Влияние сильного электрического поля на электронные процессы в пленках g-As2Se3
- Автор:
Еганова, Елена Михайловна
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2011
- Место защиты:
Москва
- Количество страниц:
202 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Изовалентное легирование : Управление электронными свойствами слоев GaAs и GaSb путем воздействия на систему примесей, точечных дефектов и наноразмерных кластеров | Чалдышев, Владимир Викторович | 1999 |
| Локализованные состояния в гетеросистемах на основе кремния, сформированные в деформационных полях | Антонова, Ирина Вениаминовна | 2009 |
| Электронный энергетический спектр неоднородных, пространственно ограниченных и слоистых полупроводниковых структур | Касаманян, Затик Акопович | 1982 |