Моделирование электрических свойств виртуальных сегнетоэлектриков, входящих в состав управляемых конденсаторов

• Автор: Зубко, Светлана Петровна
• Шифр специальности: 01.04.10
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 1999
• Место защиты: Санкт-Петербург
• Количество страниц: 122 с.

Оглавление
ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА 1. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ
1.1. Диэлектрическая проницаемость моно-кристаллических виртуальных сегнетоэлек-триков
1.2. Диэлектрическая проницаемость тонких пленок виртуальных сегнетоэлектриков. Пленочные структуры на основе виртуальных сегнетоэлектриков
1.3. Методы моделирования характеристик планарных многослойных структур
1.4. Выводы
ГЛАВА 2. МОДЕЛИРОВАНИЕ ЗАВИСИМОСТИ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ПРОНИЦАЕМОСТИ ОБЪЕМНОГО СЕГНЕТ03ЛЕКТРИЧЕСК0Г0 МАТЕРИАЛА ОТ ТЕМПЕРАТУРЫ И НАПРЯЖЕННОСТИ СМЕЩНЦЕГО ПОЛЯ
2.1. Линейный отклик материала на малую переменную во времени разность потенциалов
2.2. Влияние статической разности потенциалов, приложенной к электродам конденсатора
2.3. Усреднение статической поляризации по напряженности смещающего поля
2.4. Количественная оценка однородности состава и структуры материала
2.5. Диэлектрический отклик объемного образца
2.6. Определение параметров феноменологической модели на основе обработки эксперимен-

тальных данных
2.6.1. Параметр
2.6.2. Эффективная температура Кюри
2.6.3. Постоянная Кюри-Вейсса
2.6.4. Алгоритм нахождения параметров модели (С, Тс, 0Р, з)
2.6.5. Зависимость диэлектрической проницаемости от приложенного поля
2.7. Сравнение модельных представлений с
э кспериментом
2.8. Выводы
ГЛАВА 3. ДИЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ ПРОНИЦАЕМОСТЬ ТОНОКОПЛЕ-НОЧНЫХ СЕГНЕТ03ЛЕКТРИК0В. ВЛИЯНИЕ РАЗМЕРНОГО ЭФФЕКТА НА ДИЭЛЕКТРИЧЕСКУЮ ПРОНИЦАЕМОСТЬ МАТЕРИАЛА В СОСТВЕ СЭНДВИЧ КОНДЕНСАТОРА
3.1. Граничные условия для динамической поляризации на проводящих электродах сэндвич конденсатора
3.2. Решение дифференциального уравнения

размерного эффекта
3.3. Виртуальный сегнетоэлектрик в составе
сэндвич конденсатора с различными электродами
3.4. Расчет корреляционного параметра

танталата калия
3.5. Вывода
ГЛАВА 4. МОДЕЛИРОВАНИЕ ЕМКОСТИ ПЛАНАРНОГО СЛОИСТОГО КОНДЕНСАТОРА, СОДЕРЖАЩЕГО ТОНКИЙ СЛОЙ СЕГ-НЕТОЗЛЕКТРИКА
4.1. Конформное отображение планарной

структуры
4.2. Формулы для расчета емкости составных частей слоистого планарного конденсатора
4.3. Пределы применимости расчетных формул
4.4. Учет размерного эффекта в сегнето-электрической пленке в составе планарного конденсатора
4.5. Сопоставление с экспериментом
4.6. Вывода
ГЛАВА 5. СТАТИСТИЧЕСКАЯ ОБРАБОТКА РЕЗУЛЬТАТОВ СЕРИИ ИЗМЕРЕНИЙ ЕМКОСТИ ПЛАНАРНОГО КОНДЕНСАТОРА СО СЛОЕМ ТИТАНАТА СТРОНЦИЯ
5.1. Приготовление образцов
5.2. Методика измерения емкости планарного конденсатора
5.3. Алгоритм нахождения параметров модели диэлектрической проницаемости сегнетоэлек-трической пленки в составе планарного конденсатора
5.3.1. Обработка результатов измерений
5.3.2. Модельное описание диэлектрической проницаемости тонкого слоя титаната стронция на подложке из сапфира
5.3.3. Среднеквадратическая ошибка измерений и модельного описания
5.4. Выводы
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
ЛИТЕРАТУРА

°ас « Осе
где Э - площадь электродов конденсатора.
Для переменной составляющей поляризации:
РЛх) = -у--є0Ев(х)
(2.8)
Напряженность электрического поля запишем как:
Перепишем уравнение (2.3) с учетом (2.6)-(2.7),(2.9), пренебрегая высшими степенями малых величин:
2.2. Влияние статической разности потенциалов, приложенной к электродам конденсатора
Найдем Ось как функцию статической разности потенциалов на электродах конденсатора ив.
Используем обозначения:
С&є(Т) є0є(Т)Ш
(2.10)
(2.11)