Захват свободных носителей заряда на глубокие уровни в слоях объёмного заряда арсенида галлия
- Автор:
Речкунов, Сергей Николаевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2011
- Место защиты:
Новосибирск
- Количество страниц:
168 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Оптические и фотоэлектрические свойства микрокристаллического гидрированного кремния | Форш, Павел Анатольевич | 2003 |
| Влияние молекулярного окружения кремниевых нанокристаллов на их фотолюминесцентные свойства | Рябчиков, Юрий Витальевич | 2007 |
| Дефектообразование в кремнии при облучении альфа-частицами с энергией 5,4 МэВ | Скаляух, Ольга Вячеславовна | 2005 |