Многопереходные гетероструктурные фотопреобразователи на основе материалов A3B5 и германия, полученные методом мос-гидридной эпитаксии
- Автор:
Минтаиров Сергей Александрович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
кандидатская
- Год защиты:
2015
- Место защиты:
Российская Федерация
- Количество страниц:
173
Стоимость:
700 р.499 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Диэлектрическая релаксация и процессы переключения в сегнетоэлектриках в быстронарастающих сильных электрических полях | Агаларов, Агалар Шахэмирович | 2008 |
| Исследование полупроводниковых эпитаксимальных слоев и квантово-размерных структур в системах Ga-In-P-As и Al-Ga-As методом фотопропускания | Ивкин, Андрей Николаевич | 1998 |
| Фотолюминесцентная спектроскопия полупроводниковых наноструктур с планарно-неоднородными слоями | Хабаров, Юрий Васильевич | 2007 |