Физико-технологические основы ионообменных процессов в кристаллах полупроводников и сегнетоэлектриков для исследования свойств материалов и целей интегральной оптоэлектроники
- Автор:
Федоров, Вячеслав Александрович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Докторская
- Год защиты:
1996
- Место защиты:
Москва
- Количество страниц:
556 с.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Влияние физико-химической модификации покровного слоя на морфологию и фотоэлектронные спектры квантовых точек InAs/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией | Здоровейщев, Антон Владимирович | 2006 |
| Моделирование низкоинтенсивного радиационного воздействия на зарядовые свойства кремниевых МОП-структур | Бондаренко, Евгений Владимирович | 2010 |
| Электронные и оптические явления в системах кремниевых нанокристаллов | Лисаченко, Максим Геннадьевич | 2003 |