Фотоэлектрические и яркостные характеристики структур GaAs-ZnS для твердотельных преобразователей изображений
- Автор:
Яскевич, Тамара Михайловна
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2013
- Место защиты:
Томск
- Количество страниц:
150 с. : ил.
Стоимость:
700 р.499 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Полупроводниковые наноструктуры CdSe/ZnSe, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии: самоформирование, свойства и применение в оптоэлектронике | Седова, Ирина Владимировна | 2006 |
| Динамические характеристики полупроводниковых лазеров на основе квантовых точек | Колыхалова, Екатерина Дмитриевна | 2016 |
| Свойства горячих электронов в квантовых ямах и сверхрешетках GaAs/Al x Ga1-x As | Акимов, Илья Андреевич | 2000 |