Халькогениды элементов четвертой группы : Получение, исследование и применение
- Автор:
Бестаев, Мэлс Васильевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Докторская
- Год защиты:
1999
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
266 с.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Оптические исследования точечных дефектов в ионно-имплантированном GaAs и GaAs, полученном низкотемпературной молекулярно-лучевой эпитаксией | Куницын, Александр Евгеньевич | 2002 |
| Анализ генерационно-рекомбинационных и туннельно-рекомбинационных процессов в областях пространственного заряда сложных полупроводниковых структур по экспериментальным вольтамперным характеристикам | Ермаков, Михаил Сергеевич | 2013 |
| Формирование и свойства наногетероструктур на основе кремния и дисилицида железа | Чусовитин, Евгений Анатольевич | 2009 |