Исследование механизмов изотермической кристаллизации в тонких аморфных пленках халькогенидного полупроводника Ge2Sb2Te5
- Автор:
Воробьев, Юрий Владимирович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2017
- Место защиты:
Рязань
- Количество страниц:
160
Стоимость:
700 р.499 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Процессы рекомбинации и разогрева носителей заряда в наноструктурах с квантовыми ямами | Винниченко, Максим Яковлевич | 2013 |
| Спектроскопия колебательных состояний низкоразмерных полупроводниковых систем | Милёхин, Александр Германович | 2007 |
| Исследование радиационно-термических процессов формирования ионно-легированных слоёв n-GaAs | Ардышев, Михаил Вячеславович | 2000 |