Развитие метода эффективной массы для III-U полупроводниковых гетероструктур
- Автор:
Тахтамиров, Эдуард Евгеньевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
1998
- Место защиты:
Москва
- Количество страниц:
89 с.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Фотостимулированные процессы на поверхностных дефектах широкозонных полупроводников | Клюев, Виктор Григорьевич | 1998 |
| Транспортные явления в объёмном Ge и наноструктурах на основе Si, GaAs и InAs, перспективных для генерации ТГц излучения | Папроцкий Станислав Константинович | 2015 |
| Особенности распределения заряженных центров в области пространственного заряда оптоэлектронных структур при их формировании, термополевых и радиационных воздействиях | Маняхин, Федор Иванович | 1998 |