Захват свободных носителей заряда на глубокие уровни в слоях объёмного заряда арсенида галлия
- Автор:
Речкунов, Сергей Николаевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2011
- Место защиты:
Новосибирск
- Количество страниц:
168 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Захват свободных носителей заряда на глубокие уровни в слоях объёмного заряда арсенида галлия», автор — Речкунов, Сергей Николаевич, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 01.04.10. Работа подготовлена в городе Новосибирск в 2011 году. Объем работы: 168 с. : ил.. Внутренний код товара: 01004993919. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Исследование эпитаксиальных слоев GaAs и одиночных квантовых ям (In, Ga)As/GaAs методами фото- и электроотражения | Комков, Олег Сергеевич | 2006 |
| Формирование нанокластеров кремния в диоксиде кремния под воздействием электронного пучка | Колесникова, Екатерина Владимировна | 2009 |
| Моделирование дисперсионного переноса в полупроводниках на основе уравнений с производными дробного порядка | Сибатов, Ренат Тимергалиевич | 2007 |