Оптические и структурные свойства квантовых точек (In,Ga,Al)As на подложках арсенида галлия для светоизлучающих приборов диапазона 1.3-1.55 мкм
- Автор:
Гладышев, Андрей Геннадьевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2006
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
148 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Исследование физических процессов в P-I-N-гетероструктурах на основе органического полупроводника CuPc и неорганического полупроводника GaAs | Штрекерт, Ольга Юрьевна | 2005 |
| Фотолюминесценция в поликристаллических слоях на основе твердых растворов селенида свинца-селенида кадмия | Гамарц, Андрей Емельянович | 2006 |
| Катодолюминесцентные методы исследования лазерных гетероструктур на основе ZnSe | Шахмин, Алексей Александрович | 2011 |