Омические контакты металл-карбид кремния

• Автор: Растегаева, Марина Геннадьевна
• Шифр специальности: 01.04.10
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 1999
• Место защиты: Санкт-Петербург
• Количество страниц: 157 с. : ил.

ОГЛАВЛЕНИЕ

ОГЛАВЛЕНИЕ
ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА 1.ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР
1.1.Введени е
1.2.Методы измерения удельного переходного
сопротивления омических контактов
1.3.Технология изготовления омических контактов
к широкозонным полупроводникам
1.4.Выводы к главе
ГЛАВА 2. ТЕХНОЛОГИЯ ФОРМИРОВАНИЯ ОМИЧЕСКИХ
• КОНТАКТОВ К КАРБИДУ КРЕМНИЯ.
ОБОРУДОВАНИЕ И ОБЪЕКТЫ
ИССЛЕДОВАНИЯ
2.1.Формирование омических контактов к п-и р-бН-БЮ
2.2,Оборудование, используемое для изготовления
омических контактов к карбиду кремния
ГЛАВА 3. ИССЛЕДОВАНИЕ ОМИЧЕСКИХ
КОНТАКТОВ, ИЗГОТОВЛЕННЫХ НА ОСНОВЕ № К п-бН-БЮ
3.1.Исследование зависимости удельного сопротивления омических контактов, изготовленных к полярным граням бН-БЮ, от температуры отжига
3.2.Влияние температуры отжига на состав переходной
области структур №/п-6Н-БЮ
3.3.Исследование влияния концентрации

нес компенсированной донорной примеси на удельное т сопротивление омических контактов
3.4.Исследование влияния температуры окружающей среды и высоких плотностей тока на величину удельного контактного сопротивления
3.5.Дополнительные преимущества использования омических контактов на основе никеля в
технологии полупроводниковых приборов
3.6.Выводы к главе
ГЛАВА 4. ИССЛЕДОВАНИЕ ОМИЧЕСКИХ КОНТАКТОВ К
Р-6Н-БІС
4.1.Исследование омических контактов к р-БіС,
* изготовленных на основе однокомпонентных
контактных систем
4.2.Исследование омических контактов на основе кремнийсодержащих систем к р-БіС
4,З.Омические контакты к р-бН-БіС, изготовленные
на основе контактных систем, содержащих алюминий
4.4.Исследование зависимости удельного сопротивления омических контактов на основе ТІ-А1 от температуры отжига и концентрации нескомпенсированной акцепторной примеси в р-6Н-БіС
4.5.Исследованне состава контактного покрытия и переходной области структур Ті-А1/р-6Н-БіС
4.6.Влияние температуры окружающей среды

и высоких плотностей тока на величину удельного сопротивления Ті-А1/р-6Н-БіС омических контактов

4.7.Выводы к главе
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

металлов на поверхность ИаЛ контакты имели вольт-амперную Ф характеристику, близкую к линейной. Однако, как считают авторы,
из-за слоя окисла между металлом и ИаЛ, образующегося в процессе напыления, сопротивление контакта было велико. И только после отжига структуры Т1’/А1-ОаМ при Тотж~900°С сопротивление контакта уменьшалось до 8-10"6 Ом-см2 (рис. 1.9а,б). Авторы предполагают, что отжиг приводит к взаимодействию ТьваЛ с образованием соединения ТгЛх. При этом вакансии азота, формирующиеся вблизи интерфейса образуют приповерхностный слой п+-ОаЛ с более высокой концентрацией нескомленсированных доноров.
В работе [57] омические контакты на основе контактной системы Т1/А1/№/Аи формировались к п-ОаЫ, поверхность которого 0 предварительно обрабатывалась методом реактивного ионного
травления (РИТ). ВАХ контактов до и после отжига при ТО1Ж~900°С представлены на рис. 1.10. Как видно из рис. 1.10 характеристики контактов до и после отжига являются линейными. Однако отжиг контакта приводит к уменьшению его сопротивления и величина гс в этом случае составляет 1-10"7 Ом-см2. Авторы особо подчеркивают, что осаждение металлов на поверхность ОаЛ после роста не приводит к формированию омического контакта. Линейную ВАХ имеют контакты, изготовленные на поверхности ИаЛ после реактивного ионного травления. Авторы работы [57] предполагают, что РИТ приводит к нарушению поверхности ИаН и образованию вакансий азота, увеличивающих концентрацию электронов в приповерхностной области и обеспечивающих формирование омического контакта с туннельным механизмом тока. Последующий отжиг системы Т1/А]/Л1/Аи-ОаЛ приводит к взаимодействию