Исследование свойств и оптимизация гетероструктур на подложках GaAs и разработка мощных лазеров на их основе: λ =0,78 - 1,3 мкм
- Автор:
Лившиц, Даниил Александрович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2000
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
170 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Гетеропереходы II типа на основе узкозонных полупроводников A3B5 : оптические и магнитотранспортные свойства | Моисеев, Константин Дмитриевич | 2005 |
| Формирование многослойных гетерофазных структур в имплантированном ионами кремнии | Попов, Владимир Павлович | 2005 |
| Структуры металл - диэлектрик-полупроводник на основе арсенида индия | Ковчавцев, Анатолий Петрович | 2003 |