Центры рекомбинации в нелегированном и сильно легированном акцепторами эпитаксильном GaAs
- Автор:
Шарирзаев, Тимур Сезгирович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
1998
- Место защиты:
Новосибирск
- Количество страниц:
142 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Гетероструктуры в системе твердых растворов InGaAsP и лазеры на их основе | Тарасов, Илья Сергеевич | 2002 |
| Атомная структура и электронные свойства границы раздела GaAs(100)-(Cs, O) | Терещенко, Олег Евгеньевич | 1999 |
| Электрофизические свойства кремниевых МДП-структур с оксидами гадолиния, иттербия, лютеция и самария в качестве диэлектрика | Бережной, Игорь Геннадьевич | 1999 |