Исследование методом эллипсометрии диэлектрических и полупроводниковых структур микроэлектроники
- Автор:
Резвый, Ростислав Ростиславович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Докторская
- Год защиты:
1998
- Место защиты:
Москва
- Количество страниц:
65 с. : ил.; 20х15 см
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Идентификация механизмов токопереноса структур Me-a-Si: H при автоматизированной обработке экспериментальных данных | Вихров, Дмитрий Сергеевич | 2002 |
| Сверхбыстрые процессы в плотной, горячей электронно-дырочной плазме GaAs, взаимодействующей с мощным стимулированным излучением | Кривоносов, Александр Николаевич | 1999 |
| Контактные явления в тонкопленочных структурах на основе аморфных As2S3 и Sb2S3 | Симашкевич, Андрей Алексеевич | 1984 |