Влияние встроенных электрических полей на перенос носителей заряда в излучающих структурах InGaN/GaN
- Автор:
Копьев, Виктор Васильевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2019
- Место защиты:
Томск
- Количество страниц:
126
Стоимость:
700 р.499 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Механизмы переноса заряда в приёмниках рентгеновского излучения на основе кремния | Басаев, Александр Сергеевич | 2007 |
| Оптические, электрические и фотоэлектрические свойства нанокристаллического оксида индия | Форш, Екатерина Александровна | 2013 |
| Пористые карбид кремния и нитрид галлия: получение, свойства и применение | Мынбаева, Марина Гелиевна | 2003 |