Исследование методом эллипсометрии диэлектрических и полупроводниковых структур микроэлектроники
- Автор:
Резвый, Ростислав Ростиславович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Докторская
- Год защиты:
1998
- Место защиты:
Москва
- Количество страниц:
65 с. : ил.; 20х15 см
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Полупроводящий тройной сополимер метилметакрилата, бутилметакрилата и метакриловой кислоты, модифицированный углеродными нанотрубками: строение и свойства | Элбакян Лусине Самвеловна | 2017 |
| Прямая и обратная задачи теории кинетических коэффициентов в изотропном приближении | Половинкин, В.Г. | 1984 |
| Исследование морфологии и электронных свойств поверхности пленок AIIIBV и контактов металла/AIIIBV методом атомно-силовой микроскопии | Новиков, Вадим Александрович | 2010 |