Фотоэлектрические и яркостные характеристики структур GaAs-ZnS для твердотельных преобразователей изображений
- Автор:
Яскевич, Тамара Михайловна
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2013
- Место защиты:
Томск
- Количество страниц:
150 с. : ил.
Стоимость:
700 р.499 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Фотоэлектрические и яркостные характеристики структур GaAs-ZnS для твердотельных преобразователей изображений», автор — Яскевич, Тамара Михайловна, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 01.04.10. Работа подготовлена в городе Томск в 2013 году. Объем работы: 150 с. : ил.. Внутренний код товара: 01006761055. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Моделирование роста атомно-тонких пленок на подложках со сложной морфологией | Зверев, Алексей Викторович | 2006 |
| Электронная микроскопия полупроводниковых структур с наноразмерными включениями | Мусихин, Юрий Геннадьевич | 2000 |
| Методы управления фотоэлектрическими параметрами фоторезисторов на основе PbS для импульсных оптикоэлектронных систем | Мирошников, Борис Николаевич | 2016 |