Атомные реконструкции и электронные свойства поверхностей полупроводников A3B5 с адсорбатами
- Автор:
Терещенко, Олег Евгеньевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Докторская
- Год защиты:
2013
- Место защиты:
Новосибирск
- Количество страниц:
281 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Влияние внутренних электрических и упругих полей моно-, микро- и нанокристаллов на характеристические параметры глубоких центров в халькогенидах цинка | Зобов, Марат Евгеньевич | 2008 |
| Электрический пробой диэлектриков и полупроводников, индуцированный плотными электронными пучками наносекундной длительности | Олешко, Владимир Иванович | 1999 |
| Светодиоды и фотоприемники для средней ИК-области спектра на основе изопериодных гетероструктур II типа в системе GaSb-InAs | Стоянов Николай Деев | 2005 |