Диэлектрические потери в щелочно-галоидных кристаллах с дислокациями в килогерцевом диапазоне

• Автор: Рыбянец, Валерий Александрович
• Шифр специальности: 01.04.10
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 1984
• Место защиты: Новокузнецк
• Количество страниц: 187 c. : ил

Актуальность работы .

Научная новизна

На защиту выносятся

I. Дефекты кристаллической структуры и их взаимодействие в щелочно-галоидных кристаллах

1.1. Точечные дефекты

1.1.1. Дефекты по Шоттки и Френкелю в щелочно-галоидных кристаллах

1.1.2. Ионная проводимость ЩГК

1.1.3. Комплексы " анмонная вакансия - катионная вакансия

1.1.4. Комплексы " двухвалентная катионная примесь - катионная вакансия "

1.1.5. Ассоциаты дипольных комплексов

1.2. Дислокации и их взаимодействие с точечными дефектами

1.2.1. Дислокации в щелочно-галоидных кристаллах
1.2.2. Подвижность дислокаций
1.2.3. Локальные барьеры для движения дислокаций
1.2.4. Взаимодействие дислокаций с дипольными комплексами
1.3. Методы исследования дефектов кристаллической решетки щелочно-галоидных кристаллов
1.3.1. Метод диэлектрических потерь
1.3.2. Методы исследования точечных дефектов
1.3.3. Методы исследования дислокаций
1.4. Постановка задачи и обоснование методики исследования

П. Диэлектрические потери при пластической деформации б ЩГК . '
2.1. Диэлектрические потери в процессе активного нагружения образца
271.1. Экспериментальная установка
2.1.2. Кинетические кривые ^ 3 при активном нагружении образца
2.2. Диэлектрические потери в процессе релаксации напряжений .
2.2.1. Методика выполнения работы
2.2.2. Кинетические и частотные кривые ^ 5 в процессе релаксации напряжений
2.2.3. Безактивационное разрезание тримеров
2.2.4. Анализ движения дислокаций на фазовой плоскости
2.2.5. Анализ изменения ЦП при активном нагружении кристалла
2.3. Диэлектрические потери в ЩГК при учете однородного упругого поля напряжений
2.3.1. Расчет и Ууов- в приближении однородного упругого поля напряжений
2.3.2. Выводы к главе П
Ш. Диэлектрические потери в ЩГК при деформации их
сосредоточенной нагрузкой
3.1. Дислокационные розетки в щелочно-галоидных крис-тзллах •»••••••
3.2. Экспериментальная часть
3.3. Кинетические кривые ^ Д(Ь) после локального нагружения
3.4. Частотная зависимость изменения диэлектрических потерь при различном числе введенных дислокаций

3.5. Диэлектрические потери при постоянном числе вводимых дислокаций
IV. Диэлектрические потери в щелочно-галоидных кристаллах с дислокациями
4.1. Постановка задачи
4.2.' Кинетические уравнения и их решение
4.3. Диэлектрические потери в кристалле с винтовой дислокацией . . . .
4.4. Диэлектрические потери в кристалле с заданной плотностью дислокаций
4.5. Изменение корреляционного множителя / при пластической деформации кристаллов
V. Агрегация диполей в щелочно-галоидных кристаллах в переменных полях . .
5.1. Экспериментальная установка и методика приготовления образцов
5.2. Частотная зависимость изменения диэлектрических потерь при предварительной выдержке образцов в пере -менном электрическом поле к . . .
5.3. Кинетические кривые изменения
выдержке в
переменном электрическом поле
выводы
Приложение
Литература

о-О
<=Г0
30 60 90 120
I, С
Рис. 2.3. Изменение щИИ) отожженных кристаллов при пластической деформации образца до = 0,02 ( V соответствует моменту прекращения активного нагружения,
I- ка:[а2+, 2- Ш*Са8+).