Исследование механизмов изотермической кристаллизации в тонких аморфных пленках халькогенидного полупроводника Ge2Sb2Te5
- Автор:
Воробьев, Юрий Владимирович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2017
- Место защиты:
Рязань
- Количество страниц:
160
Стоимость:
700 р.499 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Исследование механизмов изотермической кристаллизации в тонких аморфных пленках халькогенидного полупроводника Ge2Sb2Te5», автор — Воробьев, Юрий Владимирович, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 01.04.10. Работа подготовлена в городе Рязань в 2017 году. Объем работы: 160. Внутренний код товара: 01009586167. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Высокоэффективные излучающие приборы на основе гетероструктур AlGaInN | Смирнова, Ирина Павловна | 2007 |
| Трехканальный детектор на основе РОС гетеролазеров InGaAs для мониторинга | Наместников, Дмитрий Юрьевич | 2007 |
| Нелинейные эффекты при распаде полупроводниковых твердых растворов в эпитаксиальных пленках | Стародубцев, Артем Николаевич | 2000 |