Рекомбинация и спиновая релаксация экситонов в полупроводниковых гетероструктурах первого рода с непрямой запрещенной зоной
- Автор:
Шамирзаев, Тимур Сезгирович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Докторская
- Год защиты:
2012
- Место защиты:
Новосибирск
- Количество страниц:
329 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Исследование радиационно-термических процессов формирования ионно-легированных слоёв n-GaAs | Ардышев, Михаил Вячеславович | 2000 |
| Исследование электрических и емкостных свойств слоев пористого кремния различной морфологии и пористости | Комаров, Евгений Павлович | 2002 |
| Микроструктура и свойства тонких пленок SnO2, предназначенных для создания сенсоров восстановительных газов | Сергейченко, Надежда Владимировна | 2013 |