Оптические свойства монокристаллов теллурида цинка, легированных примесями переходных элементов группы железа

• Автор: Жмурко, Александр Иванович
• Шифр специальности: 01.04.10
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 1984
• Место защиты: Киев
• Количество страниц: 150 c. : ил

СОДЕРЖАНКЕ

Глава I. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ
§ 1.1. Основные свойства теллурида цинка
§ 1.2. Энергетическая структура примесей переходных
элементов в кристаллическом поле
§ 1.3. Одноэлектронное описание электронной структуры переходных металлов в
§ 1.4. Теоретическое описание спектра фотоионизационных переходов
Глава 2. МЕТОДИКА ПРОВЕДЕНИЯ ЭКСПЕРИМЕНТА
§ 2.1. Выращивание чистых и легированных монокристаллов
ZnTe
§ 2.2. Измерение и ошибки измерения коэффициента
поглощения
2.2.1. Ошибки измерения коэффициента поглощения в параллельном пучке, перпендикулярном образцу
2.2.2. Ошибки измерения коэффициента поглощения, обусловленные расположением образца по отношению к падающему параллельному пучку света
2.2.3. Ошибки, вызванные измерениями в непараллельном пучке лучей
§ 2.3. Погрешности определения моментов спектральных
полос
§ 2.4. Использованная измерительная аппаратура и
подготовка образцов
Глава 3. ЭНЕРГЕТИЧЕСКАЯ СТРУКТУРА гпТе , ЛЕГИРОВАННОГО ПРИМЕСЯМИ ГРУППЫ ЖЕЛЕЗА
§ 8.1. Фотоионизационное поглощение 3<1 - элементов
в соединениях A2Bg

§ 3.2. Спектры фотоионизации Со, Hi, Мп, С г
в кристаллах ZnTe
§ 3.3. Энергетическая схема уровней примесей Со ,
Hi , Мп и Сг в соединениях AgBg
§ 3.4. Влияние примесей группы железа на экситонные
спектры отражения ZnTe
Глава 4. СПЕКТРЫ ОПТИЧЕСКИХ ПЕРЕХОДОВ МЕЖДУ УРОВНЯМИ
3d-ЭЛЕМЕНТОВ В ZnTe
§ 4.1. Внутрицентровое поглощение ZnTe , легированного Со , Hi и Мп
2+ 2+
§ 4.2. Внутрицентровая люминесценция Hi и Мп
в ZnTe
Глава 5. ЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ КРИСТАЛЛОВ ZnTe , ЛЕГИРОВАННЫХ
ПЕРЕХОДНЫМИ ЭЛЕМЕНТАМИ ГРУППЫ ЖЕЛЕЗА
§ 5.1. Краевая фотолюминесценция легированных и нелегированных кристаллов ZnTe
§ 5.2. Акустолюминесценция нелегированных и легированных марганцем кристаллов
5.2.1. Акустолюминесценция нелегированных монокристаллов ZnTe
5.2.2. Акустолюминесценция монокристаллов ZnTe , легированных марганцем
§ 5.3. Электролюминесценция кристаллов ZnTe:Mn
§ 5.4. Термолюминесценция кристаллов ZnTe
5.4.1. Термолюминесценция легированных и нелегированных монокристаллов ZnTe [i.IO,II]
5.4.2. Термолюминесценция кристаллов гпТе , легированных переходными элементами группы железа
ОСНОВНЫЕ ВЫВОДЫ РАБОТЫ
ЛИТЕРАТУРА

Актуальность работы. Спектроскопия кристаллов, содержащих ионы группы железа и редкоземельные ионы, является важной областью физики твердого тела. Исследуемые в работе примеси создают в кристаллах, как правило, сильнолокализованные состояния. Вследствие этого электронная структура кристалла с примесью непосредственно связана со структурой изолированного иона. Эта особенность позволяет использовать примесь как своего рода зонд по изучению примесных систем. Легирование кристаллов примесями переходных элементов позволяет, с одной стороны, изучать кристаллы и их влияние на примесные ионы и, с другой стороны, исследовать воздействие примесей на свойства полупроводникового материала.
Следует отметить, что изучаемые спектры примесных ионов в высокосимметричных состояниях коренным образом отличаются от спектров примесей, входящих в состав кластеров из примесей и дефектов или дислокаций. Это обстоятельство позволяет раздельно изучать примеси замещения в различных зарядовых состояниях и их ассоциации с другими дефектами решетки.
Соединение ?нТе находит широкое применение в опто- и акус-тоэлектронике. На основе этого полупроводника создаются излучающие и фотоприемные устройства оптического диапазона. Эффективная люминесценция ?и1е позволяет создавать когерентные и некогерентные источники света [1.З9]. Известно, что ЗЛ-примеси в соединениях А^В0 служат, как правило, гасителями краевого излучения. Однако внутрицентровая люминесценция, появляющаяся взамен краевой, может быть использована в некоторых соединениях для создания перестраиваемых лазеров ближнего ЙК диапазона [2.45].

Рис.IS. Схема возбуждения акутдс.джлзгесгендии гггеобра-зователями из нгпсталли^еского нвазга.
JjJ_
^г-1-' 1
Рис.20. Схема возбуждения акустоджмгаеспенпии LiNbO^-преобразователями.