Излучательный и безызлучательный распад электронных возбуждений в кристаллах галогенидов цезия
- Автор:
Гафиатулина, Елена Саугановна
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
1998
- Место защиты:
Томск
- Количество страниц:
162 с.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Образование и свойства электрически активных кислородосодержащих дефектов в термообработанных и облученных кристаллах германия | Литвинов, Валентин Вадимович | 1985 |
| Влияние подложки на структуру металлических и полупроводниковых слоев в гетерокомпозициях на основе A3B5 по данным электронной микроскопии | Ловыгин, Михаил Вячеславович | 2015 |
| Исследование процесса термической диссоциации нитрида галлия при воздействии инфракрасного лазерного излучения | Вирко, Максим Викторович | 2017 |