Захват свободных носителей заряда на глубокие уровни в слоях объёмного заряда арсенида галлия
- Автор:
Речкунов, Сергей Николаевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2011
- Место защиты:
Новосибирск
- Количество страниц:
168 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Низкоразмерные плазменные возбуждения в полупроводниковых туннельных структурах | Фейгинов, Михаил Наумович | 1999 |
| Генерационно-рекомбинационные процессы в кремниевых лавинных диодах | Кузьмин, Виталий Вячеславович | 2002 |
| Оптические и электрические свойства систем, содержащих ансамбли кремниевых нанокристаллов | Форш, Павел Анатольевич | 2014 |