Физико-технологические основы ионообменных процессов в кристаллах полупроводников и сегнетоэлектриков для исследования свойств материалов и целей интегральной оптоэлектроники
- Автор:
Федоров, Вячеслав Александрович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Докторская
- Год защиты:
1996
- Место защиты:
Москва
- Количество страниц:
556 с.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Особенности нелинейного поглощения при резонансном одно- и двухфотонном возбуждении экситонов в коллоидных квантовых точках CdSe/ZnS | Козлова Мария Владимировна | 2016 |
| Особенности поведения узкозонных полупроводников во внешних полях | Зайко, Юрий Николаевич | 1985 |
| Динамика и устойчивость сильноточных инжекционных систем | Горбатюк, Андрей Васильевич | 2002 |