Эффекты переключения мод в AlGaAs/InGaAs/GaAs полупроводниковых лазерах и интегрально-оптические модуляторы мощного излучения на их основе
- Автор:
Подоскин, Александр Александрович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2012
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
145 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Перестраиваемые ИК-лазеры на основе InAs и его твердых растворов | Ременный, Максим Анатольевич | 1998 |
| Эффекты низкоэнергетического ионного воздействия при эпитаксии Ge на Si | Смагина, Жанна Викторовна | 2008 |
| Формирование и оптические свойства наноструктур на основе IN-содержащих полупроводниковых соединений А3-В5 с выводящими излучение брэгговскими элементами | Усикова, Анна Александровна | 2011 |