Исследование эпитаксиальных слоев GaAs и одиночных квантовых ям (In, Ga)As/GaAs методами фото- и электроотражения

• Автор: Комков, Олег Сергеевич
• Шифр специальности: 01.04.10
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2006
• Место защиты: Санкт-Петербург
• Количество страниц: 126 с. : ил.

• ВВЕДЕНИЕ

Список основных используемых в работе обозначений и сокращений

Гл. 1. ВЛИЯНИЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПОЛЯ НА ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВ (ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ)

§1.1. Эффект Франца-Келдыша в кристаллах

§ 1.2. Учёт экситонных эффектов

§1.3. Квантоворазмерный эффект Штарка

1.3.1. Уровни размерного квантования в квантовых ямах

1.3.2. Влияние электрического поля на уровни

размерного квантования

1.3.3. Экспериментальные работы по наблюдению влияния • внешнего электрического поля на одиночные

квантовые ямы

§ 1.4 Фото- и электроотражение как методы исследования
полупроводниковых материалов и структур
1.4.1. Исследование ваАя методами
фото- и электроотражения
1.4.2. Фото- и электроотражение квантовых ям
Выводы по 1 главе
Гл. 2. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ УСТАНОВКА И ИССЛЕДОВАННЫЕ ОБРАЗЦЫ
§2.1. Модернизация установки для измерения спектров фото
электроотражения
2.1.1. Функциональная схема и аппаратурная реализация
Ф 2.1.2. Технические данные модернизированной установки
2.1.3. Методика измерений спектров фото- и электроотражения
§2.2. Характеристики исследованных образцов
2.2.1. Образцы эпитаксиальных слоев ваАя
2.2.2. Образцы одиночных квантовых ям (1п,Оа)Аз/СаАз
Выводы по 2 главе
Гл. 3. ИССЛЕДОВАНИЕ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЁВ ОаАя
§3.1. Определение напряжённости внутреннего электрического поля по спектрам фото- и электроотражения
3.1.1. Традиционный метод
3.1.2. Определение напряжённости с учётом вклада тяжёлых
и лёгких дырок (метод быстрого преобразования Фурье)
§3.2. Бесконтактная характеризация эпитаксиальных слоев
сверхчистого ОаАя
3.2.1. Результаты исследования ваАя методом фотоотражения при комнатной температуре
3.2.1.а. Область энергий Ьсо>Е£
3.2.1.6. Область энергий Ьсо<Т^
3.2.2. Исследование ваАя методом фотоотражения
при низкой температуре
Выводы по 3 главе
Гл. 4. ИССЛЕДОВАНИЕ ОДИНОЧНЫХ КВАНТОВЫХ ЯМ ІпОаАзЛЗаАз §4.1. Влияние внешнего электрического поля на одиночную
квантовую яму
§4.2. Экспериментальные результаты и их обработка
4.2.1. Идентификация оптических переходов в квантовой яме
4.2.2. Влияние электрического поля на энергетический спектр одиночной КЯ (1п,Оа)АяЛЗаАз
4.2.3. Выявление механизмов модуляции, ответственных за формирование спектров фото- и электроотражения
одиночных квантовых ям
§4.3. Изменение вероятности оптических переходов в КЯ
под действием электрического ПОЛЯ
Выводы по 4 главе
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
ЛИТЕРАТУРА

І - блок осветителя; II - блок монохроматора; III - блок приёмной камеры. 1 - галогенная лампа; 2, 6, 10, 12, 14, 15, 16- плоские зеркала; 3,7,9, 13, 18, - сферические зеркала; 4, 20 - светофильтры; 5,11 - входная и выходная щели монохроматора; 8 - реплика; 17 - образец; 19- непрерывно откачиваемый азотный криостат; 21 - фотоприемник с предусилителем; 22 - селективный микровольтметр; 23- синхронный детектор; 24 - цифровой вольтметр; 25 - ІВМ РС; 26 - шаговый двигатель; 27 - лазер для измерения спектров фотоотражения;
- поляризационный фильтр; 29 - Генератор низкой частоты; 30, 31 - электромеханические модуляторы; 32 - стабилизированный источник питания лампы; 33 -аккумулятор; 34 - источник постоянного напряжения, используемый при измерении спектров электроотрожения.