Морфология эпитаксиальных слоёв при неизотропной атомной диффузии : Моделирование

• Автор: Брунёв, Дмитрий Владиславович
• Шифр специальности: 01.04.10
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2006
• Место защиты: Новосибирск
• Количество страниц: 171 с. : ил.

Глава 1. Современные подходы к изучению и описанию процессов формирования эпитаксиальных слоев на поверхности кристаллов
1.1. Кинетические уравнения послойного эпитаксиального роста
1.1.1. Островковый механизм роста атомных слоев
1.1.2. Ступенчато-слоевой механизм роста
1.2. Экспериментальные методы исследования поверхности кристаллов. Методы микроскопии высокого разрешения
1.3. Дифракция быстрых электронов на отражение как метод in situ контроля толщины и качества растущей пленки
Заключение к главе
Глава 2. Моделирование кристаллической структуры и поведения атомоЪ в кристаллах
2.1. Методы моделирования структуры кристалла и поведения атомов в кристаллических слоях
2.2. Монте-Карло моделирование кинетики роста кристаллов
2.3. Реализация модели Косселя на ЭВМ. Программный комплекс MBE-SOS
2.3.1. Методы реализации модели Косселя на ЭВМ
2.3.2. Программный комплекс MBE-SOS
2.3.2.1. Датчик случайных чисел
2.3.2.2. Описание программного комплекса MBE-SOS
2.3.2.3. Выбор исходной подложки
2.3.2.4. Энергетические характеристики атомных взаимодействий
2.3.2.5. Параметры ростового процесса
2.3.2.6. Ограничения параметров модели
2.3.2.7. Методы анализа результатов вычислительного эксперимента
Заключение и выводы к главе
Глава 3. Влияние анизотропии латеральной атомной диффузии и барьеров Швебеля на морфологию поверхностного рельефа
3.1. Анизотропия латеральной атомной диффузии на реконструированных поверхностях (100) кристаллов типа алмаза и сфалерита
3.2. Моделирование движения ступеней в процессе эпитаксиального роста и термического отжига при наличии анизотропии латеральной атомной диффузии
3.2.1. Случай слабого латерального взаимодействия
3.2.2. Случай сильного латерального взаимодействия
3.3. Влияние анизотропии латеральной атомной диффузии на формирование
и рост двумерных эпитаксиальных островков
3.4. Морфология поверхностного рельефа при наличии барьеров Швебеля
3.5. Совместное влияние барьеров Швебеля и анизотропии латеральной атомной диффузии на период осцилляций шероховатости поверхности
Заключение и выводы к главе
Глава 4. Зависимость морфологии поверхности от параметров межслоевой атомной диффузии
4.1. Формы роста в параметрическом пространстве Рир - Pdown
4.2. Зарождение уединенных трехмерных островков без смачивающего слоя
4.3. Влияние параметров межслоевой атомной диффузии на потоки атомов по боковым стенкам островков
4.4. Упорядочение трехмерных островков по базовым размерам
в процессе роста
4.5. Эффект укрупнения двумерных островков с ростом толщины пленки
4.6. Рост трехмерных островков на смачивающем слое по механизму Странского-Крастанова

4.7. Формирование уединенных трехмерных островков на поверхностях, содержащих ступени
Заключение к главе
Заключение и выводы
Публикации по теме диссертации с участием Брунёва Д.В
Литература

Е<ь«п > 0, Еир < 0 М*
(Р^<ІРир>1) К
(Ци/і ” ^с1очп Е'ир)
К>Еіт> 0 (Л»< Ль-С 1)
(№ья - М*= Ь’
ир сЬуіп)
Рисунок 2.3.
♦ Схематическое изображение энергетических барьеров для атома, совершающего скачок через ступень моноатомной высоты, при различном соотношении параметров
межслойного атомного обмена:
а) моноатомная ступень на краю островка;
б) потенциальная энергия атома в гомосистеме при отсутствии барьеров на ступени; в) потенциальная энергия атома в гомосистеме при наличии барьера Швебеля; г-ж) потенциальная энергия атома в гетеросистеме при различных соотношениях барьеров для перемещения атома через ступень.