Исследование электронных свойств поверхности и внутренних границ раздела эпитаксиальных слоев GaAs методом спектроскопии фотоотражения
- Автор:
Шайблер, Генрих Эрнстович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2001
- Место защиты:
Новосибирск
- Количество страниц:
130 с. : ил
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Исследование квадрупольных эффектов в спектрах ЯМР 63Cu, 115In, 69Ga полупроводниковых соединений со структурой халькопирита | Шмидт, Екатерина Вадимовна | 2009 |
| Гетероструктуры на основе халькогенидов европия и свинца | Никольская, Людмила Владимировна | 2006 |
| Моделирование и исследование фоточувствительных полупроводниковых приборов с N-образными вольт-амперными характеристиками | Каштанкин, Илья Александрович | 2006 |