Рекомбинация и спиновая релаксация экситонов в полупроводниковых гетероструктурах первого рода с непрямой запрещенной зоной
- Автор:
Шамирзаев, Тимур Сезгирович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Докторская
- Год защиты:
2012
- Место защиты:
Новосибирск
- Количество страниц:
329 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Исследование методом эллипсометрии диэлектрических и полупроводниковых структур микроэлектроники | Резвый, Ростислав Ростиславович | 1998 |
| Мощный полевой транзистор на основе гетероструктуры (Al,Ga)N/GaN | Александров, Сергей Борисович | 2006 |
| Терагерцевый отклик олигонуклеотидов на поверхности кремниевых наносандвич-структур | Чернев, Андрей Леонидович | 2016 |