Эффекты переключения мод в AlGaAs/InGaAs/GaAs полупроводниковых лазерах и интегрально-оптические модуляторы мощного излучения на их основе
- Автор:
Подоскин, Александр Александрович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2012
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
145 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Исследование самоорганизации структуры поверхности неупорядоченных полупроводниковых материалов | Авачева, Татьяна Геннадиевна | 2009 |
| Электрофизические и излучательные процессы в пленочных электролюминесцентных структурах на основе сульфида цинка | Сабитов, Олег Юрьевич | 2009 |
| Исследование фотолюминесценции легированных композитных пленок PbSe и твердых растворов Pb1-xCdxSe | Тропина, Наталья Эдуардовна | 2013 |