Разработка и исследование молекулярно-лучевой эпитаксии наноструктур ZnCdSeS/GaAs из металлорганических соединений

• Автор: Осинский, Андрей Владимирович
• Шифр специальности: 01.04.10
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 1998
• Место защиты: Санкт-Петербург
• Количество страниц: 135 с. : ил.

ОГЛАВЛЕНИЕ
Аннотация
Введение. Задачи исследований
Глава 1. Молекулярно лучевая эпитаксия гетероструктур 7п8еЛЗаА5/ Ч
1.1 Особенности конструкций системы для молекулярно лучевой эпитаксии из металлов и металлоорганических соединений
1.2 Разработка технологии МЛЭ: начальная подготовка
поверхности, влияние соотношения потоков, роль температуры подложки
1.3 Исследование дефектообразования в напряженных и релаксировавших слоях гпБе, выращенных МЛЭ на ваАв
1.4 Анализ начальной стадии зарождения и роста напряженных пленок 7п8е на ОаАБ. Модель роста
1.5 Выводы
Глава 2. Молекулярно лучевая эпитаксия наноструктур 7пСё8е/ОаАз
из металлоорганических соединений
2.1 Исследование характеристик разложения металлоорганических соединений диметилселена, диметилтеллура, диэтилсеры методом масс-спектрометрии
2.2 Оптимизация условий роста слоев 7п8е и 7п8е8 на ваАз
2.3 Сравнение процессов роста и характеристик структур выращенных методом МЛЭ и МЛЭ МОС
2.4 Особенности МЛЭ теллуридов и сульфидов из МОС
2.5 Выводы

Глава 3. Формирование поверхностных наноструктур С<12п8е/гп8е с
пониженной размерностью
3.1 Разработка нового метода обработки поверхностей соединений А2В6 на примере гетероструктур 2пСс18е/2п8е
3.2 Создание квантовых нитей в структурах Ссйп8е/гп8е используя комбинацию жидкостного и реактивного ионно-плазменного травления
3.3 Исследование люминесцентных свойств квантовых нитей
3.4 Выводы
Глава 4. Создание и исследование придорных наноструктур
2пСс18е8/ОаА8
4.1 Многослойные наноструктуры на основе 2п8е с квантовыми ямами и сверхрешетками
4.2 Лазерные структуры 2пСё8е8ЛпОаА8, полученные МЛЭ МОС
4.3 Получение легированных слоев 7п8е в процессе МЛЭ
4.4 Выводы
Заключение
Литература

СПИСОК СОКРАЩЕНИЙ
МЛЭ -молекулярно-лучевая эпитаксия
МОС -металлоорганические соединения
ПНБ - пиролитический нитрид бора
MAC - микроскопия атомных сил
ПЭМ - просвечивающая электронная микроскопия
КДО - кривые дифракционного отражения
2D, 3D - двумерные и трёхмерные моды роста.
КМА - квадрупольный масс-анализатор
ДУ - дефекты упаковки
ДН - дислокации несоответствия
КЯ, КТ, КН - квантовые ямы, точки , нити
MQW - многослойные квантовые ямы
РИПТ - реактивное ионно плазменное травление
ЛД -лазерный диод
СИД - светоизлучающий диод
1>П - фотоприемник
ЛВТ - гетеробиполярный транзистор
ЙЕМТ -high electron mobility transistor (транзистор с высокой тодвижностью электронов).

нарушают планарность эпитасиального слоя. Диффузное рассеяние на ДУ незначительно и локализовано вблизи пика слоя. Появление в структуре наряду с ДУ дислокацией несоответствия в образце 29-2 сопровождается дальнейшей релаксацией упругих напряжений, увеличением размера и плотности дефектов “кулоновского” типа, (наиболее вероятно- дислокационных петель), приводит к увеличению диффузной компоненты на дифракционных кривых и характерной форме 9- кривых. Следуя [13], можно утверждать, что происходит трансформация ДУ и ДН. С увеличением плотности ДН все ДУ уже схлопываются и начинается процесс образования дислокационных скоплений и т.д. и т.п. Так как закономерности процесса релаксации и дефектообразования едины для любых типов эпитаксиальных структур, то наблюдаемые труднообьяснимые различия вероятнее всего связаны с недостаточной контролируемостью начального состояния подложки и процесса роста. В образце 19-1 процес релаксации прошел уже до стадии образования скоплений дислокаций и дислокационных стенок в нижней части слоя. Поэтому в нем аннигилировали все дефекты упаковки, а большая часть дислокаций собралась в стенки.
1.4 Анализ начальных стадий зародышеобразования и роста напряженных плёнок ХпБе на СаАв. Модель роста.
Надежность и эффективность технологии приборов на основе, гетероструктур 2п8е/7л88е/ОаА5 в большой степени определяется зародышеобразованием и начальной стадией роста.