Исследование механизмов изотермической кристаллизации в тонких аморфных пленках халькогенидного полупроводника Ge2Sb2Te5
- Автор:
Воробьев, Юрий Владимирович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2017
- Место защиты:
Рязань
- Количество страниц:
160
Стоимость:
700 р.499 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Исследование механизмов изотермической кристаллизации в тонких аморфных пленках халькогенидного полупроводника Ge2Sb2Te5», автор — Воробьев, Юрий Владимирович, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 01.04.10. Работа подготовлена в городе Рязань в 2017 году. Объем работы: 160. Внутренний код товара: 01009586167. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Термоэлектрические свойства и дефекты структуры кристаллов узкозонных полупроводников Pb1-хGdхTe, Pb1-xGdxS, Pb1-xCrxS1-у, Pb1-xAgxS и Pb1-xCuxS | Синицин Алексей Михайлович | 2019 |
| Точечные дефекты и фотоэлектрические свойства эпитаксиальных структур Cd x Hg1-x Te, выращенных методами парофазной и молекулярно-лучевой эпитаксии | Варавин, Василий Семенович | 2001 |
| Особенности магнетосопротивления и терагерцовой фотопроводимости в графене | Васильева, Галина Юрьевна | 2015 |