Физико-технологические основы ионообменных процессов в кристаллах полупроводников и сегнетоэлектриков для исследования свойств материалов и целей интегральной оптоэлектроники
- Автор:
Федоров, Вячеслав Александрович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Докторская
- Год защиты:
1996
- Место защиты:
Москва
- Количество страниц:
556 с.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Физико-технологические основы ионообменных процессов в кристаллах полупроводников и сегнетоэлектриков для исследования свойств материалов и целей интегральной оптоэлектроники», автор — Федоров, Вячеслав Александрович, относится к типу: докторская диссертация по специальности 01.04.10. Работа подготовлена в городе Москва в 1996 году. Объем работы: 556 с.. Внутренний код товара: 01000211347. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Исследование процессов разогрева и ударного размножения носителей заряда, возбуждаемых ИК излучением в полупроводниковых контактных структурах | Амосова, Лариса Павловна | 1999 |
| Светоизлучающие приборы на основе квантовых точек InGaN: технология эпитаксиального выращивания и исследование свойств | Сизов, Дмитрий Сергеевич | 2006 |
| Исследование оптических свойств наноструктур полупроводник-металл в присутствии плазмонного резонанса | Ерюков Николай Александрович | 2016 |