Спектроскопия глубоких уровней в полупроводниковых структурах
- Автор:
Бормонтов, Александр Евгеньевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2010
- Место защиты:
Воронеж
- Количество страниц:
149 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Спектроскопия глубоких уровней в полупроводниковых структурах», автор — Бормонтов, Александр Евгеньевич, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 01.04.10. Работа подготовлена в городе Воронеж в 2010 году. Объем работы: 149 с. : ил.. Внутренний код товара: 01004883883. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Гетеропереходы II типа на основе узкозонных полупроводников A3B5 : оптические и магнитотранспортные свойства | Моисеев, Константин Дмитриевич | 2005 |
| Микролазеры на основе гетероструктур с InGaAs квантовыми точками с резонаторами, сформированными селективным окислением слоев AlGaAs | Блохин, Сергей Анатольевич | 2006 |
| Электронные состояния в GaAs и в гетероструктурах Ga2Se3/GaAs | Власов, Юрий Николаевич | 2012 |