Атомные реконструкции и электронные свойства поверхностей полупроводников A3B5 с адсорбатами
- Автор:
Терещенко, Олег Евгеньевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Докторская
- Год защиты:
2013
- Место защиты:
Новосибирск
- Количество страниц:
281 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Исследование физических процессов в P-I-N-гетероструктурах на основе органического полупроводника CuPc и неорганического полупроводника GaAs | Штрекерт, Ольга Юрьевна | 2005 |
| Получение и исследование наноструктурированных гибридных материалов InSb-MnSb с высокими критическими температурами | Алам Махмудул | 2013 |
| Структура и свойства поверхностных реконструкций Si(111)33-Bi и Si(111)33-Au, модифицированных атомами металлов | Яковлев Алексей Андреевич | 2016 |