Особенности магнитных, магнитоупругих, электрических, гальваномагнитных и оптических свойств La1-x Sr x MnO3 и Eu1-x A xMnO3 (A=Ca, Sr), вызванные сильным s-d обменом

• Автор: Демин, Роман Владимирович
• Шифр специальности: 01.04.11
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2000
• Место защиты: Москва
• Количество страниц: 113 с. : ил.

ОГЛАВЛЕНИЕ
ВВЕДЕНИЕ

Глава 1 .ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР

1 .Кристаллическая структура манганитов

2.Магнитные и электрические свойства манганитов

3.Оптические свойства манганитов

4.Тепловое расширение и магнитострикция в

Lao.66Yo.o7Cao.ззMnOз

5.Электронное разделение фаз

б.Свойства тонких пленок Ьа1.х8гхМпОз (В = Ва, Бг)

Глава 2. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ МЕТОДИКИ

1 .Измерение намагниченности
1.1 .Баллистический метод
1,2.Вибрационный магнитометр
2.Измерение парамагнитной восприимчивости
3.Измерение электросопротивления
4.Измерение магнитострикции и теплового расширения
5.Определение спектров поглощения методом диффузного отражения
5.1 .Соотношение Крамерса - Кронига и
применимость его к диффузному отражению
5.2.Описание установки для измерения
коэффициента диффузного отражения
5.3.Численная обработка спектров диффузного отражения
6.Получение образцов
Глава 3.ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ИХ ОБСУЖДЕНИЕ
1.Магнитные и электрические свойства Ьа1.х8гхМпОз
2Магнитострикция и тепловое расширение Ьа1.х8гхМп03 74 3.Оптические свойства Ьа1_х8гхМпОз
4.Магнитные и электрические свойства системы
Ей]хАхМп03(А=Са, Бг; х=0, 0.3)
5.Магнитные и электрические свойства тонких пленок Еа,_х8гхМп03
ВЫВОДЫ
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

ВВЕДЕНИЕ
Исследователи всего мира уделяют большое внимание материалам с колоссальным магнитосопротивлением. Такие материалы могут быть использованы в микроэлектронике. Например, для надежного хранения информации, создания головок магнитной записи, датчиков и т.д. Основные работы в этой области ведутся в двух направлениях : 1) исследование многослойных магнитных пленок и гранулированных магнитных систем ; 2) исследование веществ, относящихся к классу магнитных полупроводников (МП), т.е. веществ с ярко выраженным магнитным порядком и полупроводниковым характером проводимости. Чтобы показать различие магни-тосопротивления в магнитных полупроводниках и магнитных пленках в работе [1] были предложены термины: для первых - колоссальное магнитосопротивление (КМС), а для вторых - гигантское магнитосопротивление (ГМС).
Типичной многослойной системой является чередующиеся слои FM материала, например Fe или Со, и слои нормального металла Си .Толщина этих слоев порядка периода осцилляции РККИ взаимодействия. Вследствие этого, намагниченности соседних магнитных слоев противоположно направлены. Отрицательное магнитосопротивление возникает из-за того, что магнитное поле ориентирует моменты слоев вдоль поля, это облегчает переход носителей заряда между слоями. Магнитосопротивление в этих материалах насыщается в поле порядка десятых тесла. Наибольшее значение 5ц= [р(Н)-р(0)]/р(Н) было найдено в пленках Fe-Cr при 4.2 К в поле Н - 6 Т : оно составляет -150% [2].
В магнитных полупроводниках достигается колоссальное магнитосопротивление (КМС), на много порядков превосходящее

Рис. 11.Установка для измерения намагниченности образцов в гелии.
1 - азотная рубашка;
2 - гелиевый дьюар;
3 - сверхпроводящий соленоид;
4 - вставка с измерительной катушкой;
5 - образец на стержне.