Атомные реконструкции и электронные свойства поверхностей полупроводников A3B5 с адсорбатами
- Автор:
Терещенко, Олег Евгеньевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Докторская
- Год защиты:
2013
- Место защиты:
Новосибирск
- Количество страниц:
281 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Эпитаксиальные слои GaN и многослойные гетероструктуры GaN/AlGaN. Разработка технологии выращивания и исследование свойств | Лундин, Всеволод Владимирович | 1998 |
| Локализованные электронные и фононные состояния в полупроводниковых ветвящихся молекулярных структурах | Рындина Татьяна Сергеевна | 2018 |
| Исследование эффекта спонтанного упорядочения примесных комплексов в арсениде галлия n-типа | Давлеткильдеев, Надим Анварович | 2000 |