Исследование двумеризации носителей заряда на поверхности полупроводников при комнатных температурах
- Автор:
Иванкив, Игорь Михайлович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
1999
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
126 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Локализация и баллистический транспорт носителей тока в кремниевых наноструктурах | Буравлев, Алексей Дмитриевич | 2002 |
| Особенности излучательной рекомбинации низкоразмерных гетероструктур InGaAs/AlGaAs и GaAs/AlGaAs | Кудряшов, Игорь Вениаминович | 2000 |
| Эффект поля, зарядовые состояния и ИК фотопроводимость в гетероструктурах на основе Si с квантовыми точками Ge | Кириенко, Виктор Владимирович | 2011 |