Физико-технологические основы ионообменных процессов в кристаллах полупроводников и сегнетоэлектриков для исследования свойств материалов и целей интегральной оптоэлектроники
- Автор:
Федоров, Вячеслав Александрович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Докторская
- Год защиты:
1996
- Место защиты:
Москва
- Количество страниц:
556 с.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Физико-технологические основы ионообменных процессов в кристаллах полупроводников и сегнетоэлектриков для исследования свойств материалов и целей интегральной оптоэлектроники», автор — Федоров, Вячеслав Александрович, относится к типу: докторская диссертация по специальности 01.04.10. Работа подготовлена в городе Москва в 1996 году. Объем работы: 556 с.. Внутренний код товара: 01000211347. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Исследование физической природы гетеропереходов органический-неорганический полупроводник и их применение | Федоров, Михаил Иванович | 2004 |
| Исследование формирования, электронной структуры и свойств пленок полупроводниковых силицидов кальция на Si(111) | Безбабный, Дмитрий Александрович | 2014 |
| Радиационно-стимулированные и короноэлектретные изменения структуры и свойств феррогранатовых гетерокомпозиций | Костишин, Владимир Григорьевич | 2009 |