Исследование двумеризации носителей заряда на поверхности полупроводников при комнатных температурах
- Автор:
Иванкив, Игорь Михайлович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
1999
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
126 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Исследование двумеризации носителей заряда на поверхности полупроводников при комнатных температурах», автор — Иванкив, Игорь Михайлович, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 01.04.10. Работа подготовлена в городе Санкт-Петербург в 1999 году. Объем работы: 126 с. : ил.. Внутренний код товара: 01000212210. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Гетероструктуры для светодиодов видимого диапазона и транзисторов с высокой подвижностью электронов на основе квантоворазмерных слоев InGaN, InAlN и короткопериодных сверхрешеток InGaN/GaN | Усов, Сергей Олегович | 2016 |
| Влияние возбужденных и волноводных энергетических состояний на характеристики лазеров с квантоворазмерной активной областью | Зубов, Федор Иванович | 2013 |
| Измерение модуля упругости высокотемпературных полупроводниковых материалов и других твердых тел методом сканирующей силовой микроскопии | Усеинов, Алексей Серверович | 2004 |