Влияние встроенных электрических полей на перенос носителей заряда в излучающих структурах InGaN/GaN
- Автор:
Копьев, Виктор Васильевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2019
- Место защиты:
Томск
- Количество страниц:
126
Стоимость:
700 р.499 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Особенности магнетосопротивления и терагерцовой фотопроводимости в графене | Васильева, Галина Юрьевна | 2015 |
| Исследование самоорганизации структуры поверхности неупорядоченных полупроводниковых материалов | Авачева, Татьяна Геннадиевна | 2009 |
| Электронно-энергетическое строение и фазовый состав аморфных нанокомпозитных пленок a-SiOx-a-Si:H | Паринова, Елена Владимировна | 2016 |