Захват свободных носителей заряда на глубокие уровни в слоях объёмного заряда арсенида галлия
- Автор:
Речкунов, Сергей Николаевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2011
- Место защиты:
Новосибирск
- Количество страниц:
168 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Рекомбинационные процессы в структурах на основе твердого раствора InGaN | Потанахина, Любовь Николаевна | 2006 |
| Механизм и условия формирования скрытых слоев монокристаллической фазы дисилицида кобальта в кремнии в процессе ионно-лучевого синтеза | Боженов, Александр Вячеславович | 2001 |
| Рекомбинационные процессы в области пространственного заряда p-n-переходов | Лакалин, Александр Вячеславович | 1999 |