Атомные реконструкции и электронные свойства поверхностей полупроводников A3B5 с адсорбатами
- Автор:
Терещенко, Олег Евгеньевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Докторская
- Год защиты:
2013
- Место защиты:
Новосибирск
- Количество страниц:
281 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Влияние электрического поля на фотоэлектрические спектры квантово-размерных гетеронаноструктур GaAs/In(Ga)As, выращенных газофазной МОС-гидридной эпитаксией | Горшков, Алексей Павлович | 2006 |
| Фотохимически активные и неактивные глубокие центры в бинарных (A2B6 , A3 B5 ) и многокомпонентных (A4 B6 , A2A3 B6 ) широкозонных полупроводиках | Эмиров, Юсуф Нурмагомедович | 2001 |
| Полевые и биполярные приборы на основе карбида кремния | Иванов, Павел Анатольевич | 2001 |