Влияние встроенных электрических полей на перенос носителей заряда в излучающих структурах InGaN/GaN
- Автор:
Копьев, Виктор Васильевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2019
- Место защиты:
Томск
- Количество страниц:
126
Стоимость:
700 р.499 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Влияние встроенных электрических полей на перенос носителей заряда в излучающих структурах InGaN/GaN», автор — Копьев, Виктор Васильевич, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 01.04.10. Работа подготовлена в городе Томск в 2019 году. Объем работы: 126. Внутренний код товара: 01010169329. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Получение твердых растворов (SiC)1-x(AlN)x методом магнетронного распыления и исследование их свойств | Гусейнов, Марат Керимханович | 2004 |
| Размерная модуляция электронной структуры и эффекты сильного электрического поля в ультракоротких углеродных нанотрубках | Тучин, Андрей Витальевич | 2014 |
| Морфология гетерограниц и транспорт двумерных электронов в GaAs квантовых ямах с AlAs/GaAs сверхрешёточными барьерами | Бакаров, Асхат Климович | 2004 |