Исследование эпитаксиальных слоев GaAs и одиночных квантовых ям (In, Ga)As/GaAs методами фото- и электроотражения
- Автор:
Комков, Олег Сергеевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2006
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
126 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Влияние адсорбционных покрытий на фотолюминесценцию пористого кремния | Синдяев, Андрей Васильевич | 2001 |
| Исследование полупроводниковых эпитаксимальных слоев и квантово-размерных структур в системах Ga-In-P-As и Al-Ga-As методом фотопропускания | Ивкин, Андрей Николаевич | 1998 |
| Исследование плёнок твёрдых растворов PbTe-SnTe, легированных индием, в области составов вблизи инверсии зон | Ищенко Денис Вячеславович | 2019 |