннинга. Краевой геометрический барьер
2.1 Введение к Главе II. Поверхностные и краевые барьеры
2.2 Исследование краевого барьера в кристаллах ВБгСа.СизОх
с помощью подвижного спинового зонда
2.3 Изменение профиля магнитного потока в кристаллах ШзЭг'гСаСигОх при усилении объемного пиннинга
2.4 Основные результаты главы
3 Исследование релаксации магнитного потока в оксидных сверхпроводниках
3.1 Введение к Главе III
3.1.1 Релаксация магнитного потока в сверхпроводнике
3.1.2 Поглощение микроволнового поля в высокотемпературных сверхпроводниках
3.2 Исследование релаксации магнитного потока в кристаллах УВа2СизОх с помощью микроволнового поглощения
3.3 Исследование релаксации магнитного потока с помощью ЭИР поверхностного слоя. Влияние изменений магнитного поля
3.4 Основные результаты главы
4 Исследование вихревой динамики в высокотемпературных сверхпроводниках

4.1 Введение к Главе IV. Особенности вихревой динамики в оксидных сверхпроводниках. Эффекты коллективного пиннинга
4.2 Коллективный характер крипа потока по данным микроволнового поглощения в монокристаллах YBa2CugÖx
4.2.1 Экспериментальная методика
4.2.2 Природа и особенности поведения сигнала МВП
4.2.3 Зависимость поглощения от величины микроволнового тока. Эффекты коллективного пиннинга
4.3 Поглощение микроволновой мощности в монокристаллах Т1.2Ва2СаСи20х
4.4 Исследование микроволнового поглощения в кристаллах Prj_yCey'Cu04
4.5 Исследование вихревой динамики путем регистрации гистерезисного микроволнового поглощения
4.5.1 Модель гистерезиса микроволнового поглощения
4.5.2 Детали эксперимента
4.5.3 Результаты экспериментов на кристаллах УВа2СнзОх
4.5.4 Фазовая диаграмма вихревой системы в YBa2Cu.gOx177
4.6 Гистерезис МВП в кристаллах Bi2Sr2CaCu2Ox
4.7 Основные результаты главы
Заключение
Благодарности
Список авторской литературы
Список цитированной литературы

На рисунках 1.4(а,б) показаны распределения іу(х) и В2(х), рассчитанные по выражениям (1.6) и (1.10) для нескольких значений отношения Ва/В). Важно отметить, что в тех областях полосы, в которые проникли вихри, плотность тока равна критической, как и в модели Бина; однако в области, свободной от вихрей, в отличие от биновской модели іу{х) ф 0, а плавно меняется от /с до проходя через 0 на линии ж = 0.
1.2 Расчет распределения поля в сверхпроводящей полосе конечной толщины
Если Ва > Bf , то область, свободная от вихрей, сжимается до размеров меньше глубины проникновения поля, а < Л, то есть практически отсутствует. По всему сечению полосы протекает ток, плотностью ]с. В этом случае распределение зу[х) очень напоминает биновское (Рис.1.2(с)). Однако Вг(х) существенно отличается от такового в биновской модели, как формой, так и величиной разности полей на краю и в центре полосы АВг (см. Рис.1.2(а) и Рис.1.4(6)).
Тот факт, что при Ва В[ распределение тока (1.6) сильно упрощается (участком |л'| < а/2 можно пренебречь) дает нам возможность проводить интегрирование в уравнении (1.9) по двум координатам х и г, и таким образом учесть реальную толщину полосы, а также проследить эволюцию распределения Вг(х) по мере ее утолщения. Результаты расчетов [А6] нормальной компоненты поля внутри сверхпроводящей полосы на плоскости г = 0 по выражению
для нескольких отношений А/о показаны на рисунке 1.5. Видно, что по

при распределении тока
(1.12)