Электронная микроскопия полупроводников с учетом реальных закономерностей освещения образца и рассеяния электронов
- Автор:
Боргардт, Николай Иванович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Докторская
- Год защиты:
1999
- Место защиты:
Москва
- Количество страниц:
335 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Электронная микроскопия полупроводников с учетом реальных закономерностей освещения образца и рассеяния электронов», автор — Боргардт, Николай Иванович, относится к типу: докторская диссертация по специальности 01.04.10. Работа подготовлена в городе Москва в 1999 году. Объем работы: 335 с. : ил.. Внутренний код товара: 01000242358. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Структура и электрофизические свойства гетеропереходов n-SiC/p-(SiC)1-x (AlN) x | Исмаилова, Нупайсат Пахрудиновна | 2003 |
| Термо- и фотостимулированные процессы в системах полупроводник - металл, полупроводник - органическая среда | Костенко, Михаил Иванович | 1997 |
| Электронно-зондовые исследования слоев GaA3 и структур на их основе | Соболев, Михаил Михайлович | 1984 |