Влияние встроенных электрических полей на перенос носителей заряда в излучающих структурах InGaN/GaN
- Автор:
Копьев, Виктор Васильевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2019
- Место защиты:
Томск
- Количество страниц:
126
Стоимость:
700 р.499 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Влияние встроенных электрических полей на перенос носителей заряда в излучающих структурах InGaN/GaN», автор — Копьев, Виктор Васильевич, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 01.04.10. Работа подготовлена в городе Томск в 2019 году. Объем работы: 126. Внутренний код товара: 01010169329. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Анализ генерационно-рекомбинационных и туннельно-рекомбинационных процессов в областях пространственного заряда сложных полупроводниковых структур по экспериментальным вольтамперным характеристикам | Ермаков, Михаил Сергеевич | 2013 |
| Особенности оптических свойств сильно легированного GaAs:Te в условиях коррелированного распределения примеси | Сидоров, Евгений Николаевич | 2010 |
| Люминесценция кристаллов вольфраматов двухвалентных элементов и свинца | Якимова, Ирина Олеговна | 2008 |