Центры рекомбинации в нелегированном и сильно легированном акцепторами эпитаксильном GaAs
- Автор:
Шарирзаев, Тимур Сезгирович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
1998
- Место защиты:
Новосибирск
- Количество страниц:
142 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Исследование электронных и магнитных свойств многокомпонентного магнитного полупроводника CuFeS2 | Хабибуллин, Илдар Хайдарович | 2009 |
| Полупроводящие модифицированные структуры на основе углеродных нанотрубок | Запороцкий Павел Александрович | 2016 |
| Электронная структура дефектов в оксиде и нитриде кремния | Новиков, Юрий Николаевич | 2000 |