Исследование методом эллипсометрии диэлектрических и полупроводниковых структур микроэлектроники
- Автор:
Резвый, Ростислав Ростиславович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Докторская
- Год защиты:
1998
- Место защиты:
Москва
- Количество страниц:
65 с. : ил.; 20х15 см
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Спиновая релаксация в массивах туннельно-связанных Ge/Si квантовых точек | Зиновьева, Айгуль Фанизовна | 2008 |
| Фотоэлектрические преобразователи излучения на основе узкозонных полупроводников (GaSb, Ge, InAs) | Хвостикова, Ольга Анатольевна | 2009 |
| Исследование излучательной рекомбинации в широкозонных гетероструктурах в системе InGaAsP | Тулашвили, Эремия Вахтангович | 1984 |