Исследование методом эллипсометрии диэлектрических и полупроводниковых структур микроэлектроники
- Автор:
Резвый, Ростислав Ростиславович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Докторская
- Год защиты:
1998
- Место защиты:
Москва
- Количество страниц:
65 с. : ил.; 20х15 см
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Исследование методом эллипсометрии диэлектрических и полупроводниковых структур микроэлектроники», автор — Резвый, Ростислав Ростиславович, относится к типу: докторская диссертация по специальности 01.04.10. Работа подготовлена в городе Москва в 1998 году. Объем работы: 65 с. : ил.; 20х15 см. Внутренний код товара: 01000221345. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Исследование квадрупольных эффектов в спектрах ЯМР 63Cu, 115In, 69Ga полупроводниковых соединений со структурой халькопирита | Шмидт, Екатерина Вадимовна | 2009 |
| Спонтанное формирование полупроводниковых наноструктур | Щукин, Виталий Александрович | 1998 |
| Электролюминесценция и проводимость слоев двуокиси кремния на кремнии в сильных электрических полях | Кручинин, Андрей Александрович | 1984 |