Исследование электронных свойств поверхности и внутренних границ раздела эпитаксиальных слоев GaAs методом спектроскопии фотоотражения
- Автор:
Шайблер, Генрих Эрнстович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2001
- Место защиты:
Новосибирск
- Количество страниц:
130 с. : ил
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Синтез III-N микро- и наноструктур методом МОГФЭ на подложках сапфира и кремния | Рожавская, Мария Михайловна | 2014 |
| Высокочастотная фотопроводимость примесного германия в инфакрасной области спектра | Бурбаев, Тимур Маруанович | 1985 |
| Получение и исследование структурно совершенных pn-переходов на карбиде кремния политипа 6Н | Константинов, Андрей Олегович | 1984 |