Рекомбинация и спиновая релаксация экситонов в полупроводниковых гетероструктурах первого рода с непрямой запрещенной зоной

• Автор: Шамирзаев, Тимур Сезгирович
• Шифр специальности: 01.04.10
• Научная степень: Докторская
• Год защиты: 2012
• Место защиты: Новосибирск
• Количество страниц: 329 с. : ил.

СПИСОК ОСНОВНЫХ СОКРАЩЕНИЙ МЛЭ - молекулярно-лучевая эпитаксия ДБЭО - дифракция быстрых электронов на отражение ПЭМ - просвечивающая электронная микроскопия ФЛ - фотолюминесценция КРС - комбинационное рассеяние света
РКРС - резонансное комбинационное рассеяние света с переворотом спина
L0 - продольный оптический фонон ТО - поперечный оптический фонон ТА - поперечный акустический фонон СР - сверхрешетка КЯ - квантовая яма КТ - квантовая точка X - длина волны п - концентрация электронов р - концентрация дырок Шо- масса свободного электрона пц - эффективная масса электрона Ши1 - эффективная масса тяжелой дырки - эффективная масса легкой дырки Т - температура
Гд - температура подложки во время эпитаксиального роста Tan ~ температура послеростового отжига tci - время формирования квантовых точек
Еа - энергия активации температурного гашения фотолюминесценции Ед - ширина запрещенной зоны

Ед - ширина запрещенной зоны в Г минимуме зоны проводимости
Едх - ширина запрещенной зоны в X минимуме зоны проводимости
Едь - ширина запрещенной зоны в Ь минимуме зоны проводимости ЕдМАв- ширина запрещенной зоны А1АЭ
Р - плотность мощности возбуждения фотолюминесценции РЕ- плотность энергии лазерного импульса Рех - квазиимпульс экситона ррь - импульс фотона Ш - энергия фотона
Ло)С£, - положение максимума полосы ФЛ, связанной с рекомбинацией
экситонов в ансамбле квантовых точек
I - интенсивность фотолюминесценции
А - энергетический зазор между состояниями экситона
Дзт - энергия обменного расщепления синглетного и триплетного
состояний экситона
аех - боровский радиус экситона
Агх - энергетический зазор между состояниями электрона в Г и X долинах зоны проводимости квантовой точки
Агнг энергетический зазор между состояниями электрона и дырки в Г долине зоны проводимости квантовой точки
Ад*- энергетический зазор между состояниями электрона в X и тяжелой дырки в Г долинах зоны проводимости квантовой точки б(т) - распределение времен жизни экситонов по ансамблю квантовых точек
т0 - параметр, определяющий максимум распределения времен жизни экситонов по ансамблю квантовых точек
у - параметр, определяющий ширину распределения времен жизни экситонов по ансамблю квантовых точек а - наклон кривой затухания фотолюминесценции Р - параметр растянутой экспоненты
а - постоянная решетки
- время безызлучательной рекомбинации экситона 0Ау - средний диаметр квантовых точек в ансамбле
Б0- дисперсия диаметров квантовых точек в ансамбле - плотность квантовых точек й - объём элементарной ячейки кристалла
Дй - изменение объёма элементарной ячейки кристалла под действием гидростатической компоненты напряжения 1В - биаксиальная компонента напряжения
а„ - деформационный потенциал, описывающий изменение ширины запрещенной зоны
УВО - разрыв валентных зон на гетерогранице ехх £уу , ~~ компоненты тензора напряжения
- расстояние между квантовыми точками в структурах, состоящих из двух слоев вертикально связанных 1пАз КТ
рс - степень циркулярной поляризации ФЛ т3 - время спиновой релаксации
Тх - время продольной спиновой релаксации экситона
йшьт - продольно-поперечное расщепление уровней свободного
экситона
g- фактор
/ив - магнетон Бора
кв- постоянная Больцмана
В - напряженность магнитного поля
Энергия (эВ)

Рис. И (б)

1.5 1.0 0.5 0.
1пРЛЗаР

3- 2.

£ 1.5 О

баАв/баР

1.4. Зонные диаграммы (а) 1пР КЯ в матрице баР баАэ КЯ в матрице баР.