Исследование электронных свойств поверхности и внутренних границ раздела эпитаксиальных слоев GaAs методом спектроскопии фотоотражения
- Автор:
Шайблер, Генрих Эрнстович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2001
- Место защиты:
Новосибирск
- Количество страниц:
130 с. : ил
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Исследование электронных свойств поверхности и внутренних границ раздела эпитаксиальных слоев GaAs методом спектроскопии фотоотражения», автор — Шайблер, Генрих Эрнстович, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 01.04.10. Работа подготовлена в городе Новосибирск в 2001 году. Объем работы: 130 с. : ил. Внутренний код товара: 01000317773. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Влияние условий роста на структуру и свойства эпитаксиальных слоев (SiC)1-x (AlN) x | Абдэль-Ваххаб Абдэль-Кадер Базбаз Хийярат | 2000 |
| Теория резонансных фотонных кристаллов и квазикристаллов | Поддубный, Александр Никитич | 2010 |
| Синтез полупроводниковых нитевидных нанокристаллов и создание композитных материалов с использованием коллоидных наночастиц металлов | Илькив Игорь Владимирович | 2020 |