Диэлектрические свойства стекол в системах M-As(Sb)-S-I

• Автор: Рубиш, Василий Михайлович
• Шифр специальности: 01.04.10
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 1984
• Место защиты: Ужгород
• Количество страниц: 146 c. : ил

Глава I. СТРУКТУРА БЛИЖНЕГО ПОРЯДКА И ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ

СВОЙСТВА ХАЛЬКОГЕНИДНЫХ СТЕКОЛ

§1.1. Модельные представления состояний в

запрещенной зоне

§1.2. Взаимосвязь структуры и диэлектрических

свойств

§1.3. Стеклообразование и некоторые свойства

стекол системы М - А^- В^- С^

Глава II. ОСОБЕННОСТИ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СВОЙСТВ И СТРУКТУРНОГО СТРОЕНИЯ СТЕКОЛ В СИСТЕМАХ Аъ (5Ь) -5-І .... 33 §2.1. Синтез стеклообразных материалов и приготовление образцов для исследований
§2.2. Методики измерения комплексной диэлектрической проницаемости в области низких и
радиочастот
§2.3. Температурные и частотные зависимости
диэлектрических свойств стекол
§2.4. "Квазиэвтектическое" строение стекол системы 5Ь-5 -I
2.4.1. КР-спектры стекол
2.4.2. Концентрационные зависимости поляризуемости
§2.5. Аномалии диэлектрических свойств стеклообразного $Ь81
Глава III. ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА И ЯВЛЕНИЯ ПЕРЕНОСА
в стеклах систем Ое(Си)-Д$(5Й-$ - ]
§3.1. Механизмы поляризации и структурнохимическое строение стекол в системах Бе -Дз(5Ь)- 6 - I
§3.2. Поляризуємость, магнитная восприимчивость и локальная структура стекол системы Си-БЬ- 5 - I
§3.3. Механизм переноса заряда в стеклах
систем М —А Б (5 Ь) — Б -1
§3.4. Дефектные состояния и проводимость на
переменном токе
Глава ІУ.ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ И ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА
СТЕКОЛ В СИСТЕМАХ А<^ -АэОЬ)- Б -Ї
§4.1. Методики измерений электропроводности и диэлектрических параметров стекол с ионной проводимостью
§4.2. Электронно-ионный характер проводимости
стекол систем -Аз15Ь)- 8 -1
§4.3. Колебательные спектры и локальная
структура стекол
§4.4. Диэлектрические свойства серебросодержащих стекол
вывода
ЛИТЕРАТУРА
Актуальность теш. Развитие современной электронной техники характеризуется все более широким внедрением новых материалов полупроводников и диэлектриков. Особое место среди них занимают халькогенидные стеклообразные вещества, которые обладают совокупностью уникальных свойств и представляют интерес как для практического применения, так и для решения ряда принципиальных проблем физики неупорядоченного состояния.
Наиболее изученными в настоящее время являются бинарные стеклообразные сплавы на основе халькогенидов мышьяка и германия, которые уже нашли широкое практическое применение в новых областях приборостроения. К малоизученным аспектам физики халькогенидных стеклообразных полупроводников следует отнести вопрос об их диэлектрических свойствах.
В литературе имеются лишь отдельные сведения о диэлектрических свойствах халькогенидных стекол и возможности применения диэлектрических измерений для интерпретации их локальной структуры и изучения дефектов в них. Однако существующие исследования в этом направлении относятся, в основном, к стеклам бинарных и некоторых тройных систем на основе халькогенидов мышьяка. В связи с этим представлялось полезным провести изучение диэлектрических и электрофизических параметров и выяснения их взаимосвязи со структурой стекла, исследование методами диэлектрической спектроскопии процессов кристаллизации сложных халькогенидных стеклообразных материалов.
В качестве объектов исследований выбраны стекла систем М-ЫБЫ-З-! (М-бе,Са.;А<|). Кроме чисто научного интереса, связанного с изучением механизма вхождения различных элементов в структурную сетку и влияния этих элементов на свойства стекол,

Рис.12. Температурная зависимость диэлектрической проницаемости стекол систеш АЬг 5з~ ДьГз (частота Ю^Гц): I - Д5М 1зо ;
2 -к<ь33 $33 133 » 3 - АЬх Эзо 15б
Рис.ІЗ. ИК-спектры пропускания кристаллического (I) и аморфного (2) БЬгБз , стекла состава
БЬ35 бца Ігз (3) и кристаллического
БЬБІ (4) [1211