Магнитные туннельные переходы на основе манганитов : магнитосопротивление, фотоэлектрический эффект, СВЧ детектирование

• Автор: Цикалов, Виталий Сергеевич
• Шифр специальности: 01.04.11
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2011
• Место защиты: Красноярск
• Количество страниц: 112 с. : ил.

Оглавление
ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА 1. ОСОБЕННОСТИ СПИН-ПОЛЯРИЗОВАННОГО ЭЛЕКТРОННОГО ТРАНСПОРТА В МАГНИТНЫХ ТУННЕЛЬНЫХ ПЕРЕХОДАХ НА ОСНОВЕ МАНГАНИТОВ
1.1. Магнитные туннельные переходы
1.1.1. «Классический» туннельный переход
1.1.2. Проводимость магнитного туннельного перехода; туннельное магнитосопротивление; модель Жульера
1.2. Магнитные туннельные переходы на основе манганитов
1.2.1. Материалы манганитов: основные свойства
1.2.2. Манганиты как материалы с высокой спиновой поляризацией
1.2.3. Магнитные туннельные контакты на основе манганитов
1.2.4. Использование туннельных контактов на основе манганитов
1.3.Кооперативные системы магнитных туннельных контактов
1.3.1. Ферромагнитные гранулированные материалы как кооперативные системы магнитных туннельных контактов
1.3.2. Гранулированные материалы на основе манганитов; микроструктура
1.3.3. Гранулированные материалы на основе манганитов; туннельное магнитосопротивление
1.4. Отклик МАГНИТНЫХ туннельных переходов на воздействие электромагнитного излучения СВЧ диапазона; детектирующие свойства магнитных туннельных контактов
1.4.1. Детектирующие свойства «классического» (немагнитного) туннельного перехода
1.4.2. Детектирующие свойства магнитного туннельного перехода
Выводы и постановка задачи
ГЛАВА 2. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЯ ТУННЕЛЬНЫХ СТРУКТУР. ПРИГОТОВЛЕНИЕ ОБРАЗЦОВ
2.1. Описание технологии получения образцов
2.1.1. Структура ферромагнитный металл/диэлектрик/ферромагнитный металл

2.1.2. Система с кооперативным ансамблем магнитных туннельных контактов
2.2. Экспериментальные методы исследования систем с магнитными ТУННЕЛЬНЫМИ ПЕРЕХОДАМИ
2.2.1. Основные экспериментальные методы для характеризации образцов
2.2.2. Установка для прецизионных исследований транспортных и магнитотранспортных свойств материалов и структур
2.2.3. Установка для исследования отклика систем на воздействие электромагнитного излучения СВЧ диапазона
Основные результаты
ГЛАВА 3. УПРАВЛЯЕМОЕ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ ТОКОВЫХ КАНАЛОВ В МАГНИТНОЙ ТУННЕЛЬНОЙ СТРУКТУРЕ
3.1. Эффект переключения токовых каналов в туннельной структуре в
ГЕОМЕТРИИ ТОК В ПЛОСКОСТИ; НЕЛИНЕЙНЫЕ ТРАНСПОРТНЫЕ СВОЙСТВА
3.1.1. Туннельная структура в геометрии ток в плоскости: сценарий поведения
3.1.2. Аппроксимация вольт-амперной характеристики туннельной структуры в геометрии ток в плоскости
3.2. ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ ТОКОВЫХ КАНАЛОВ, УПРАВЛЯЕМОЕ МАГНИТНЫМ ПОЛЕМ; МАГНИТОРЕЗИСТИВНЫЙ ЭФФЕКТ
3.3. Влияние оптического облучения на транспортные свойства
МАГНИТНОЙ ТУННЕЛЬНОЙ СТРУКТУРЫ НА ОСНОВЕ МАТЕРИАЛА МАНГАНИТА В
ГЕОМЕТРИИ ТОК В ПЛОСКОСТИ
Основные результаты
ГЛАВА 4. МАГНИТОЗАВИСИМЫЙ ЭФФЕКТ ДЕТЕКТИРОВАНИЯ СВЧ ИЗЛУЧЕНИЯ В КООПЕРАТИВНОЙ СИСТЕМЕ МАГНИТНЫХ ТУННЕЛЬНЫХ КОНТАКТОВ НА ОСНОВЕ МАТЕРИАЛА МАНГАНИТА
Магнитозависимый эффект детектирования в поликристаллическом
ЬАо.уСАо.зМиОз: ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ
4.1.1. Эффект детектирования СВЧ излучения в поликристаллическом ЬаодСао.зМпОз: зависимость от магнитного поля

4.1.2. Магнитозависимый эффект детектирования СВЧ излучения в поликристаллическом ЬаолСао зМпОз: зависимость от мощности СВЧ излучения
4.1.3. Магнитозависимый эффект детектирования СВЧ излучения в поликристаллическом ЬаодСао.зМпОз: зависимость от тока смещения
4.2. Магнитозависимый эффект детектирования в кооперативной
СИСТЕМЕ МАГНИТНЫХ ТУННЕЛЬНЫХ КОНТАКТОВ: МОДЕЛЬ
4.2.1. Эффект детектирования в кооперативной системе магнитных контактов; возможные вклады в эффект детектирования
4.2.2. Модель для магнитозависимого вклада в эффект детектирования СВЧ излучения
4.2.3. Магнитозависимый вклад в эффект детектирования: зависимость от мощности СВЧ излучения
4.2.4. Магнитозависимый вклад в эффект детектирования: зависимость от тока смещения
Основные результаты
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
ЛИТЕРАТУРА

исследования различных авторов показывают, что поликристаллические образцы манганитов, объемные и в пленочном исполнении, имеют искомую гранулированную микроструктуру[49;50;51]. Каждая проводящая ФМ гранула имеет ярко выраженный поверхностный слой, структура и свойства которого отличаются от объема гранулы. Считается, что поверхностный слой является неферромагнитным и обладает диэлектрическими свойствами. Толщина указанного граничного слоя составляет в зависимости от состава манганита и условий синтеза от 1 до 5 нм, поэтому, если гранулы в образце соприкасаются, граничные слои гранул играют роль туннельного барьера между проводящими гранулами, и в области контакта образуется магнитный туннельный переход, Рис. 9. Сопротивление такого перехода зависит от взаимной ориентации
намагниченностей гранул >«! иш(в области контакта
-т.хщ] |
Рис. 9 - Рисунок, поясняющий формирование магнитных туннельных переходов в поликристаллическом образце манганита