Захват свободных носителей заряда на глубокие уровни в слоях объёмного заряда арсенида галлия

• Автор: Речкунов, Сергей Николаевич
• Шифр специальности: 01.04.10
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2011
• Место защиты: Новосибирск
• Количество страниц: 168 с. : ил.

СОДЕРЖАНИЕ
ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА 1. Физические основы релаксационных методов исследования глубоких уровней в полупроводниках. Разработка спектрометра глубоких уровней.
§1.1. Феноменологические характеристики глубоких уровней.
§ 1.2. Методы релаксационной спектроскопии объёмного заряда.
§1.3. Ёмкостные методы релаксационной спектроскопии.
§1.4. Определение спектра глубоких уровней методом ОЬТ8.
§1.5. Разработка низкочастотной ёмкостной установки РСГУ.
§1.6. Результаты и выводы.
ГЛАВА 2. Экспериментальное исследование захвата электронов и дырок на глубокие уровни в СаАя в присутствии сильного электрического поля.
§2.1. Механизмы влияния электрического поля на захват.
§2.2. Объекты и задачи экспериментального исследования.
§2.3. Методика измерения сечений захвата на ГУ в электрическом поле.
§2.4. Приготовление и характеризация образцов. Техника эксперимента.
§2.5. Эксперименгальные результаты.
2.5.1. Захват дырок и электронов на глубокий уровень ЕЬ2.
2.5.2. Захват дырок и электронов на глубокие уровни А, В, Ге.
2.5.3. Полевая и концен грационная зависимость сечения захвата электронов на глубокий уровень Ге в области обеднения.
§2.6. Результаты и выводы.
ГЛАВА 3. Роль глубоких уровней и процессов захвата в полевых СаАэ приборах. Разработка метода и установки для неразрушающей диагностики многослойных
приборных структур арсенида галлия для ПТШ и ИС.
§3.1. Роль глубоких уровней в арсенидгаллиевых структурах для ПТШ и ИС.
§3.2. Экспериментальное исследование эпитаксиальных МОСУТ) структур арсенида галлия, предназначенных для серийного производства ПТШ и ИС.
§3.3. Влияние качества буферного слоя на характеристики СаАэ ПТШ.
§3.4. Методика диагностики глубоких уровней в области границы раздела плёнка-подложка в СаАв структурах для ПТШ и ИС.
§3.5. Измерение релаксации проводимости тонкоплёночной структуры на СВЧ.
§3.6. Разработка опытной установки для неразрушающей диагностики тонкоплёночных полупроводниковых структур. Практические применения.
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
Список цитируемой литературы

СПИСОК СОКРАЩЕНИЙ
АГП - арсенид галлия полуизолируюгций
АС - активный слой многослойных структур
БС - буферный слой многослойных структур
БШ - барьер Шоттки (контакт металл-полупроводник)
ГУ - глубокий уровень
ЖФЭ - жидкофазная эпитаксия
ИС - интегральная схема
КНС - структура кремний-на-сапфире
МЛЭ - молекулярно-лучевая эпитаксия
МЭС - многослойная эпитаксиальная структура
НЧ - низкая частота
ОПЗ - область пространственного заряда
ПТШ - полевой транзистор с затвором Шоттки
РСГУ - релаксационная спектроскопия глубоких уровней
СВЧ - сверхвысокая частота
ФП - фотопроводимость
ЭБУ - эффект бокового управления
ЭОУ - эффект обратного управления
DLTS - Deep Level Transient Spectroscopy
HEMT - High Electron Mobility Transistor
MOCVD - Metal-Organic Compounds Vapor Deposition

С Р* гЧЬсінзф

1 + (со сяу

Рис.1.3. Эквивалентные схемы диодного образца и импеданса замещения (а); (б) - зависимость измеряемой ёмкости диода С* от ёмкости слоя обеднения С для образца с последовательным сопротивлением Я, пунктиром обозначено С*=С (при 11=0), со - круговая частота тестирующего сигнала.