Свойства дефектов и процессы дефектообразования в ионно-имплантированных структурах Si-SiO2
- Автор:
Малявка, Лариса Васильевна
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
1999
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
165 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Электрофизические методы исследования планарно-неоднородных и ионно-легированных МДП-структур | Борисов, Сергей Николаевич | 2002 |
| Фононный ветер и перенос экситонов в полупроводнике Cu2 О | Копелевич, Григорий Александрович | 1999 |
| Минизонный электронный спектр и транспорт горячих электронов в естественной сверхрешетке политипов карбида кремния | Санкин, Владимир Ильич | 1998 |