Излучательный и безызлучательный распад электронных возбуждений в кристаллах галогенидов цезия

• Автор: Гафиатулина, Елена Саугановна
• Шифр специальности: 01.04.10
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 1998
• Место защиты: Томск
• Количество страниц: 162 с.

СОДЕРЖАНИЕ
СПИСОК СОКРАЩЕНИЙ
ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА 1. ЦЕНТРЫ ОКРАСКИ И
АВТОЛОКАЛЙЗОВАННЫЕ ЭКСИТОНЫ В КРИСТАЛЛАХ ГАЛОГЕНИДОВ ЦЕЗИЯ
1.1. Общая характеристика кристаллов галогенидов цезия
1.2. Центры окраски
1.2.1. Структура центров окраски
1.2.2. Оптические характеристики
1.3. Собственная люминесценция СвІ, СбВг и СзС1 кристаллов
1.3.1. Люминесценция свободных и автолокализованных экситонов
1.3.2. Люминесценция при внутризонных и
остовно-валентных переходах
1.4. Распад электронных возбуждений с рождением дефектов в ЩГК
1.5 .Постановка задачи исследования
ГЛАВА 2. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА И ОБРАБОТКА
ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫХ ДАННЫХ
2.1.Установка люминесцентной и абсорбционной
спектрометрии с временным разрешением
2.2.Обработка экспериментальных данных и анализ
погрешностей
2.3.Образцы для исследования
ГЛАВА 3. НИЗКОТЕМПЕРАТУРНОЕ СОЗДАНИЕ
ЭКСИТОНОВ И ДЕФЕКТОВ В КРИСТАЛЛАХ

ГАЛОГЕНИДОВ ЦЕЗИЯ
3.1. Спектры и кинетика релаксации неустойчивого
поглощения
3.2. Трехгалоидные автолокализованные экситоны в кристалле Csl
3.3. Оценки квантового выхода образования элементарных центров окраски
3.3.1. Эффективность образования АЛЭ и F-центров
при низкоинтенсивном импульсном облучении
3.3.2. Эффекты высокой плотности в кристалле CsCl
3.3.3. Рекомбинациснное создание АЛЭ в кристаллах
CsBr при двухкаскадном возбуждении
3.4. Низкотемпературный распад электронных возбуждений и создание дефектов в кристаллах галогенидов цезия
Выводы
ГЛАВА 4. ТЕРМОАКТИВИРОВАННОЕ ОБРАЗОВАНИЕ ДЕФЕКТОВ ПРИ ИМПУЛЬСНОМ ЭЛЕКТРОННОМ ОБЛУЧЕНИИИ В КРИСТАЛЛАХ ГАЛОГЕНИДОВ ЦЕЗИЯ
4.1. Температурные эволюции спектров и кинетики релаксации неустойчивого поглощения

4.2. Спектры и кинетики затухания люминесценциии

4.3. Внутрицентровая люминесценция и остовно-валентные переходы в кристалле CsCl
4.4. О существовании "on- и off-center" трехгалоидных автолокализованных экситонов в кристалле Csl

4.5. Образование F-H пар при распаде термически
возбужденных АЛЭ
Основные результаты и выводы
ГЛАВА 5. ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНЫЕ И
ПОСТРАДИАЦИОННЫЕ ПРОЦЕССЫ В КРИСТАЛЛАХ
CsBr С НАВЕДЕННОЙ ОКРАСКОЙ
5.1. Динамика генерации первичных и накопление устойчивых центров окраски при импульсном электронном возбуждении
5.2. Концентрационное тушение и сенсибилизация люминесценции кристалла CsBr
5.3. Электронно-дырочные процессы и создание дефектов в кристаллах бромистого цезия с предварительно наведенными центрами окраски
5.4. Туннельная рекомбинационная люминесценция
5.5. О механизмах создания АЛЭ в кристалле CsBr
Основные результаты и выводы
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННОЙ ЛИТЕРАТУРЫ

Согласно [138], "on-center" АЛЭ в иодиде цезия создаются при температурах вблизи абсолютного нуля. Их излучательной аннигиляцией из синглетного и триплетного спиновых состояний обусловлены быстрый (2 не) и медленный (100 не) компоненты затухания люминесценции в полосе с максимумом на 4.3 эВ. С "off-center" конфигурацией в [141] связывается полоса медленнозатухающего свечения при 3.7 эВ, которая становится доминирующей в спектрах при температурах выше 20 К, а возникающее при Т>80 К коротковолновое излучение считается обусловленным повторным заселением синглетного уровня "on-center" АЛЭ термическим путем из триплетного состояния с "off-center" конфигурацией.
А.Н.Бельский и др. [142], исследуя спектры возбуждения высокотемпературной коротковолновой люминесценции чистого иодида цезия при синхротронном облучении, установили, что возбуждение стартует при энергии -20 эВ и экспоненциально возрастает приблизительно до 50 эВ. Принимая во внимание столь высокоэнергетический порог возбуждения, авторы [142] предположили, что за люминесценцию с максимумом на 4.1 эВ при комнатной температуре отвечают центры свечения, которые создаются в результате фононной релаксации коррелированных возбуждений, например свободные или автолокализованные биэкситоны или происходит образование особого рода радиационного дефекта, возможно катионных вакансий. Однако, в работе [140], изучая двухфотонное облучение, нашли, что порог возбуждения высокотемпературного свечения составляет 6-7 эВ. Вероятнее всего, что такое различие в определение порога возбуждения связано с тем, что в [142] наблюдали явление размножения электронных возбуждений, которое возникает при воздействии на ШГК фотонов с энергией 12-32 эВ.
Изучая УФ-люминесценцию кристалла Csl при возбуждении субнаносекундным импульсом ускоренных электронов в работах [143, 144] пришли к выводу, что высокотемпературное свечение связано с генерацией