Теория фазовых переходов в неоднородные состояния, обусловленных кулоновским взаимодействием, в полупроводниках и сегнетоэлектриках

• Автор: Ченский, Евгений Васильевич
• Шифр специальности: 01.04.10
• Научная степень: Докторская
• Год защиты: 1985
• Место защиты: Москва
• Количество страниц: 252 c. : ил

Глава I. КУЛОНОВСКИЕ КОРРЕЛЯЦИИ И СПЕКТР ЛОКАЛЬНЫХ

ПОВЕРХНОСТНЫХ СОСТОЯНИЙ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ

1.1. Влияние кулоновского взаимодействия

на спектр поверхностных состояний

1.2. Фазовый переход в системе взаимодействующих локализованных электронов

в поверхностной примесной зоне при конечных температурах

1.3. Интерпретация наблюдаемых осцилляций продольной проводимости по двумерной примесной зоне в МДЛ-струк-турах
Глава 2, КРУПНОМАСШТАБНЫЙ ФЛУКТУАЦИОННЫЙ ПОТЕНЦИАЛ И ПЛОТНОСТЬ СОСТОЯНИЙ В ЛЕГИРОВАННЫХ И СИЛЬНОКОМПЕНСИРОВАННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКАХ
2.1. Уравнение Пуассона и представление об экранированных и неэкранированных флуктуациях

2.2. Среднее значение потенциала

2.3. Плотность вероятности потенциала и плотность состояний примесных

Глава 3. ТЕОРИЯ ФАЗОВЫХ ПЕРЕХОДОВ В НЕОДНОРОДНЫЕ СОСТОЯНИЯ В ОГРАНИЧЕННЫХ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИ-КАХ

3.1. Термодинамические соотношения для сегнетоэлектриков с доменной структурой
3.2. Устойчивость однородного состояния сегнетоэлектрика в конденсаторе
3.3. Неоднородные состояния сегнето-электрика
3.4. Спектр колебаний доменной структуры
Глава 4. НЕОДНОРОДНЫЕ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ СПОНТАННОЙ ПОЛЯРИЗАЦИИ В СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКАХ, ОБУСЛОВЛЕННЫЕ ЭКРАНИРОВАНИЕМ СВОБОДНЫМИ ЗАРЯДАМИ
4.1. Явления неустойчивости в сегнето-электрических полупроводниках
4.2. Монодоменная поляризация сегнетоэлектриков с фазовым переходом
I рода
4.3. Теория расслоения на фазы сегнетоэлектрика - полупроводника типа

4.4. Роль поверхностных состояний в процессах переполяризации сегнетоэлектрика германата свинца
4.5. Эмиттер с отрицательным сродством
на основе сегнетополупроводника
Глава 5. Р-ш - ПЕРЕХОДЫ И АНОМАЛЬНАЯ ФОТО-ЭДС В
СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКАХ

5.1. Р-п-переход в сегнетоэлектрическом полупроводнике
5.2. Модель легированного и сильно компенсированного сегнетоэлектрика
5.3. Варизонные структуры в сегнетоэлектрическом полупроводнике
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
ЛИТЕРАТУРА

ченной области пространства, что отвечает принципу компактности, обсуждаемому в [1б]
Найдем плотность состояний для возбуждений Ф(со)
Для этого, согласно [16^ , необходимо вычислить вероятность того, что в интервале с1 находится заряженный центр, а в интервале о1 г2„ - пустое состояние и энергия, требуемая для
перехода, равна СО . Эта вероятность имеет вид
2я%6 ^гш е*/,<г*П&г*’*1Ф^2П. ^ис исЪаую)- (1.1.52)
Умножив эту вероятность на число ячеек Со- и проинтегрировав по 7^ и г2гь , получим искомую плотность состояний для возбуждений:
Ф((0) = 2<0/&(гс). (1.1.53)
Заметим, что полученная плотность возбуждений совпадает с плотностью пустых состояний на дне зоны. Из (1.1.53) следует, что плотность возбуждений в области малых СО является постоянной. При этом легко убедиться, что низкотемпературная теплоемкость оказывается пропорциональной температуре.
Сделаем несколько замечаний о низкотемпературной прыжковой проводимости в условиях вигнеровской кристаллизации. Разумеется, проводимость может осуществляться за счет возбуждений на далекие расстояния. Однако такой процесс маловероятен из-за того, что минимальная энергия активации порядка Щ , а перекрытие волновых функций экспоненциально мало. Более вероятным является перенос заряда из заполненного на ближайший пустой центр. Такие дипольные возбуждения создают "потенциальный перекос" в соседних ячейках, делающий возмож-