Центры рекомбинации в нелегированном и сильно легированном акцепторами эпитаксильном GaAs
- Автор:
Шарирзаев, Тимур Сезгирович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
1998
- Место защиты:
Новосибирск
- Количество страниц:
142 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Эффекты пространственной дисперсии в полупроводниковых гетероструктурах | Котова, Любовь Викторовна | 2019 |
| Влияние молекулярного окружения кремниевых нанокристаллов на их фотолюминесцентные свойства | Рябчиков, Юрий Витальевич | 2007 |
| Стимулирование синтеза диэлектрических слоев в кремнии дальнодействующим ионным облучением | Марков, Кирилл Александрович | 2002 |