Эпитаксиальные слои GaN и многослойные гетероструктуры GaN/AlGaN. Разработка технологии выращивания и исследование свойств
- Автор:
Лундин, Всеволод Владимирович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
1998
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
152 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Эпитаксиальные слои GaN и многослойные гетероструктуры GaN/AlGaN. Разработка технологии выращивания и исследование свойств», автор — Лундин, Всеволод Владимирович, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 01.04.10. Работа подготовлена в городе Санкт-Петербург в 1998 году. Объем работы: 152 с. : ил.. Внутренний код товара: 01000196908. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Синтез III-N микро- и наноструктур методом МОГФЭ на подложках сапфира и кремния | Рожавская, Мария Михайловна | 2014 |
| Разработка методики и изучение ультраакустических свойств расплавов полуметаллов и полупроводников | Ким Сен Гук, 0 | 1985 |
| Функциональные характеристики элементов энергонезависимой памяти на основе халькогенидных полупроводников | Савинов, Иван Сергеевич | 2006 |