Разработка и исследование молекулярно-лучевой эпитаксии наноструктур ZnCdSeS/GaAs из металлорганических соединений
- Автор:
Осинский, Андрей Владимирович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
1998
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
135 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Разработка и исследование молекулярно-лучевой эпитаксии наноструктур ZnCdSeS/GaAs из металлорганических соединений», автор — Осинский, Андрей Владимирович, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 01.04.10. Работа подготовлена в городе Санкт-Петербург в 1998 году. Объем работы: 135 с. : ил.. Внутренний код товара: 01000210285. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Особенности вертикального переноса электронов в сверхрешетках с контролируемым беспорядком | Борисов, Кирилл Евгеньевич | 2004 |
| Исследование эмиссии носителей заряда из квантовых точек и ям In(Ga)As/GaAs в матрицу полупроводника методами фотоэлектрической спектроскопии | Волкова, Наталья Сергеевна | 2014 |
| Механическое двойникование и его влияние на электрические свойства висмута и его сплавов | Ланкин, Сергей Викторович | 1998 |