Омические контакты металл-карбид кремния
- Автор:
Растегаева, Марина Геннадьевна
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
1999
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
157 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Моделирование устойчивого роста поверхности в процессе молекулярно-пучковой эпитаксии соединений AIIIBV | Бойко, Андрей Михайлович | 2007 |
| Физические основы инженерии дефектов в технологии кремниевых силовых высоковольтных и светоизлучающих структур | Соболев, Николай Алексеевич | 2009 |
| Термодинамика образования дефектов в полупроводниках с учетом кластеризации в жидкой и газовой фазах | Львов, Павел Евгеньевич | 2001 |