Центры рекомбинации в нелегированном и сильно легированном акцепторами эпитаксильном GaAs
- Автор:
Шарирзаев, Тимур Сезгирович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
1998
- Место защиты:
Новосибирск
- Количество страниц:
142 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Центры рекомбинации в нелегированном и сильно легированном акцепторами эпитаксильном GaAs», автор — Шарирзаев, Тимур Сезгирович, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 01.04.10. Работа подготовлена в городе Новосибирск в 1998 году. Объем работы: 142 с. : ил.. Внутренний код товара: 01000197649. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Оптические, электрические и фотоэлектрические свойства нанокристаллического оксида индия | Форш, Екатерина Александровна | 2013 |
| Развитие метода эффективной массы для анализа электронных состояний в полупроводниковых гетероструктурах | Кравченко, Константин Олегович | 1999 |
| Моделирование электронного транспорта в полупроводниковых гетероструктурах с туннельно-связанными квантовыми ямами | Бирюлин, Павел Игоревич | 1999 |