Свойства дефектов и процессы дефектообразования в ионно-имплантированных структурах Si-SiO2
- Автор:
Малявка, Лариса Васильевна
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
1999
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
165 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Электронная структура и спектроскопия полупроводниковых и кластерных систем углерода и кремния | Моливер, Сергей Соломонович | 2000 |
| Фотоэлектрические и оптические свойства структур на основе аморфных и кристаллических кремниевых наночастиц | Кен Ольга Сергеевна | 2017 |
| Создание и исследование твердых растворов GaInAsSb и оптоэлектронных приборов на их основе | Пархоменко, Яна Александровна | 2003 |