Влияние сильного электрического поля на электронные процессы в пленках g-As2Se3

• Автор: Еганова, Елена Михайловна
• Шифр специальности: 01.04.10
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2011
• Место защиты: Москва
• Количество страниц: 202 с. : ил.

Оглавление
Введение

1. Электрофизические свойства As2Se3

1.1. Структура и физические свойства y-As2Se3

1.2. Энергетический спектр электронов в стеклообразному-As2Se3

1.3. Дефекты в y-As2Se3

1.4. Фотоструктурные изменения в y-As2Se3

1.5. Влияние сильных полей на свойства g-As2Se3

1.6. Влияние сильных полей на электропроводность g-As2Se3

1.7. Электрический пробой тонких пленок стеклообразных полупроводников. Эффект переключения

Выводы по главе

2. Образцы и методи ка экс перимента
2.1. Методика получения и физико-химические свойства пленок As2Se3
2.1.1. Подготовка образцов
2.1.2. Морфология аморфных пленок As2Se3 и пленок металлов
2.1.3. Анализ элементного состава аморфных пленок и пленок металлов
2.2. Подготовка измерительного комплекса для исследованияэлектрических
характеристик As2Se3
2.2.1. Измерение статических характеристик образцов
2.2.2. Измерения с помощью неоновой лампочки
2.2.3. Схема измерения для исследования искрового пробоя
2.2.4. Импульсные измерения
2.2.5. Измерение температурной зависимости электропроводности
Выводы по главе
3. Экспериментальное исследование электропроводности пленок у-Аз28е3 в сильных электрических полях
Стабильность образцов
3.1. Вольтамперные характеристики структур на основе пленок у-Аз28е3
3.2. Влияние импульсного возбуждения на электрические характеристики Аэез
3.3. Влияние температуры на электропроводность пленок у-Аз28е3
3.4. Исследование электрического пробоя пленок у-Аэез
3.4.1. Микроплазменный пробой тонких пленок у-Аэез
3.4.2. Искровой пробой тонких пленок у-Аз28е3

3.5. Электрические характеристики образцов с инкорпорированными наночастицами золота
Выводы по главе
4. Построение моделей, сравнение результатов расчетов с экспериментом
4.1. Модель электрического пробоя по механизму подпорогового умножения носителей заряда
4.2. Микроплазменный пробой
4.3. Метастабильные центры в пленках g-As2Seз
4.4. Стримерный пробой
4.5. Влияние наночастиц золота на электропроводность стеклообразных пленок Аз28е3
4.6. Электростатическая память в пленках у-Аз28е3
Выводы по главе4
Выводы
Заключение
Публикации автора по теме диссертации
Используемая литература:
Приложения
Приложение 1. Таблица образцов
Приложение 2. Вольтамперные характеристики и температурная зависимость электропроводности
Приложение 3. Листинги

дырке на нейтральном С/ дефекте, который дает водородные акцепторные уровни.
В отличие от С; и Сз, несогласованные Р2 и Р, дефекты дают новые орбитальные связи, а именно, несвязные орбитали Ав. Когда они изолированы, эти орбитали лежат на Е - Д, ниже края зоны проводимости. В дефектах Р2 они взаимодействуют с несвязывающими орбиталями 8е через прямое тг-взаимодействие, и смещаются вверх на~0,3 эВ, для формирования состояния на 2,27 эВ (Рис. 16(с)). В дефектах Р) есть вторая несвязывающая орбиталь, которая остается вблизи невозмущенной энергии на том же самом центре захвата Ая, порождая второе дефектное состояние (Рис. 16(6)).
Для нейтрального дефекта Р2 уровни запрещенной зоны заняты на половину, а для дефекта Р2 нижний уровень запрещенной зоны занят полностью, а верхний - пустой. Для этих дефектов самосогласование не так важно, поскольку состояния запрещенной зоны хорошо локализованы, а центры захвата, включающие дефекты нейтральны. Если уровень Ферми попадет в середину запрещенной зоны, дефекты Р2 и РI будут нести заряд +1 и +2, соответственно. Обычная теория координационных дефектов в халькогенидах считает, что согласованные дефекты отрицательно заряжены, но общепринятая точка зрения здесь не проходит, потому что здесь уровень несвязывающей орбиталиАэ лежит ближе к зоне проводимости, а не к валентной зоне. Это необычное состояние уровней объясняется разницей электроотрицательности, которая смещает уровень РА% значительно выше валентных уровней Р5е (Рис. 15). Физически, Р2' является невыгодным, поскольку дополнительный электрон будет локализован в электроположительном центре захвата Аэ. Конечно, в полупроводниках с неподеленными парами, незанятые /-орбитали Аэ на Р2+ будут неустойчивыми к свободным связям граничащим с неподеленными парами Р5е. Таким образом, получается, что скоординированные пниктидные дефекты вообще не могут образоваться. Однако, если локализованные