Фотоэлектрические и яркостные характеристики структур GaAs-ZnS для твердотельных преобразователей изображений
- Автор:
Яскевич, Тамара Михайловна
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2013
- Место защиты:
Томск
- Количество страниц:
150 с. : ил.
Стоимость:
700 р.499 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Акустоэлектронное детектирование и усиление сигналов в знакопеременном электрическом поле | Боритко, Сергей Викторович | 1984 |
| Диагностика квантовых ям в системе (In, Ga)As/GaAs методом стационарной емкостной спектроскопии | Цвелев, Егор Олегович | 2003 |
| Радиационно-физические процессы в облученных нейтронами полупроводниковых соединениях антимонида и фосфида индия | Меркурисов, Денис Игоревич | 2003 |