Влияние сильного электрического поля на электронные процессы в пленках g-As2Se3
- Автор:
Еганова, Елена Михайловна
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2011
- Место защиты:
Москва
- Количество страниц:
202 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Процессы атомной миграции и напряженно-деформированное состояние кристалла при локальном диффузионном легировании кремния (численное исследование) | Големшток, Григорий Михайлович | 1984 |
| Оптические свойства соединений А2В6 с изоэлектронной примесью кислорода с позиций теории непересекающихся зон : на примере системы ZnS-ZnSe | Мидерос Мора Даниэль Алехандро | 2008 |
| Диэлектрические потери в щелочно-галоидных кристаллах с дислокациями в килогерцевом диапазоне | Рыбянец, Валерий Александрович | 1984 |