Свойства дефектов и процессы дефектообразования в ионно-имплантированных структурах Si-SiO2
- Автор:
Малявка, Лариса Васильевна
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
1999
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
165 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Свойства дефектов и процессы дефектообразования в ионно-имплантированных структурах Si-SiO2», автор — Малявка, Лариса Васильевна, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 01.04.10. Работа подготовлена в городе Санкт-Петербург в 1999 году. Объем работы: 165 с. : ил.. Внутренний код товара: 01000221545. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Электронные процессы в системе Me-Ga2Se3-(SiOx)Si с различными металлическими контактами | Сизов, Сергей Викторович | 2006 |
| Определение профиля концентрации основных носителей заряда в светоизлучающих и HEMT структурах с резко неоднородным легированием | Яковлев, Георгий Евгеньевич | 2018 |
| Электрофизические и фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального варизонного HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии, с различными диэлектриками | Дзядух, Станислав Михайлович | 2010 |