Исследование электронных свойств поверхности и внутренних границ раздела эпитаксиальных слоев GaAs методом спектроскопии фотоотражения
- Автор:
Шайблер, Генрих Эрнстович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2001
- Место защиты:
Новосибирск
- Количество страниц:
130 с. : ил
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Исследование электронных свойств поверхности и внутренних границ раздела эпитаксиальных слоев GaAs методом спектроскопии фотоотражения», автор — Шайблер, Генрих Эрнстович, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 01.04.10. Работа подготовлена в городе Новосибирск в 2001 году. Объем работы: 130 с. : ил. Внутренний код товара: 01000317773. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Исследование микродефектов в монокристаллах арсенида галлия, легированного кремнием | Жевнеров, Евгений Владимирович | 2011 |
| Диагностика квантовых ям в системе (In, Ga)As/GaAs методом стационарной емкостной спектроскопии | Цвелев, Егор Олегович | 2003 |
| Некоторые особенности взаимодействия электронов и фононов в сплавах на основе висмута при низких температурах | Зотова, Оксана Васильевна | 2004 |