Исследование методом эллипсометрии диэлектрических и полупроводниковых структур микроэлектроники

• Автор: Резвый, Ростислав Ростиславович
• Шифр специальности: 01.04.10
• Научная степень: Докторская
• Год защиты: 1998
• Место защиты: Москва
• Количество страниц: 65 с. : ил.; 20х15 см

СОДЕРЖАНИЕ
ВВЕДЕНИЕ. Общая характеристика работы
Г лава 1. Разработка лазерных эллипсометрических микроскопов и
эллипсометров для контроля полупроводниковой технологии
1.1. Введение
1.2. Разработка лазерных эллипсометрических микроскопов
1.3. Обоснование метода эллипсометрической микроскопии
технологических процессов подготовки поверхности пластин
2.1. Эллипсометрические методы определения оптически
постоянных материалов
2.2. Эллипсометрия нарушенных поверхностных слоев и контроль финишной обработки пластин
2.3. Прецизионное измерение углов смачивания жидкостей
Глава 3. Использование эллипсометрии для контроля реальных
тонкопленочных структур в твердотельной электронике
3.1. Оптические модели реальных тонкопленочных структур
3.2. Принципы решения обратной задачи эллипсометрии
3.3. Экспериментальные исследования структур “диэлектрик-полупроводник”, применяющихся в полупроводниковой электронике
Глава 4. Эллипсометрия полупроводниковых и металлизированных
слоев и другие её применения в технологии микроэлектроники
4.1. Эллипсометрия ионно-имплантированных полупроводниковых слоев
4.2. Эллипсометрия поликристаллических слоев кремния
4.3. Эллипсометрия эпитаксиальных структур в инфракрасном диапазоне излучений
4.4. Экспрессный эллипсометрический метод контроля качества металлизации
4.5. Использование эллипсометрии для контроля процессов фотолитографии
4.6. Использование эллипсометрических методов на различных этапах технологического процесса создания полупроводниковых приборов и интегральных схем
Общие выводы
Список литературы, в которой отражено основное содержание работы

полированной и чистой поверхностью помещают на предметный столик лазерного эллипсометрического микроскопа ЛЭМ-2 (или ЛЭМ-3) и на экране прибора получают эллипсометрическое изображение данной поверхности. Если на такую поверхность поместить каплю жидкости с известным показателем преломления на длине волны света, используемой в приборе (X = 632,8 нм), обладающей хорошей смачиваемостью с веществом подложки, то на изображении края капли жидкости, как показано на рис. 2.5 возникает серия темных полос, разделенных яркими и светлыми полосами, параллельными границе раздела подложка-жидкось-внешняя среда и являющихся линиями равной толщины жидкости.
Толщина пленки жидкости в центре каждой последующей темной полосы по сравнению с центром предыдущей темной полосы отличается на величину эллипсометрического периода 4пер. Для повышения точности определения начала отсчета первого периода эллипсометр предварительно дол-
Рис.2.5. Эллипсометрическое жен быть настроен на погасание изображение капли жидкости на поверхности подложки или вблизи поверхности кремния этого положения.
Подсчитав число темных полос т, приходящихся на некоторую длину /, вдоль поверхности образца по направлению, перпендикулярному границе раздела отражающая поверхность-жидкость-внешняя среда, т.е. по направлению от края к центру капли, и умножив на него величину периода с1пер, определяют приращение толщины жидкости к в этом направлении по длине . Подсчет колец проводят на участке
равномерного распределения полос по длине 1 и осуществляют
посредством перемещения образца и соответственно изображения края капли относительно некоторого визира на экране. С помощью микрометрического винта предметного столика прибора отсчитывают величину /. Величина периода рассчитывается заранее из основного уравнения эллипсометрии по известному показателю преломления