Физико-технологические основы ионообменных процессов в кристаллах полупроводников и сегнетоэлектриков для исследования свойств материалов и целей интегральной оптоэлектроники
- Автор:
Федоров, Вячеслав Александрович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Докторская
- Год защиты:
1996
- Место защиты:
Москва
- Количество страниц:
556 с.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Физико-технологические основы ионообменных процессов в кристаллах полупроводников и сегнетоэлектриков для исследования свойств материалов и целей интегральной оптоэлектроники», автор — Федоров, Вячеслав Александрович, относится к типу: докторская диссертация по специальности 01.04.10. Работа подготовлена в городе Москва в 1996 году. Объем работы: 556 с.. Внутренний код товара: 01000211347. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Изучение фазообразования в скрытых проводящих слоях дисилицида кобальта в кремнии, полученных методом ионного твердотельного синтеза | Подгорный, Дмитрий Андреевич | 1999 |
| Синтез и оптические свойства метаматериалов на основе пористых полупроводников А3В5 и Si | Атращенко Александр Васильевич | 2016 |
| Физические основы технологии ядерного легирования In-содержащих полупроводниковых соединений AIIIBV | Бойко, Владимир Михайлович | 2007 |