Фотоэлектрические и яркостные характеристики структур GaAs-ZnS для твердотельных преобразователей изображений
- Автор:
Яскевич, Тамара Михайловна
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2013
- Место защиты:
Томск
- Количество страниц:
150 с. : ил.
Стоимость:
700 р.499 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Влияние электрического поля на процессы формирования низкочастотного шума в барьерах Шоттки | Кострюков, Сергей Анатольевич | 2007 |
| Термодинамика образования дефектов в полупроводниках с учетом кластеризации в жидкой и газовой фазах | Львов, Павел Евгеньевич | 2001 |
| Брэгговское отражение поверхостных акустических волн Рэлея от ограниченной периодической системы неровностей на поверхности упругого тела | Алякна, Юстинас Юстинович | 1984 |