Исследование эпитаксиальных слоев GaAs и одиночных квантовых ям (In, Ga)As/GaAs методами фото- и электроотражения
- Автор:
Комков, Олег Сергеевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2006
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
126 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Исследование эпитаксиальных слоев GaAs и одиночных квантовых ям (In, Ga)As/GaAs методами фото- и электроотражения», автор — Комков, Олег Сергеевич, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 01.04.10. Работа подготовлена в городе Санкт-Петербург в 2006 году. Объем работы: 126 с. : ил.. Внутренний код товара: 01003042077. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Диффузия, сегрегация и электрическая активация легирующих примесей в диффузионных и имплантационных слоях кремния | Александров, Олег Викторович | 2003 |
| Термоактивационные процессы с участием медленных электронных ловушек в халькогенидах цинка | Камалудинова, Халимат Эхоевна | 2006 |
| Исследования и разработка технологии изготовления гетероструктур на основе антимонида галлия методом ГФЭМОС | Левин, Роман Викторович | 2016 |