Захват свободных носителей заряда на глубокие уровни в слоях объёмного заряда арсенида галлия
- Автор:
Речкунов, Сергей Николаевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2011
- Место защиты:
Новосибирск
- Количество страниц:
168 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Эффекты структурной неустойчивости узкощелевых полупроводников Pb1-xMexS и Pb1-xMexTe (Me - Mn, Gd) с неоднородным распределением марганца и гадолиния | Зайнуллин Радик Рустэмович | 2015 |
| Дефектообразование в структурах Si-SiO2 в процессе полевого воздействия | Мустафа Назар Селман | 1999 |
| Структурные и оптические свойства нанокластеров кремния в матрице субоксида кремния | Маслова, Наталья Евгеньевна | 2010 |