Свойства дефектов и процессы дефектообразования в ионно-имплантированных структурах Si-SiO2
- Автор:
Малявка, Лариса Васильевна
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
1999
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
165 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Исследование свойств и оптимизация гетероструктур на подложках GaAs и разработка мощных лазеров на их основе: λ =0,78 - 1,3 мкм | Лившиц, Даниил Александрович | 2000 |
| Моделирование ионно-лучевого легирования гетероструктур «кремний на сапфире» и облучения нейтронами гетероструктур с наноостровками Ge(Si) | Скупов, Антон Владимирович | 2019 |
| Исследование электрической проводимости наноструктур, образованных адсорбатами I,III групп на поверхности кремния | Рыжкова, Мария Валерьевна | 2008 |