Исследование свойств и оптимизация гетероструктур на подложках GaAs и разработка мощных лазеров на их основе: λ =0,78 - 1,3 мкм
- Автор:
Лившиц, Даниил Александрович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2000
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
170 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Исследование спиновых взаимодействий в разбавленном магнитном полупроводнике (Ga,Mn)As методами горячей фотолюминесценции и неупругого рассеяния света с переворотом спина | Димитриев, Григорий Семенович | 2018 |
| Газочувствительные полупроводниковые нанокомпозиты на основе диоксида олова, сформированные методами золь-гель технологии | Максимов, Александр Иванович | 2005 |
| Электрофизические свойства твердых растворов на основе PbTe:Tl и SnTe:In при изовалентном замещении атомов в подрешетке халькогена | Черняев, Антон Валентинович | 2005 |