Фотолюминесценция горячих электронов и комбинационное рассеяние света в структурах с квантовыми ямами CaAs/AlAs

• Автор: Сапега, Виктор Федорович
• Шифр специальности: 01.04.10
• Научная степень: Докторская
• Год защиты: 1998
• Место защиты: Санкт-Петербург
• Количество страниц: 263 с. : ил.

Оглавление
Введение
1 Фотолюминесценция горячих электронов в структурах с квантовыми ямами
1.1 Введение: Фотолюминесценция горячих электронов в объемных полупроводниках А3В5
1.1.1 Спектры горячей фотолюминесценции в объемных полупроводниках А3В5
1.1.2 Поляризационные характеристики спектров горячей фотолюминесценции объемных полупроводников А3В5
1.1.3 Поляризационные характеристики ГФЛ объемных полупроводников в магнитном поле
1.2 Спектроскопия горячих электронов в СКЯ СаАз/АІАє
1.2.1 Электронный и колебательные спектры СКЯ
1.2.2 Поляризация ГФЛ в СКЯ
1.2.3 Исследование 2Б-квази-ЗП перехода методами поляризованной ГФЛ
1.3 Электрон-фононное взаимодействие в СКЯ и СР
1.3.1 Электрон-фононное взаимодействие в СКЯ
1.3.2 Электрон-фононное взаимодействие в СР
2 Обусловленное нарушением закона сохранения импульса резонансное рассеяние света на акустических фононах в структурах с квантовыми ямами СаАз/АІАв
2.1 Введение: Раманновское рассеяние света на акустических фононах в СКЯ
2.2 Резонансное рассеяние света на акустических фононах в сильном магнитном поле в СКЯ СаАь/АІАз
2.3 Изучение электронной структуры СКЯ методом резонансного рассеяния света на акустических фононах в магнитном поле
2.4 Изучение локализации Ванье-Штарка в СР методом резонансного рассеяния света на акустических фононах
Рассеяние света с переворотом спина в структурах с квантовыми ямами СаАв/АЬАз
3.1 Рассеяние света с переворотом спина экситона, локализованного на нейтральном акцепторе
3.2 Рассеяние света с переворотом спина экситона, локализованного на несовершенствах интерфейсов СКЯ
Заключение
Прилжения:
А Техника эксперимента: Экспериментальная установка.
Оптическая и электронная схемы эксперимента
Литература

Введение
Последние четверть века физика низкоразмерных полупроводниковых структур является наиболее бурно развивающейся областью физики твердого тела. Это развитие было обусловлено как потребностью микроэлектроники в миниатюризации и повышении быстродействия электронных приборов так и уникальными возможностями новой технологии - молекулярно-пучковой эпитаксии, позволяющей выращивать полупроводниковые наноструктуры с заранее заданными свойствами. Особенно интерес к низкоразмерным структурам возрос после того, как Есаки 1 и Цу в 1970 году предложили использовать искуственно созданные периодические полупроводниковые структуры с квантовыми ямами для создания новых приборов на основе блоховских осцилляций, а новая технология позволила реализовать эту идею.
Дальнейшие успехи физики низкоразмерных структур связаны с открытием К. фон Клитцингом 2 в 1980 г. квантового эффекта Холла, позволившего создать эталон холловского сопротивления с абсолютной точностью ~ 10~7.
Последние почти десять лет развитие физики наноструктур шло по пути создания систем с размерностью меньше, чем 2Б, а именно Ш (квантовые проволоки) и затем ОБ (квантовые точки). Необходимость исследования систем с пониженной размерностью обусловлена как практическим так и теоретическим интересом. С практической точки зрения изучение таких систем позволяет уменьшить размеры, повысить степень интеграции и увеличить быстродействие полупроводниковых элементов микроэлектроники. Понижение размерности полупроводниковых структур позволило создать лазерные системы с пониженным порогом инжек-ционных токов и возможностью изменения длины волны генерации за счет эффектов размерного квантования носителей тока. С точки зрения фундаментальной науки, изучение низкоразмерных структур позволяет
'Нобелевская премия по физике 1973 г.
2Нобелевская премия по физике 1985 г.

6x10

Д 4хЮ|:

(А.)

е (еУ)
Рис. 1.11: Зависимость вероятности рассеяния от энергии электрона єо- Пунктирная линия на (а) расчет с параметрами Лрд, Бгх, АрАгх из таблицы 1.1. Точки на (а) и (Ъ) экспериментальные данные, стрелки отмечают положения соответствующих боковых долин. Из [18, 25, 27].