Многокомпонентные твердые растворы на основе GaSb и InAs, полученные из растворов-расплавов, обогащенных сурьмой

• Автор: Смирнов, Валерий Михайлович
• Шифр специальности: 01.04.10
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2000
• Место защиты: Санкт-Петербург
• Количество страниц: 170 с. : ил.

ОГЛАВЛЕНИЕ.

ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА 1. ТВЕРДЫЕ РАСТВОРЫ АЮаБЬ, ТпОаАяБЬ, АЮаАзБЬ И ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ НА ИХ ОСНОВЕ. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ
1.1 Твердые растворы АЮаЗЬ, ХпСаАяБЬ и АЮаАвБЬ
1.1.1 Характеристика систем твердых растворов
1.1.2 Области несмешиваемости твердых растворов ЫСаАэБЬ и
АЮаАББЬ
1.1.3 Диаграммы состояния
1.1.4 Методы получения твердых растворов АЮаЗЬ, ЫСаАзЗЬ и АЮаАяЗЬ
а). Жидкофазная эпитаксия АЮаБЬ
б). Жидкофазная эпитаксия ЫСаАэБЬ
в). Жидкофазная эпитаксия АЮаАэБЬ
г). Другие методы эпитаксиального выращивания
1.2 Гетероструктуры в системах АЮаБЬ, ЫСаАэБЬ и АЮаАэБЬ
1.2.1 Особенности гетеропереходов ЫСаАзБЬ и АЮаАзБЬ/ОаБЬ
1.2.2 Люминесцентные свойства твердых растворов АЮаБЬ, ЫОаАзБЬ и АЮаАэБЬ
1.2.3 Излучательные приборы на основе гетеропереходов тройных и четверных твердых растворов АЮаБЬ, ЫСаАвБЬ и АЮаАзБЬ
1.2.4 Фотоприемники на основе гетеропереходов твердых растворов АЮаБЬ, ЫОаАьБЬ и АЮаАэБЬ
1.2.5 Термофотоэлектрические элементы
1.3 Выводы
ГЛАВА 2. МЕТОДИКИ ВЫРАЩИВАНИЯ И ИССЛЕДОВАНИЯ
ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ И ГЕТЕРОСТРУКТУР

2.1 Получение эпитаксиальных слоев АЮаБЬ, АЮаАвЗЬ, 1пОаАь8Ь и ЫЗаРАвЗЬ
2.2 Определение характеристик жидкой фазы Ть и ЛТкр
2.3 Получение двойных гетер о структур
2.4 Методики исследования эпитаксиальных слоев и гстероструктур
2.4.1 Фотолюминесценция и электролюминесценция
2.4.2 Определение НПР и состава эпитаксиальных слоев
ГЛАВА 3. ПОЛУЧЕНИЕ МЕТОДОМ ЖФЭ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ
СЛОЕВ АЮаЬЬ, ЬЮаАзЗЪ, АЮаАьвЬ и ЬЮаАвРЗЬ
3.1 Преимущества сурьмы как растворителя при ЖФЭ АЮаЬЬ,
МЗаАзБЬ, АЮиАвБЬ и ЬЮаАзРЬЬ
3.2 Выращивание слоев твердых растворов АЮаБЬ и АЮаАьЬЬ
из растворов - расплавов на основе сурьмы
3.3 Моделирование процессов выращивания твердых растворов ЫваАзЬЬ из растворов - расплавов на основе сурьмы
3.4 ЖФЭ слоев твердых растворов ЫхОахАЭуБЬьу из растворов-расплавов, обогащенных ЬЬ
3.5 Теоретическое моделирование и практическая реализация жидкофазного эпитаксиального роста пятикомпонентных
твердых растворов ОаТпАяРБЬ
3.6 Исследование влияния технологических условий выращивания на кристаллическое совершенство гетероструктур
ГЛАВА 4. ИССЛЕДОВАНИЕ ЛЮМИНЕСЦЕНТНЫХ СВОЙСТВ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ ЫОаАзЬЬ И ПРИБОРОВ НА ИХ ОСНОВЕ
4.1 Особенности фотолюминесценции эпитаксиальных слоев 1пОаАз8Ь, соответствующих по составу области несмешиваемости
4.2 Инжекционные лазеры с резонатором Фабри-Перо в системе Оа1пАз8Ь/АЮа1пА88Ь/Оа8Ь

4.3 Светодиодные ДГС ОаІпАзЗЬЛЗаЗЬ для спектрального диапазона
4-5 мкм
4.4 Фотоприемники на основе ДГС СаІпАвБЬ/ОаЗЬ
4.5 Выводы
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
ЛИТЕРАТУРА

АТ, К
Рис. 12. Зависимости величин переохлаждения жидкой фазы ДТР (1) и ДТрЭфф (2) от состава кристаллизующего твердого раствора 1пхОа1_хА8у8Ь1.у при Т=873 К [36].
Рис. 13. Зависимость скорости роста слоев 1пхОа|_хЛ8у8Ь|_у от величины переохлаждения раствора-расплава (О- х=0,09, у=0,08, Т=724 К, Д -х=0,09, у=0,08, Т=770 К, X- х=0,18, у=0,16, Т=770 К) [55].