Рекомбинация и спиновая релаксация экситонов в полупроводниковых гетероструктурах первого рода с непрямой запрещенной зоной
- Автор:
Шамирзаев, Тимур Сезгирович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Докторская
- Год защиты:
2012
- Место защиты:
Новосибирск
- Количество страниц:
329 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Кр-теория возмущений и метод инвариантов в теории гетероструктур на основе многодолинных полупроводников с вырожденными зонами | Миронова, Мария Сергеевна | 2014 |
| Особенности распределения заряженных центров в области пространственного заряда оптоэлектронных структур при их формировании, термополевых и радиационных воздействиях | Маняхин, Федор Иванович | 1998 |
| Моделирование электрических свойств виртуальных сегнетоэлектриков, входящих в состав управляемых конденсаторов | Зубко, Светлана Петровна | 1999 |