Халькогениды элементов четвертой группы : Получение, исследование и применение

• Автор: Бестаев, Мэлс Васильевич
• Шифр специальности: 01.04.10
• Научная степень: Докторская
• Год защиты: 1999
• Место защиты: Санкт-Петербург
• Количество страниц: 266 с.

ОГЛАВЛЕНИЕ
ВВЕДЕНИЕ
РАЗРАБОТКА МЕТОДА ВЫРАЩИВАНИЯ ВЫСОКОКАЧЕСТВЕННЫХ ОГРАНЕННЫХ
МОНОКРИСТАЛЛОВ
1.1. Анализ причин деградации инжекционных лазеров на основе соединений и твердых растворов АЧВ6
1.2. Природа образования преципитатов в процессе термоцикли-рования
1.3. Выращивание монокристаллов соединений и твердых растворов А4В6
1.4. Влияние механических операций обработки на структурное качество кристаллов
1.5. Новый способ получения управляемого количества монокристаллов малых размеров с естественной огранкой
1.5.1. Конструкция реактора
1.5.2. Синтез исходной загрузки
1.5.3. Подготовка шихты для выращивания кристаллов из
паровой фазы
1.5.4. Моделирование массопереноса в запаянной ампуле
1.5.5. Кристаллизация РЬ]_х5пхТе из паровой фазы методом двухкамерного реактора
1.5.6. Рост ограненных монокристаллов РЬТе, легированных
таллием и галлием в процессе роста
1.5.7. Математическая модель расчета для прогнозирования числа
выращиваемых кристаллов в зависимости от условий роста
Выводы

2. АНАЛИЗ СТРУКТУРНОГО СОВЕШЕНСТВА ОГРАНЕННЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВ А4Вб
2.1. Исследование структурного совершенства монокристаллов РЬ1_х8пх8е рентгендифракционными методами
2.2. Результаты анализа по методу 0/20 - сканирования
2.3. Исследование совершенства выращенных монокристаллов
в режиме со-сканирования
2.4. Определение количественных параметров, характеризующих структурное совершенство
2.5. Электронно-зондовые исследования структурного
совершенства кристаллов методом псевдокосселя
2.6. Анализ плотности дислокаций методом
электролитического травления
2.7. Атомно-силовая микроскопия монокристаллов
РЬЗпхБе
2.8. Достоинства и недостатки термозондового метода
2.9. Разработка нестационарного термозондового метода
2.10. Разработка программы расчета зависимости коэффициента термоЭДС от концентрации носителей заряда
2.10.1. Описание программы
2.10.2. Программа расчета зависимости коэффициента термоЭДС от концентрации носителей заряда в Кейновском приближении
2.10.3. Учет смешаного механизма рассеяния
2.10.4. Программа расчета зависимости коэффициента термоЭДС
от концентрации носителей заряда в приближении Диммока
2.11. Изучение однородности твердых растворов (РЬ1„х8пх)1.у8еу методом внутреннего трения
2.12. Оценка состава поверхности монокристаллов

халькогенидов свинца-олова
Выводы
3. АНАЛИЗ ДИФФУЗИОННЫХ ПРОЦЕССОВ
ЗЛ. Диффузия примесей в теллуриде свинца
3.2. Диффузия Бп в РЬТе
3.3. Диффузия германия, сурьмы и таллия в РЬ1_х8пхТе
3.4. Диффузия кадмия, цинка и серебра в халькогенидах свинца-олова
3.5. Диффузия свинца в теллурид олова
3.6. Свойства легированных твердых растворов теллуридов свинца-олова
3.7. Диффузия примесей в твердый раствор РЬоПодТе
3.7.1. Диффузия Сс1, Ъл вРЬоБподТе
3.7.2. Зависимость диффузионных параметров 1п в РЬодБподТе от концентрации собственных электрически активных дефектов исходных кристаллов
3.8. Диффузия гремания в РЬоПодТе
Выводы
4. СВОЙСТВА ИНЖЕКЦИОННЫХ ЛАЗЕРОВ И ИХ ТЕХНИЧЕСКОЕ ПРИМЕНЕНИЕ
4.1. Исследование фотолюминесценции в ограненных монокристаллах
4.2. Механическая подготовка поверхности монокристалла
4.3. Электрохимическая обработка поверхности и ее анализ
4.4. Инжекционные лазеры на РЬ1-х8пх8е
4.5. Инжекционные лазеры на РЬоподТе
Выводы

Рис.1.7. Схема устройства для вытягивания кристаллов из расплава.