Эпитаксиальные слои GaN и многослойные гетероструктуры GaN/AlGaN. Разработка технологии выращивания и исследование свойств
- Автор:
Лундин, Всеволод Владимирович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
1998
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
152 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Исследование экситонных спектров поглощения в полупроводниковых кристаллах с учетом ангармонизма фононов | Шепета, Александр Макарович | 1984 |
| Моделирование и экспериментальное исследование преципитации кислорода в кремнии | Приходько, Олег Владимирович | 2001 |
| Влияние электронного облучения и термообработки на электрические и оптические свойства кристаллов фосфида индия, легированного 3d -элементами | Нгуен, Туан Ханг | 1985 |