Исследование магнитных явлений в легированных полупроводниках

• Автор: Андрианов, Дмитрий Глебович
• Шифр специальности: 01.04.10
• Научная степень: Докторская
• Год защиты: 1983
• Место защиты: Москва
• Количество страниц: 361 c. : ил

ГЛАВА 1. МАГНИТНАЯ ВОСПРИИМЧИВОСТЬ КРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ
РЕШЕТКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ
§ 1. Компоненты магнитной восприимчивости кристаллической решетки и методы их разделения
§ 2. Злектронографический анализ решеточной магнитной восприимчивости полупроводниковых кристаллов
Выводы к главе
Глава II. МАГНИТНАЯ ВОСПРИИМЧИВОСТЬ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В
полупроводниках
§ 1. Парамагнетизм и диамагнетизм носителей заряда
§ 2. Исследования магнитной восприимчивости носителей
заряда в элементарных полупроводниках
§ 3. Магнитная восприимчивость электронов проводимости в полупроводниковых соединениях
§ 4. Спиновая восприимчивость носителей заряда в
полупроводниках и сдвиг Найта
Выводы к главе П
Глава III. МАГНИТНАЯ ВОСПРИИМЧИВОСТЬ П0ШУ1Р0В0ДЩК0ВЫХ КРИСТАЛЛОВ, ЛЕГИРОВАННЫХ МЕЛКИМИ ДОНОРАМИ
§ 1. Магнитные свойства коллектива атомов, обладающих
отличным от нуля магнитным моментом
§ 2. Магнитная восприимчивость мелких доноров в слабо легированных и промежуточно легированных полупроводниках
§ 3. Связанные состояния в кристаллах арсенида галлия,

сильно легированных теллуром
Выводы к главе Ш
Глава IV. МАГНИТНЫЕ СВОЙСТВА ПРИМЕСНЫХ ИОНОВ ГРУППЫ
ЖЕЛЕЗА В СОЕДИНЕНИЯХ А%У
§ 1. Факторы, влияющие на магнитные свойства примес-ных ионов переходных элементов в полупроводниках
§ 2. Магнитная восприимчивость примесных ионов переходных элементов в ^ -состоянии
§ 3. Магнитная восприимчивость некоторых ионов переходных элементов группы железа в I) -состоянии. /32 § 4. Магнитная восприимчивость ионов переходных элементов группы железа в Р-состоянии
Выводы к главе 1У
Глава V. ОБМЕННЫЕ ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ МЕЖДУ ПРИМЕСНЫМИ АТОМАМИ
ПЕРЕХОДНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ
§ 1. Влияние взаимодействий между примесными атомами
переходных элементов на их магнитные свойства... /83 § 2. Взаимодействия магнитных примесных атомов в полупроводниковых соединениях А%У1
§ 3. Магнитные свойства кристаллов кремния, легированного гадолинием
§ 4. Обменные взаимодействия между магнитными примесны-
' 1Уг У1
ми атомами в полупроводниковых соединениях А В
§5.0 природе обменных взаимодействий между примесными
ионами переходных элементов в полупроводниках
Выводы к главе У
Глава V1. АНОМАЛИИ ГАЛЬВАНОМАГНИТБЫХ ЭФФЕКТОВ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ

§1.0 связи аномалий гальваномагнитных эффектов с локализованными магнитными моментами в металлах
§ 2. Аномальное магнитосопротивление в полупроводниках, сильно легированных мелкими донорами и

акцепторами
§ 3. Исследования магнитосопротивления и температурной зависимости удельного электрического сопротивления в кристаллах § 4. Аномальный эффект Холла в кристаллах j*se и
J»Jk , легированных марганцем
Выводы к главе У1
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
ЛИТЕРАТУРА
П.СМ
ю17 ю18 ю13

1 ъ-/ г , 2-Л . 1 Г
У

Пй<10~6смч
) Рис.10 Зависимость магнитной восприимчивости электронов
проводимости в германии от их концентрации [в] (кривая I). Приведены также две теоретические зависимости, вычисленные для вырожденного электронного газа в предположении, что зона проводимости состоит из четырёх (кривая 2) и восьми (кривая 3) эллипсоидов вращения.