Оптическая ориентация и люминесценция в легированных полупроводниках

• Автор: Узунова, Ягода Тодоровна
• Шифр специальности: 01.04.10
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 1984
• Место защиты: Ленинград
• Количество страниц: 108 c. : ил

ОСНОВНЫЕ ОБОЗНАЧЕНИЯ
ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА I. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ
1.1 Оптические переходы в полупроводниках;
1.2 Оптическая ориентация носителей в полупроводниках
ГЛАВА II. ОПТИЧЕСКИЕ ПЕРЕХОДЫ "ВАЛЕНТНАЯ ЗОНА-ДОНОР" В СЛУЧАЕ ВОЗБУЖДЕНИЯ ЦЙРКУЛЯРНО ПОЛЯРИЗОВАННЫЕ СВЕТОМ
2.1 Введение
2.2 Оптическая ориентация нейтральных доноров в случае изотропной валентной зоны
2.3 Учет гофрировки изоэнергетических поверхностей валентной зоны в оптических переходах "валентная зона-донор"
ГЛАВА III. ОПТИЧЕСКИЕ ПЕРЕХОДЫ "ВАЛЕНТНАЯ ЗОНА-ГЛУВЗКИЙ
ПРИМЕСННЫЙ ЦЕНТР" В ПОЛЯРИЗОВАННОМ СВЕТЕ
3.1.Введение
3.2.Оптическая ориентация глубоких примесных центров
ГЛАВА VI. НЕПРЯМЫЕ ПЕРЕХОДЫ В ТВЕРДЫХ РАСТЕОРАХ В ПРОМЕЖУТОЧНО! ОБЛАСТИ КОНЦЕНТРАЦИИ

4.1. Введение
4.2. Частотная зависимость формы спектров люминесценции твердых растворов типа /}з В5
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
ЛИТЕРАТУРА

ОСНОВНЫЕ ОБОЗНАЧЕНИЯ
£ - величина заряда электрона
- масса свободного электрона fa - постоянная Планка деленная на
О - скорость света в вакууме
6J — частота электромагнитного излучения
П - показатель преломления
У - вектор поляризации света
С*б - боровский радиус электрона
Ър - боровская энергия донора
Be - ширина запрещенной зоны
Jf - число фотонов в объеме
JZ — квазишпульс дырки
J4 - спирально с ть дьгрки
trie - эффективная масса зоны проводимости
- эффективная масса легких дырок П1% - эффективная масса тяжелых дырок

р - оператор импульса
- спиновые функции, соответствующие двум проекциям спина на оси г
6 - р - функция, обладающая свойствами симметрии
функции при преобразованиях кубической группы Х,У, I - функции, имеющие симметрические свойства атомных Р -функций X , У , I ТэРсъ время захвата электрона донором
Vь Ь ~ время спиновой релаксации

зико - химической природы и свойств, связано с основной задачей полупроводникового приборостроения - создавать полупроводники и полупроводниковые структуры с заданными свойствами.
Проблема глубоких примесных центров в полупроводниках сложна и в настоящее время природа их значительно менее ясна, чем природа и свойства мелких примесных центров.
Сложность задачи глубоких уровней рассмотрена подробно в работе Келдыша [68] .: Отыскание волновых функции, описывающих состояние электронов глубоких центров представляет весьма сложную задачу. Для описания состояний электронов, связанных с примесями, образующими глубокие уровни., метод эффективной массы непригоден. Радиусы орбиты основного состояния значительно меньше, чем для мелких примесей и величина отношения постоянной решетки О. к радиусу орбиты электрона УЧ около примесного центра уже недостаточно мала. Строго говоря, уже нельзя пользоваться такими понятиями как эффективная масса и диэлектрическая постоянная. Кроме того расстояния глубоких уровней от зонйГпроводтлости и валентной зоны одного порядка величины. Энергия связи глубоких уровней в несколько десятких электронвольт т.е., она сравнима по порядку величины с шириной запрещенной зоны. Поэтому нельзя использовать для .их описания параметры одной энергетической зоны, как это делается при описании, мелких примесей . В работе [бб] впервые задача глубоких уровней решается на основе двухзонного приближения.
В расчетах учитываются одновременно зону проводимости и валентную зону и их взаимодействие. В работе показано, что радиус глубоких связанных состояний, все же в несколько раз превышает постоянную решетки / а / КП >, 3 /. Задача глубокого примесного центра
решена в случае простых зон и в случае трехкратного вырождения валентной зоны. Анализ системы уравнений, полученные в [бв] ,и описывающие движение электрона и дырки, показал, что некоторые